半導體產業網獲悉，近日，美國MOCVD設備廠商Veeco 宣布，中國臺灣半導體研究所（TSRI、Narlabs）已選擇Veeco的Propel? R&D metal Organic Chemical Vapor Deposition（MOCVD）設備，用于以氮化鎵（GaN）為基礎的功率和射頻器件相關的前沿開發和協作。
據官方介紹，Veeco的Propel? GaN MOCVD系統專為功率半導體和射頻應用設計，配置了一個單晶圓反應器平臺，能夠沉積高質量GaN膜，用于生產高效功率器件和射頻器件。
單晶圓反應器是基于Veeco的Turbo Disc?技術，包括Iso Flange?和Symm Heat?突破性技術，能夠幫助實現整個晶圓的均質層流及一致的溫度曲線，它是大批量生產和300mm功能以及研發應用的理想選擇。
