碳化硅作為一種寬禁帶功率器件，受到人們?cè)絹碓蕉嗟年P(guān)注。與硅相比，碳化硅的禁帶寬度更大，碳化硅器件擁有更低的漏電流及更高的工作溫度，抗輻照能力得到提升；碳化硅材料擊穿電場(chǎng)是硅的10倍，其器件可設(shè)計(jì)更高的摻雜濃度及更薄的外延厚度，與相同電壓等級(jí)的硅功率器件相比，導(dǎo)通電阻更低；碳化硅具有高電子飽和速度的特性，使器件可工作在更高的開關(guān)頻率；同時(shí)，碳化硅材料更高的熱導(dǎo)率也有助于提升系統(tǒng)的整體功率密度。碳化硅器件的高頻、高壓、耐高溫、開關(guān)速度快、損耗低等特性，使電力電子系統(tǒng)的效率和功率密度朝著更高的方向前進(jìn)。在新能源發(fā)電、電動(dòng)汽車等一些重要領(lǐng)域也展現(xiàn)出其巨大的應(yīng)用潛力。碳化硅器件與高功率應(yīng)用中常用的硅器件相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)，但碳化硅功率器件仍然面臨一些大規(guī)模生產(chǎn)的挑戰(zhàn)。
一年一度行業(yè)盛會(huì)，第八屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第十九屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA ）將于2023年2月7-10日（7日?qǐng)?bào)到）在蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店召開。作為IFWS 2022的重要分會(huì)之一，得到了勵(lì)德愛思唯爾信息技術(shù)（北京）有限公司、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、江蘇博睿光電股份有限公司、南京芯干線科技有限公司、蘇州博湃半導(dǎo)體技術(shù)有限公司的協(xié)辦支持。
目前碳化硅電力電子器件分會(huì)已經(jīng)確認(rèn)有來自：奧地利維也納工業(yè)大學(xué)微電子研究所、國(guó)網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院有限公司、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所、浙江大學(xué)、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、復(fù)旦大學(xué)、德國(guó)弗勞恩霍夫研究所、東南大學(xué)、江蘇博睿光電股份有限公司、西安電子科技大學(xué)、賀利氏電子、南京芯干線、中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所、武漢大學(xué)、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所等科研院校與代表企業(yè)的知名企業(yè)專家代表共同參與，將圍繞碳化硅功率電子器件技術(shù)分享主題報(bào)告。
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技術(shù)分論壇：碳化硅功率電子器件 Technical Sub-Forum: SiC Power Electronic Devices |
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時(shí)間：2023年2月9日13:30-18:05 地點(diǎn)：蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店 • K5-6 Time: Feb 9, 2023, 13:30-18:05 Location: Kempinski Hotel Suzhou • K5-6 |
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協(xié)辦支持/Co-organizer: 勵(lì)德愛思唯爾信息技術(shù)（北京）有限公司/Reed Elsevier Information Technology (Beijing) Co., Ltd. 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所/The 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司/NAURA Technology Group Co., Ltd 江蘇博睿光電股份有限公司/Jiangsu Bree Optronics Co., Ltd 南京芯干線科技有限公司/ Nanjing X-IPM Technology Co., Ltd. 蘇州博湃半導(dǎo)體技術(shù)有限公司/Suzhou Bopai Semiconductor Technology Co., Ltd. |
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屏幕尺寸 / Slides Size：16:9 |
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主持人 Moderator |
盛 況 / SHENG Kuang 浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授 Dean and Professor, School of Electrical Engineering, Zhejiang University 張清純 / Jon Zhang 復(fù)旦大學(xué)特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任 Distinguished Professor of Fudan University, Director of the Engineering Technology Research Center for SiC Power Devices |
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13:30-13:50 |
Physical Modeling of Charge Trapping Effects in SiC MOSFETs Tibor GRASSER——奧地利維也納工業(yè)大學(xué)微電子研究所所長(zhǎng)、教授 Tibor GRASSER——Professor and Head of the Institute for Microelectronics at Technische Universität Wien, Austria |
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13:50-14:10 |
