半導體產業網訊  據華爾街日報消息，三星電子周四宣布，公司已經開始大規模生產3納米芯片，是全球首家量產3納米芯片的公司。三星在官方聲明中表示，公司已經開始在其位于韓國的華城工廠大規模生產3納米半導體芯片。與前幾代使用FinFET的芯片不同，3納米芯片采用了新的 GAA（Gate All Around）晶體管架構，該架構大大改善了功率效率。與傳統的5納米芯片相比，第一代3納米芯片工藝可以降低45%的功耗，提高23%的性能，并減少16% 的面積。而第二代3納米芯片工藝則可以降低50%的功耗，提高30%的性能，面積減少35%。

 

雖然三星沒有透露其最新代工技術的客戶身份，但市場預計，三星本身和中國芯片設計公司上海磐矽半導體將是3納米芯片的首批客戶。