近日，思特威與合肥晶合集成合作推出了國產自研高端BSI工藝平臺。
在CMOS圖像傳感器小像素尺寸與高分辨率的市場趨勢下，BSI（Back SideIllumination）即背照式入射受到市場的重視和需求。相較于前照式入射方案，BSI將光線入射方向改至光電二極管的背面，可大幅提升 CMOS 圖像傳感器的量子效率，降低電路光學串擾，同時解決了像素尺寸微小化和擴大光學視角響應方面的重要難題，進而實現極佳的暗光成像品質。
據悉，早在2020年，思特威就已與晶合集成攜手成功推出了DSI工藝平臺并實現量產。為了繼續提升產品性能，2021年思特威開始進行本土BSI背照式先進工藝平臺的研發，在多項關鍵技術工藝上取得突破性成果，創新推出了國產高端BSI工藝平臺。此次思特威攜手晶合集成推出的國產自研高端BSI平臺通過晶圓鍵合技術、晶圓減薄技術以及硅表面鈍化技術等三大關鍵工藝，可為當下智視應用提供一流的暗光成像性能。