6500V SiC MOSFET器件研制及電力電子變壓器工程應(yīng)用 Development of 6500V SiC MOSFET Devices and Engineering Application of Solid State Transformers 楊霏——國(guó)網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院有限公司教授級(jí)高工 YANG Fei——Professorate Senior Engineer of Global Energy Interconnection Research Institute, State Grid |
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14:10-14:30 |
SiC功率器件制造裝備技術(shù)及發(fā)展趨勢(shì) Technology and development trends of SiC power devices manufacturing equipment 鞏小亮——中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所、半導(dǎo)體裝備研究部主任 Xiaoliang GONG——Director of Semiconductor equipment research department, The 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation |
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14:30-14:50
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1200V SiC MOSFET抗輻射可靠性研究 Investigation of 1200V SiC MOSFET Radiation Ruggedness 任娜——浙江大學(xué)特聘副研究員 REN Na——Distinguished Associate Professor of Zhejiang University |
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14:50-15:10 |
等離子刻蝕技術(shù)在第三代化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用 Application of Plasma Etching Technology in the Third-generation Compound Semiconductor Field 謝秋實(shí)——北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 第一刻蝕事業(yè)部副總經(jīng)理 XIE Qiushi——Deputy General Manager of NAURA Technology Group Co., Ltd. |
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15:10-15:25 |
比電阻3.3毫歐.平方厘米的1200伏14毫歐SiC MOSFET 1200V 14mohm SiC MOSFET with Rsp,on of 3.3mohm.cm^2 雷光寅——復(fù)旦大學(xué)副研究員 LEI Guangyin——Associate Professor of Fudan University |
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15:25-15:40 |
茶歇 / Coffee Break |
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15:40-16:00 |
Packaging, Integration and fast switching in Power Electronics: what has been achieved and what´s next? Eckart HOENE——德國(guó)弗勞恩霍夫研究所研究員 Eckart HOENE——Research Fellow of Fraunhofer, Germany |
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16:00-16:20 |
電熱應(yīng)力下碳化硅功率MOSFET損傷的多尺度探測(cè)表征方法 Multi-scale Detection and Characterization of SiC Power MOSFET Damage under Electro-thermal Stress 劉斯揚(yáng)——東南大學(xué)教授 LIU Siyang——Professor of Southeast University |
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16:20-16:40 |
High Performance AlN Ceramic Substrate for Power Devices 梁超——江蘇博睿光電股份有限公司副總經(jīng)理 LIANG Chao——Deputy General Manager of Jiangsu Bree Optronics Co., Ltd |
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16:40-17:00 |
SiC等離子體波脈沖功率器件與應(yīng)用研究 Research on 4H-SiC Plasma Wave Pulsed Power Devices and its Applications 孫樂嘉——西安電子科技大學(xué)副教授 SUN Lejia——Associate Professor of Xidian University |
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17:00-17:20 |
GaN HEMT與SIC MOSFET在戶用儲(chǔ)能PCS方向應(yīng)用優(yōu)勢(shì) Advantages in household energy storage PCS using GaN HEMT and SiC MOSFET 孔令濤——南京芯干線科技有限公司總經(jīng)理 General Manager of All Rights Reserved Nanjing X-IPM Technology Co., Ltd. |
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17:20-17:35
