2020 年 8 月，東芝利用這項新技術量產了第二代 SiC MOSFET ——1.2kV SiC MOSFET。這是一種將 SBD 嵌入 MOSFET 的結構，將其與 PN 二極管 并聯放置 ，能將可靠性提升 10 倍 。

 

雖然上述器件結構可以顯著提升可靠性，可它卻有著無法規避的缺點 —— 特定導通電阻和性能指標（Ron *Q gd）會增加，從而降低 MOSFET 的性能；此外，為了降低導通電阻，第二代 SiC MOSFET 必須增加芯片面積 ，而這也會帶來成本的增加。

 

因此，東芝加緊對該器件 結構進行完善，并據此研發了第三代 SiC MOSFET。優化電流擴散層結構，縮少單元尺寸。經實驗驗證，相比第二代 SiC MOSFET，東芝新的器件結構將特定導通電阻降低了 43% ，Ron *Qgd 降低了 80% ，開關損耗降低約 20%。

 

東芝最新公告表明，采用新器件結構技術的第三代 SiC MOSFET 將在 8 月量產 ，印證了東芝正在加緊布局 SiC 業務，并步入 IDM 模式 的正軌。

 

今年 Q1，東芝宣布將利用自身在半導體制造設備技術方面的優勢，在內部生產用于功率半導體的 碳化硅外延片 ；并且投資 55 億 用于功率器件擴產，包括建設 8 英寸 的碳化硅和氮化鎵生產線。

 

東芝表示，未來這種“外延設備 + 外延片 + 器件”的垂直整合模式 ，有利于他們搶占鐵路、海上風力發電、數據中心以及車載等市場。

 

(來源：愛集微)