半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉，東部高科副會長Chang-sik Choi在最近舉行的韓國半導(dǎo)體顯示技術(shù)學(xué)會20周年紀(jì)念活動上表示，公司計劃在位于忠清北道的8英寸晶圓廠建設(shè)新一代功率半導(dǎo)體生產(chǎn)線，目標(biāo)是在2025年生產(chǎn)并向成品汽車供應(yīng)首款1200伏 SiC MOSFET。

 

據(jù)ETNews報道，東部高科目前正在測試和生產(chǎn)6英寸功率半導(dǎo)體，該項目被韓國工業(yè)通商資源部選為8英寸SiC MOSFET量產(chǎn)基地建設(shè)項目。Chang-sik Choi強調(diào)說：“生產(chǎn)日程有可能會提前。”“正在積累6英寸功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)技術(shù)。”