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SiC功率器件高效無(wú)毒的界面改性 Efficient and non-toxic interface modification of SiC 鄭理——中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所副研究員 ZHENG Li——Associate Professor of Shanghai Institute of Microsystems and Information Technology, Chinese Academy of Sciences |
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17:35-17:55 |
Condura.ultraTM無(wú)銀AMB氮化硅基板---車規(guī)級(jí)功率模塊用高性價(jià)比解決方案 Condura.ultraTM silver free AMB --- cost-effective solution for automotive power module 張靖——賀利氏電子中國(guó)區(qū)研發(fā)總監(jiān) ZHANG Jing——Director of Innovation China, Heraeus Electronics |
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17:55-18:10 |
4H-SiC MOSFET中界面碳團(tuán)簇的形成和遷移率退化機(jī)理 Interfacial Carbon Cluster Formation and Mobility Degradation in 4H-SiC MOSFETs 張召富——武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院研究員 ZHANG Zhaofu——Professor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University |
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18:10-18:25 |
SiC MOSFET熱阻精確測(cè)量技術(shù)研究 Research on the technique of accurately measuring thermal resistance of SiC MOSFET 劉奧——中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所 LIU AO——Nanjing Electronics Research Institute |
（備注：會(huì)前或許微調(diào)，請(qǐng)以現(xiàn)場(chǎng)日程為準(zhǔn)。）
附件：
論壇信息
會(huì)議時(shí)間：2023年2月7日-10日（7日?qǐng)?bào)到）
會(huì)議地點(diǎn)：中國(guó) - 蘇州 - 蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店
程序委員會(huì)
主席：
張 榮——廈門大學(xué)黨委書記、教授
聯(lián)合主席：
劉 明——中科院院士、復(fù)旦大學(xué)芯片與系統(tǒng)前沿技術(shù)研究院院長(zhǎng)、中科院微電子研究所研究員
顧 瑛——中科院院士、解放軍總醫(yī)院教授
江風(fēng)益——中科院院士、南昌大學(xué)副校長(zhǎng)、教授
李晉閩——中國(guó)科學(xué)院特聘研究員
張國(guó)義——北京大學(xué)東莞光電研究院常務(wù)副院長(zhǎng)、教授
沈 波——北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授
唐景庭——中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所所長(zhǎng)
徐 科——江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長(zhǎng)、中科院蘇州納米所副所長(zhǎng)、研究員
邱宇峰——廈門大學(xué)講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原院長(zhǎng)
盛 況——浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授
張 波——電子科技大學(xué)教授
陳 敬——香港科技大學(xué)教授
徐現(xiàn)剛——山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長(zhǎng)、教授
吳偉東——加拿大多倫多大學(xué)教授
張國(guó)旗——荷蘭工程院院士、荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授
Victor Veliadis——PowerAmerica首席執(zhí)行官兼首席技術(shù)官、美國(guó)北卡羅萊納州立大學(xué)教授
主題論壇召集人（按姓氏拼音排列）：
F1-碳化硅功率電子材料與器件
主題分論壇主席：
盛 況——浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授
唐景庭——中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所所長(zhǎng)
a.碳化硅功率電子材料與器件
召集人：
盛 況——浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授
柏 松——中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所研究員
張清純——復(fù)旦大學(xué)上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任
邱宇峰——廈門大學(xué)講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原院長(zhǎng)
張玉明——西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院院長(zhǎng)、教授
王德君——大連理工大學(xué)教授
袁 俊——九峰山實(shí)驗(yàn)室功率器件負(fù)責(zé)人
b.芯片制造工藝及裝備
召集人：
唐景庭——中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所所長(zhǎng)
王志越——中電科裝備集團(tuán)有限公司首席技術(shù)官
杜志游——中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司高級(jí)副總裁
