半導體產業網獲悉，近日，晶圓代工廠商紹興中芯集成電路制造股份有限公司（下稱“中芯集成”）科創板IPO申請獲上交所受理。
資料顯示，中芯集成不僅是國內知名的特色工藝晶圓代工企業，同時也是國內少數提供車規級IGBT芯片的晶圓代工企業之一，主要從事MEMS和功率器件等領域的晶圓代工及模組封測業務。其產品被廣泛應用于應用領域覆蓋智能電網、新能源汽車、風力發電、光伏儲能、消費電子、5G 通信、物聯網、家用電器等行業。
1中芯集成近220億加碼半導體項目
截至本招股說明書簽署日，中芯集成第一大股東為越城基金，持股比例為 22.70%，第二大股東中芯控股為中芯國際全資子公司，持股比例為19.57%。
根據招股說明書（申報稿）顯示，中芯集成本次擬向社會公開發行不超過16.92億股股份，計劃募集資金125億元，實際募集資金扣除發行費用后的凈額計劃投入MEMS和功率器件芯片制造及封裝測試生產基地技術改造項目、二期晶圓制造項目、以及補充流動資金。值得一提的是，上述項目的總投資額高達219.04億元。
其中，MEMS和功率器件芯片制造及封裝測試生產基地技術改造項目計劃投資總額65.64億元，擬使用募集資金投入15億元，將生產能力由月產4.25萬片晶圓擴充至月產10萬片晶圓。
二期晶圓制造項目計劃總投資達110億元，擬使用募集資金66.6億元，計劃建成一條硅基8英寸晶圓加工生產線，目前，該項目已經開工建設，計劃于2022年8月設備搬入，于2022年10月試生產，于2023年達產。項目建成后將新增月產7萬片產能。
2全球功率器件市場需求持續攀升
晶圓代工業務是中芯集成主營業務收入主要來源，擁有一座8英寸晶圓代工廠，數據顯示，2019年-2021年，其晶圓代工業務收入占主營業務收入的比例分別為92.11%、86.07%及92.09%。截至2021年12月，公司晶圓代工的月產能已達10萬片。
分產品來看，功率器件在中芯集成營收結構中扮演著重要作用，2019年至2021年，其功率器件的代工收入分別為1.77億元、3.94億元和14.47億元，占比分別為67.54%、54.30%和72.21%。
事實上，隨著5G、新能源汽車、以及工業和智能電網等領域的快速發展，以及在“碳中和”概念的提出，全球IGBT等功率器件市場需求持續攀升，此外，在新能源汽車的推動下，新能源汽車充電樁也隨之成為功率器件另一大增量。
據中國汽車充電基礎設施促進聯盟的統計，2016年至2021年，我國公共充電樁和專用充電樁的保有量由5.88萬個增長至114.70萬個，呈爆發式增長，同步帶動了核心零部件IGBT、MOSFET等功率器件的市場需求。
以IGBT為例，有數據顯示，2020年全球IGBT市場規模為54億美元，業界預測，2026年市場規模將達到84億美元，2020-2026年均復合增長率為7.6%。
3國內廠商加速破局
目前，英飛凌、安森美、德州儀器、意法半導體、安世半導體等國外企業占據了全球功率器件大部分市場。然而，華虹半導體、華潤微、時代電氣、比亞迪半導體等國內眾多廠商都開始搶抓市場機遇，紛紛布局。
其中，時代電氣和比亞迪半導體的經營模式以IDM為主，從芯片設計到電控系統均有所布局。
時代電氣建有8英寸IGBT產業化基地，IGBT二期芯片產線于2021年年底正式投產。其IGBT在軌交、電網領域批量交付，占有率國內第一。
比亞迪半導體作為新能源車規IGBT的主要廠商之一，主要以車規級半導體為核心，同步推動工業、家電、新能源、消費電子等領域的半導體業務發展。目前，其已經開始積極布局新一代IGBT技術。2021年12月，比亞迪半導體基于高密度Trench FS的IGBT 5.0技術已實現量產。
華潤微同樣以IDM模式為主，產品聚焦于功率半導體等領域，擁有多個功率器件自主品牌，主要產品包括以MOSFET、IGBT為代表的功率半導體產品和以光電傳感器、煙報傳感器、MEMS傳感器為主的智能傳感器以及MCU等。
2021年度，華潤微功率器件事業群銷售收入實現突破性增長，同比增長35%，其中，MOSFET產品銷售收入同比增長33%，IGBT產品銷售收入同比增長57%。與此同時，自主研發的平面型1200V SiC MOSFET進入風險量產階段，自主研發的第一代650V硅基氮化鎵D-mode器件樣品進入轉量產階段；自主研發的第一代650V硅基氮化鎵E-mode器件性能達標，器件封裝開發完成。
華虹半導體主要專注于嵌入式非易失性存儲器、功率器件、模擬及電源管理和邏輯及射頻等特色工藝制造平臺。目前，華虹半導體已與斯達半導體聯手實現了12英寸車規級IGBT的量產，并且相關產能還在持續擴張。
為加強其在晶圓代工領域特色工藝的市場地位，6月29日，華虹半導體還在港股公告，將向其子公司華虹無錫增資1.78億元。此外，據無錫高新區商務局近日透露，華虹半導體的另一子公司華虹宏力12英寸平臺累計出貨已達100萬片。
來源：全球半導體觀察
