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中國團隊開發出一體化Micro LED器件 目標是顯示和光學近場通信功能

日期:2022-07-07 閱讀:631
核心提示:近日,來自中國的一個研究團隊在期刊上報告了一種將微型二極管像素(LEDP, Micro-LED Pixels)和紅綠藍集成式超像素(RGBSP, RGB Su
近日,來自中國的一個研究團隊在期刊上報告了一種將微型二極管像素(μLEDP, Micro-LED Pixels)和紅綠藍集成式超像素(RGBSP, RGB Super-Pixels)集成在一起的一體化微型發光二極管器件。據研究人員介紹,該器件的開發目標是同時具有顯示和光學近場通信(ONFC, Optical Near-Field Communication)功能。
 
根據韓媒Semiconductor Today報道,“據我們所知,與其他基于多色、低電容、高寬帶LED器件的已發表結果相比,我們所設計的集成式μLEDP實現了最高的數據傳輸速率,”來自該研究團隊的人員說道,該團隊由來自南方科技大學、香港科技大學及香港科技大學深港協同創新研究院的人員組成。
 
研究人員制造的RGBSP器件尺寸為100μmx200μm。在測試中,研究人員實現了從暖白到冷白的很寬的色溫調節,據此他們看到了這種μLEDP在普通照明應用中的極大潛力。
 
如下圖1所示,研究人員通過金屬有機化學氣相沉積 (MOCVD) 技術在砷化鎵 (GaAs) 襯底上沉積了鋁鎵銦磷 (AlGaInP) 多量子阱(MQW)紅色超像素。然后,研究人員又進一步將該材料粘合到藍寶石基板上,并通過濕法蝕刻掉原來的襯底。
 
緊接著,研究人員結合二氧化硅(SiO2)硬掩模,使用電感耦合等離子體(ICP)蝕刻出該發光芯片的Mesa臺面。然后,他們在n-GaP層上方制作出芯片的陰極,該陰極由200nm的金/鍺/鎳 (Au/Ge/Ni)組成,相應地,研究人員在p-GaP層上制作了由200nm金/鋅 (Au/Zn) 組成的陽極。此外,該芯片還使用等離子增強型CVD工藝沉積了600nm的鈍化層。

圖1. (a-f) AlGaInP 紅色超像素(上)和 InGaN綠/藍超像素(下)在所提一體化μLEDP 器件中的制造工藝流程
 
同樣過程,研究人員使用MOCVD技術在藍寶石襯底上方沉積出綠色和藍色超像素。同樣地,這些芯片地Mesa臺面也是使用ICP工藝蝕刻形成的。這之后,研究人員在p-GaN接觸材料上沉積一層10nm厚的Ni/Au層作為電流擴展層(CSL,Current Spreading Layer)。為了保證兩層之間通過歐姆接觸方式接觸,這一層還需要做經受快速熱退火處理。正負電極由鈦/鋁/鈦/金(Ti/Al/Ti/Au)材料組成。
 
據介紹,上述μLEDP器件的組裝和封裝方法是:首先將焊料涂布到器件上,然后使用激光切割對晶圓進行分割。接著,研究人員將該RGBSP以50um間距和倒裝芯片鍵合方式轉移到一個具有共陽極設計地電路上。為了提高對比度,研究人員使用了黑色硅膠。該器件的最終尺寸為0.79mmx0.79mmx0.65mm,如圖2所示。
 
 
圖 2:(a) μLEDP內部封裝結構的3D透視圖;(b) 該轉移芯片的顯微圖像
 
經過測試,研究人員發現上述三種顏色子芯片器件對應10-4A/cm2 電流密度的電壓分別為1.44、2.00和2.33V。該三種顏色子芯片器件的峰值光功率分別為1.86/2.08/4.33mW,對應驅動電流分別為20/55/55mA。
 
該RGB子器件所發光的光譜峰值波長分別為640nm、515nm和463nm,對應半峰全寬 (FWHM)分別為23nm、38nm和28nm。這些測量結果對應的驅動電流分別為 30mA、55mA和55mA。
 
據測試,該RGB Micro-LED芯片組合的色域是NTSC標準的109%。除了顯示應用外,該器件還可以滿足相關色溫 (CCT) 介于2831.7K和10016.8K之間的任何智能照明需求——從暖白到中性白,再到冷白。
 
從通信角度看,該器件在注入電流分別為45mA、70mA和75mA時,研究人員測量得出的 onFC RGB帶寬分別為62MHz、58MHz和61MHz。據該團隊認為,這些值對于實際的 ONNFC系統來說已經足夠了。
 
研究人員評論說:“由于不同基板對子像素芯片轉移的限制,這項研究中RGBSP的調制帶寬仍有進一步提升的空間。該RGBSP的大小是根據對顯示和通信鏈路性能的考慮選擇的。”
 
研究人員使用偽隨機二進制序列測試了該器件的誤碼率(BER,Bit-Error Rate),結果顯示,在前向糾錯不超過3.8e-3前提下,該器件的數據傳輸速率分別高達220、170和195Mbits/s。在誤碼率為3. 10e-9時,數據速率分別為201/148/179Mb/s。
 
另外,研究人員還針對該器件建立了一個等效電路模型,以便研究人員在仿真過程中探索各種數據調制方案,例如不歸零(NRZ) 和4級脈沖幅度調制 (PAM-4)。目前,在這些模擬方案中,最大的數據傳輸速率分別可以達到0.3Gb/s和1.1Gb/s。

(來源:CINNO)

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