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Micro LED"利刃"出鞘!國星光電推出新型MIP封裝器件方案

日期:2022-07-06 來源:半導體產業網閱讀:988
核心提示:半導體產業網訊:在國家政策的大力推進下,5G+4K/8K全面開啟了萬物互聯時代,給各行各業帶來了眾多機遇和挑戰。其中,Micro LED
半導體產業網訊:在國家政策的大力推進下,5G+4K/8K全面開啟了萬物互聯時代,給各行各業帶來了眾多機遇和挑戰。其中,Micro LED顯示技術也迎來了蓬勃的發展,但如何讓技術實現成果轉化,在市場上占有一席之地,關鍵還在于如何平衡產品性能與成本的關系。

LED超高清顯示時代機遇與挑戰并存
 
Micro LED憑借低能耗、高亮度、高對比度及高可靠性的特性,滿足了各種像素密度和各種尺寸顯示的需求,如AR/VR、智能手表、大屏電視等。隨著LED芯片面積不斷減小,單位面積晶圓利用率大幅提高,也意味著LED芯片成本不斷下降。
 
經對比,單片4寸晶圓可以生產約350K數量的0408(4mil*8mil)芯片,當芯片面積尺寸縮小至0204(2mil*4mil)時,同樣的晶圓面積下大約可產出1400K數量的芯片,這使得單個芯片成本下降60%以上。
 
 
Micro LED憑借多項優勢特點,正逐步展現其巨大應用潛力,成為最佳新型高清顯示方案,勢必為整個產業鏈帶來騰飛的東風。
 
作為LED封裝技術創新領跑者,國星光電不遺余力進行產品創新,依托成熟而強大的生產制造工藝體系,推出新型MIP封裝器件方案。
 
關于MIP新型封裝架構
 
MIP(Micro LED in Package)是一種基于Micro LED的新型封裝架構,其脫胎于久經歷練的王牌小間距顯示產品,可謂是Micro LED和分立器件的有機結合,也是國星光電將Micro LED產品快速切入新型顯示市場的一把利刃。基于扇出封裝技術思路,國星光電通過自主開發的巨量轉移方法,采用黑化基板與高光提取封裝路線構筑全新MIP器件,大幅提高器件光電性能,通過將引腳電極放大,使其匹配當前機臺設備。因此,除了前述成本優勢外,MIP還具有高亮度、低功耗、兼容性強、可混BIN提高顯示一致性等優點。
 
 
MIP封裝架構的實現流程
 
MIP顯示模組性能與應用優勢特點

01 高黑占比
 
一致性高,黑占比超99%
 
02 特殊光學設計
 
水平視角極大(≥174°)
 
03 兼容性強
 
兼容當前設備機臺,可完成測試分選、易檢測修復
 
04 應用性強
 
更易將Micro LED應用于終端市場
 
MIP顯示模組外觀圖
 
作為LED封裝龍頭,國星光電始終堅持創新驅動戰略,瞄準行業趨勢,深耕技術產品,強化內功修煉,遵循“量產一代、研發一代、儲備一代”的穩健的技術創新發展路線。如今,5G+4K/8K浪潮迭起,新型顯示極速發展。國星光電定將緊抓機遇,乘著“十四五”規劃和粵港澳大灣區騰飛發展,大力發展以Micro LED、Mini LED等為代表的新型顯示技術,為人們美好生活增添光彩。

(來源:國星光電)
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