宏光半導體有限公司(“宏光半導體”，連同其附屬公司統稱“集團”；股份代號：6908.HK)欣然宣布，集團近期已開始生產其自家6英寸氮化鎵(“GaN”)功率器件外延片(“外延片”)。遠早于預期時間表成功制造外延片為集團快速產業化及量產第三代半導體鋪路，乃其轉型成為第三代半導體GaN供應商的重要成果，標志著集團邁向第三代半導體GaN商業化的里程碑。

憑藉在第三代半導體GaN制造方面的專業知識、強大科研技術團隊及研發能力，宏光半導體近年積極實現相關業務轉型。集團之技術團隊利用其豐富經驗，在短短三個月調試生產設備和技術，成功產出達至國際大廠的高良率標準之外延片，并陸續開始銷售。集團預期2023年第二季將開始芯片試產，于2024年初前開始投產。此外，集團亦已于今年下半年推出GaN相關之快速充電產品如快充充電器，宏光半導體對GaN相關產品制造及銷售的前景充滿信心。

近年，全球半導體產業的發展重大轉變，在外圍經濟環境不確定性增加的情況下，全產業鏈自主可控預計成為國產半導體產業未來的發展主線。中共二十大報告亦明確指出科技進步和專業人才對國家未來發展至關重要；報告意味著中央政府將在科技行業投放大量財政資源，預期內地將提升半導體科技的科研開支，加快實現高科技自立自強。除國家政策的大力支持外，香港政府未來亦會加大資源研發及制造第三代晶片，香港應用科技研究院建議增撥資源，推動國家半導體發展，可見半導體產業對于經濟發展的重要性。

第三代半導體外延片乃半導體產業鏈環節中的其中一個主要部分，為第三代半導體的半制成品，透過后續加工技術最終生產成為芯片；而是次外延片成功投產標志著宏光半導體朝著量產芯片的終極目標邁進一大步。第三代半導體及其外延片廣泛應用于光伏、儲能、風電、汽車電子、5G、物聯網等終端領域。高速增長和旺盛的市場需求使外延片生產設備的國產化率進一步提高，整個半導體外延片行業呈現高景氣度并有望延續。全球氮化鎵(GaN)外延片市場銷售額于2021年達到了4.2億美元，預計至2028年將達到15億美元，年復合增長率為21.2%(2022-2028)。伴隨著政府的利好政策驅動、廣泛的下游應用市場和國產替代機遇，集團繼續加快步伐研發及拓展第三代半導體業務及系統應用的設計和制造，未來冀實現國有替代技術突圍，矢志成為以半導體設計與制造為核心，集研發、制造、封測及銷售為一體的全產業鏈半導體整合設備生產模式企業。

集團管理層對其第三代半導體業務的發展充滿信心，認為GaN在新興應用領域如新能源汽車行業有巨大的優勢。目前，集團生產的外延片產品已正式投產，加上集團的技術團隊擁有高執行力以及豐富的量產經驗，相信其半導體芯片業務將逐漸步入收成期。早前，集團已與協鑫科技控股有限公司(股份代號：3800.HK)創辦人、主席兼執行董事朱共山先生正式簽定股份及認股權證認購協議，其后亦與朱共山先生及其家庭成員作為受益人之全權信托協鑫集團有限公司訂立戰略合作框架協議，雙方將于GaN功率芯片在新能源領域的應用開展密切合作，全速推展在GaN產業鏈上的布局。集團管理層相信半導體行業龐大的機遇和市場需求可望為集團帶來更多機遇，未來發展有望迎來增長期，長遠為股東予以最佳的回報。

（來源：格隆匯）