據悉，近日，浙江大學杭州國際科創中心（以下簡稱“科創中心”）先進半導體研究院在首席科學家楊德仁院士的帶領下，利用全新的熔體法技術路線研制氧化鎵體塊單晶以及晶圓，目前已成功制備直徑2英寸（50.8 mm）的氧化鎵晶圓。

 

據浙大杭州科創中心消息顯示，使用新技術路線生長的氧化鎵晶圓有兩個顯著優勢，一是使用這種方法生長出的氧化鎵晶圓的晶面具有特異性，使得制作的功率器件具有較好的性能；二是由于采用了熔體法新路線，減少了貴金屬銥的使用，使得氧化鎵生長過程不僅更簡單可控，成本也更低，具有更大的產業化前景。