據中國臺灣地區經濟日報報道，聯電加速布局難度更高、經濟效益更好的 8 英寸晶圓第三代半導體制造領域，近期大舉購置新機臺擴產，預計下半年進駐廠區。臺媒指出，聯電此前的第三代半導體布局，主要通過轉投資聯穎切入，鎖定 6 英寸氮化鎵產品。供應鏈則透露，聯電近期擴大第三代半導體布局，自行購置蝕刻、薄膜新機臺，預計下半年將進駐8英寸AB廠，瞄準8英寸晶圓生產第三代半導體的經濟效益優于6英寸晶圓的方向。

 

業界分析，第三代半導體薄膜厚度比一般晶圓代工還厚，很容易導致晶圓彎曲，考慮到制程難度，目前業界發展第三代半導體多以 6 英寸為主。不過，6 英寸晶圓半徑是 5cm，8 寸晶圓半徑則是 10cm，所以 8 英寸相對 6 英寸，一片可以產出的芯片量會“多出很多”，在經濟效益較高的前提下，聯電切入 8 英寸第三代半導體領域。