金屬鹵化物鈣鈦礦是新一代的明星半導體材料，它具有吸收系數(shù)高、光學帶隙易于調(diào)節(jié)、電子空穴遷移率高、載流子擴散長度長、缺陷容忍度高等優(yōu)異的光電特性。這使得鈣鈦礦材料在太陽能電池、發(fā)光二極管、X射線探測器等領(lǐng)域都具有非常廣闊的應用前景。但是在之前的研究中，鈣鈦礦薄膜只能夠沉積在剛性平面襯底上，這遠遠無法滿足實際應用中的很多需求，例如在柔性可彎曲襯底上沉積薄膜以制備柔性器件，以及通過不同組分鈣鈦礦薄膜的圖案化實現(xiàn)白光發(fā)射和全彩顯示等。

基于此，肖正國教授課題組使用表面能很低的聚二甲基硅氧烷PDMS襯底進行鈣鈦礦薄膜和微納結(jié)構(gòu)的巨量轉(zhuǎn)移。在不改變鈣鈦礦薄膜的表面形貌、成分和光電性能的前提下，成功將鈣鈦礦薄膜轉(zhuǎn)移到柔性襯底上。在器件制備過程中，使用一層超薄的支化聚乙烯亞胺作為鈣鈦礦與傳輸層之間的化學結(jié)合層，能大大增強轉(zhuǎn)移器件界面處的電接觸。膜轉(zhuǎn)移方法制備的鈣鈦礦發(fā)光二極管具有與優(yōu)化的旋涂器件相同的外量子效率。另外，使用該方法還能夠制備分高辨率、大面積鈣鈦礦微納結(jié)構(gòu)。在此基礎(chǔ)上，通過將紅光鈣鈦礦條紋與天藍光鈣鈦礦條紋交替排列，成功制備出了白光鈣鈦礦發(fā)光二極管 。

 

這一成果提供了一種在多種襯底上制備鈣鈦礦薄膜或微納結(jié)構(gòu)的可行方法，用于實現(xiàn)全彩色顯示、白光鈣鈦礦發(fā)光二極管和激光器等實際應用。