吳 軍——北方華創(chuàng)科技集團(tuán)股份有限公司副總裁，首席科學(xué)家
F2-氮化物半導(dǎo)體電子材料與器件
主題分論壇主席：
張 波——電子科技大學(xué)教授
吳偉東——加拿大多倫多大學(xué)教授
陳堂勝——中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所首席科學(xué)家
馮志紅——中電科第十三所首席科學(xué)家、專用集成電路國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任
a.氮化鎵功率電子材料與器件
召集人：
張 波——電子科技大學(xué)教授
吳偉東——加拿大多倫多大學(xué)教授
劉 揚(yáng)——中山大學(xué)教授
孫 錢——中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員
張進(jìn)成——西安電子科技大學(xué)副校長(zhǎng)、教授
吳毅鋒——珠海鎵未來科技有限公司總裁
梁輝南——潤(rùn)新微電子(大連)有限公司總經(jīng)理
王茂俊——北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院副教授
b.射頻電子材料與器件
召集人：
陳堂勝——中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所首席科學(xué)家
蔡樹軍——中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所所長(zhǎng)
張乃千——蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng)
張 韻——中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副所長(zhǎng)、研究員
敖金平——日本德島大學(xué)教授、江南大學(xué)教授
于洪宇——南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院院長(zhǎng)、教授
馮志紅——中電科第十三所首席科學(xué)家、專用集成電路國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任
劉建利——中興通訊股份有限公司無(wú)線射頻總工
F3-功率電子應(yīng)用
主題分論壇主席：
劉 勝——武漢大學(xué)動(dòng)力與機(jī)械學(xué)院院長(zhǎng)、教授
趙麗霞——天津工業(yè)大學(xué)電氣工程學(xué)院常務(wù)副院長(zhǎng)、教授
a.功率模塊封裝及可靠性
召集人：
劉 勝——武漢大學(xué)動(dòng)力與機(jī)械學(xué)院院長(zhǎng)、教授
趙麗霞——天津工業(yè)大學(xué)電氣工程學(xué)院常務(wù)副院長(zhǎng)、教授
李世瑋——香港科技大學(xué)教授
陸國(guó)權(quán)——美國(guó)弗吉尼亞大學(xué)教授
羅小兵——華中科技大學(xué)能源與動(dòng)力工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授
楊道國(guó)——桂林電子科技大學(xué)教授
王來利——西安交通大學(xué)教授
樊嘉杰——復(fù)旦大學(xué)青年研究員
姜 克——安世半導(dǎo)體全球研發(fā)副總裁、I&M事業(yè)部總經(jīng)理
F4-襯底材料與裝備
主題分論壇主席：
沈 波——北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授
徐現(xiàn)剛——山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長(zhǎng)、教授
陶緒堂——山東大學(xué)講席教授
唐景庭——中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所所長(zhǎng)
a.碳化硅襯底材料生長(zhǎng)與加工
召集人
徐現(xiàn)剛——山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長(zhǎng)、教授
陳小龍——中國(guó)科學(xué)院物理研究所功能晶體研究與應(yīng)用中心主任、研究員
孫國(guó)勝——中科院半導(dǎo)體研究所研究員
馮 淦——瀚天天成電子科技（廈門）有限公司總經(jīng)理
b.氮化物襯底材料生長(zhǎng)與同質(zhì)外延
召集人：
沈 波——北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授
徐 科——江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長(zhǎng)、中科院蘇州納米所副所長(zhǎng)、研究員
黎大兵——中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所研究員
畢文剛——江蘇第三代半導(dǎo)體研究院副院長(zhǎng)
楊 敏——江蘇南大光電材料股份有限公司首席技術(shù)官
c.超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件
召集人:
陶緒堂——山東大學(xué)講席教授
龍世兵——中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長(zhǎng)、教授
張進(jìn)成——西安電子科技大學(xué)副校長(zhǎng)、教授
單崇新——鄭州大學(xué)副校長(zhǎng)、教授
王新強(qiáng)——北京大學(xué)教授、北大東莞光電研究院院長(zhǎng)
王宏興——西安交通大學(xué)教授
葉建東——南京大學(xué)教授
劉玉懷——鄭州大學(xué)教授
韓根全——西安電子科技大學(xué)教授
d.生長(zhǎng)、加工裝備與量測(cè)設(shè)備
召集人：
唐景庭——中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所所長(zhǎng)
王志越——中電科裝備集團(tuán)有限公司首席技術(shù)官
杜志游——中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司高級(jí)副總裁
吳 軍——北方華創(chuàng)科技集團(tuán)股份有限公司副總裁，首席科學(xué)家
F5-半導(dǎo)體照明與光電融合技術(shù)
主題分論壇主席：
江風(fēng)益——中科院院士、南昌大學(xué)副校長(zhǎng)、教授
曾一平——中科院半導(dǎo)體所研究員
a.全光譜LED材料、芯片、封裝及可靠性
召集人：
江風(fēng)益——中科院院士、南昌大學(xué)副校長(zhǎng)、教授
