半導體產業網訊：據湖北日報，東風公司旗下智新半導體已成功研制出基于第3代半導體碳化硅的功率模塊，能實現更低損耗、更高效率，承受更高溫度、更高電壓。搭載到整車上后，能進一步提升車輛續航里程，減少整車成本。

智新半導體已投產的IGBT模塊，能夠滿足車規級產品的高可靠性要求，比同類進口產品至少便宜10%以上。目前，智新半導體正啟動IGBT模塊二期項目建設方案，年產能將達到120萬只，預計2024年建成，不僅能滿足東風公司到2025年產銷100萬輛新能源汽車對IGBT模塊的需求，還能為其他車企供貨。