圖1  50 mm厚6英寸（150 mm）碳化硅單晶錠和襯底片

 

近日，浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院-乾晶半導體聯(lián)合實驗室和浙江大學硅材料國家重點實驗室在浙江省“尖兵計劃”等研發(fā)項目的資助下，成功生長出了厚度達到50 mm的6英寸碳化硅單晶（圖1），這在國內(nèi)尚屬首次報道。該重要進展意味著，碳化硅襯底成本有望大幅降低，半導體碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展或?qū)⒂瓉戆l(fā)展新契機。

 

碳化硅（SiC）單晶作為寬禁帶半導體材料，對高壓、高頻、高溫及高功率等半導體器件的發(fā)展至關(guān)重要。當前，碳化硅單晶的高成本是制約各種碳化硅半導體器件大規(guī)模應用和發(fā)展的主要因素。為了降低碳化硅單晶的成本，擴大其直徑和增加其厚度是行之有效的途徑。  

 

目前，國內(nèi)碳化硅單晶的直徑已經(jīng)普遍能達到6英寸，但其厚度通常在~20-30 mm之間，導致一個碳化硅晶錠切片所獲得的碳化硅襯底片的數(shù)量相當有限。

 

那么如何才能增加厚度？難點又在哪里？科研人員表示，增加碳化硅單晶厚度的主要挑戰(zhàn)在于其生長時厚度的增加及源粉的消耗對生長室內(nèi)部熱場的改變。針對挑戰(zhàn)，浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院-乾晶半導體聯(lián)合實驗室和浙江大學硅材料國家重點實驗室通過設(shè)計碳化硅單晶生長設(shè)備的新型熱場、發(fā)展碳化硅源粉的新技術(shù)、開發(fā)碳化硅單晶生長的新工藝，顯著提升了碳化硅單晶的生長速率，成功生長出了厚度達到50 mm的6英寸碳化硅單晶。

 

該厚度的實現(xiàn)，一方面節(jié)約了昂貴的碳化硅籽晶的用量，另一方面使一個碳化硅單晶錠切片所獲得的碳化硅襯底片數(shù)量能夠翻倍，所以能夠大幅降低碳化硅襯底的成本，有望有力推動半導體碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

 

厚度增加了，品質(zhì)能得到保證嗎？科研人員通過對生長的碳化硅單晶錠切片所得的碳化硅襯底片（圖1）進行分析，發(fā)現(xiàn)其晶型為4H，典型的（0004）晶面的X射線衍射峰的半高寬均值為18.47弧秒，總位錯為5048/cm-2（圖2）。以上結(jié)果均表明碳化硅單晶的晶體質(zhì)量達到了業(yè)界水平。

 

浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心一直致力于推進產(chǎn)學研深度融合，加深與企業(yè)合作，鏈接全球創(chuàng)新資源，開展高水平高質(zhì)量成果轉(zhuǎn)化，共建創(chuàng)新聯(lián)合體。目前，中心已與10余家企業(yè)共建創(chuàng)新聯(lián)合體，浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院-乾晶半導體聯(lián)合實驗室就是其中之一。

 

本次成果由浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院-乾晶半導體聯(lián)合實驗室和浙江大學硅材料國家重點實驗室共同完成，正是科技創(chuàng)新聯(lián)動產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的體現(xiàn)。面對產(chǎn)業(yè)高度關(guān)心的碳化硅單晶成本問題，研究團隊以碳化硅單晶厚度為關(guān)注點，充分整合浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院和浙江大學硅材料國家重點實驗室優(yōu)勢資源進行了合力攻關(guān)，并取得階段性成果，為半導體碳化硅技術(shù)的發(fā)展貢獻了力量。

 

(來源：浙大杭州科創(chuàng)中心)