劉國(guó)旭——北京易美新創(chuàng)科技有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼CTO
云 峰——西安交通大學(xué)教授
羅小兵——華中科技大學(xué)能源與動(dòng)力工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授
伊?xí)匝?mdash;—中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員
郭偉玲——北京工業(yè)大學(xué)教授
汪 萊——清華大學(xué)電子工程系副教授、信息光電子研究所所長(zhǎng)
汪煉成——中南大學(xué)教授
張建立——南昌大學(xué)研究員
b.半導(dǎo)體激光器
召集人：
曾一平——中科院半導(dǎo)體所研究員
張保平——廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副院長(zhǎng)、教授
莫慶偉——老鷹半導(dǎo)體副總裁、首席科學(xué)家
劉建平——中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員
惠 峰——云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)家、中科院半導(dǎo)體所研究員
F6-超越照明創(chuàng)新應(yīng)用
主題分論壇主席：
羅 明——浙江大學(xué)光電系教授
瞿 佳——溫州醫(yī)科大學(xué)附屬眼光醫(yī)院院長(zhǎng)、教授
顧 瑛——中科院院士、解放軍總醫(yī)院教授
遲 楠——復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授
楊其長(zhǎng)——國(guó)際歐亞科學(xué)院院士、中國(guó)農(nóng)業(yè)科學(xué)院都市農(nóng)業(yè)研究所副所長(zhǎng)、研究員
劉 鷹——浙江大學(xué)生物系統(tǒng)工程與食品科學(xué)學(xué)院院長(zhǎng)、教授
a.光品質(zhì)與光健康
召集人
羅 明——浙江大學(xué)光電系教授
瞿 佳——溫州醫(yī)科大學(xué)附屬眼光醫(yī)院院長(zhǎng)、教授
郝洛西——同濟(jì)大學(xué)建筑與城市規(guī)劃學(xué)院教授、國(guó)際照明學(xué)會(huì)（CIE）副主席
林燕丹——復(fù)旦大學(xué)教授
熊大曦——中國(guó)科學(xué)院蘇州生物醫(yī)學(xué)工程技術(shù)研究所研究員
牟同升——浙江大學(xué)教授
魏敏晨——香港理工大學(xué)副教授
蔡建奇——中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)化研究院視覺健康與安全防護(hù)實(shí)驗(yàn)室主任、研究員
劉 強(qiáng)——武漢大學(xué)顏色科學(xué)與圖像傳播研究所所長(zhǎng)、副教授
b.光醫(yī)療
召集人：
顧 瑛——中科院院士、解放軍總醫(yī)院教授
張鳳民——黑龍江省醫(yī)學(xué)科學(xué)院副院長(zhǎng)，哈爾濱醫(yī)科大學(xué)伍連德書院院長(zhǎng)、國(guó)家地方聯(lián)合工程研究中心主任
王彥青——復(fù)旦大學(xué)基礎(chǔ)醫(yī)學(xué)院教授
崔錦江——中科院蘇州醫(yī)工所光與健康研究中心副主任、研究員
蔡本志——哈爾濱醫(yī)科大學(xué)教授
董建飛——中國(guó)科學(xué)院蘇州生物醫(yī)學(xué)工程技術(shù)研究所研究員
陳德福——北京理工大學(xué)醫(yī)工融合研究院特聘副研究員
楊 華——中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員
c.光通信與傳感
召集人：
遲 楠——復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授
馬驍宇——中科院半導(dǎo)體研究所研究員
陳雄斌——中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員
田朋飛——復(fù)旦大學(xué)副研究員
李國(guó)強(qiáng)——華南理工大學(xué)教授
林維明——福州大學(xué)教授
房玉龍——中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所研究員
d.生物與農(nóng)業(yè)光照
召集人：
楊其長(zhǎng)——國(guó)際歐亞科學(xué)院院士、中國(guó)農(nóng)業(yè)科學(xué)院都市農(nóng)業(yè)研究所副所長(zhǎng)、研究員
唐國(guó)慶——中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟副理事長(zhǎng)、木林森執(zhí)行總經(jīng)理
劉 鷹——浙江大學(xué)生物系統(tǒng)工程與食品科學(xué)學(xué)院院長(zhǎng)、教授
泮進(jìn)明——浙江大學(xué)教授、杭州朗拓生物科技有限公司董事長(zhǎng)
賀冬仙——中國(guó)農(nóng)業(yè)大學(xué)教授
陳 凱——華普永明光電股份有限公司董事長(zhǎng)、總裁
華桂潮——四維生態(tài)董事長(zhǎng)
徐 虹——廈門通秮科技有限公司總經(jīng)理
劉厚誠(chéng)——華南農(nóng)業(yè)大學(xué)教授
李紹華——中科三安光生物產(chǎn)業(yè)研究院院長(zhǎng)
F7-新型顯示材料及應(yīng)用
主題分論壇主席：
嚴(yán) 群——福州大學(xué)教授
孫小衛(wèi)——南方科技大學(xué)電子與電氣工程系講席教授
畢 勇——中國(guó)科學(xué)院理化技術(shù)研究所研究員、激光應(yīng)用中心主任
a.Mini/Micro-LED顯示材料與裝備
召集人：
嚴(yán) 群——福州大學(xué)教授
王新強(qiáng)——北京大學(xué)東莞光電研究院院長(zhǎng)、北京大學(xué)教授
閆春輝——中民研究院常務(wù)副院長(zhǎng)、納微朗科技（深圳）有限公司董事長(zhǎng)
劉 斌——南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長(zhǎng)、教授
黃 凱——廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副院長(zhǎng)、教授
馬松林——TCL集團(tuán)工業(yè)研究院副院長(zhǎng)
劉國(guó)旭——北京易美新創(chuàng)科技有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼CTO
邱 云——京東方科技集團(tuán)股份有限公司技術(shù)企劃部副總監(jiān)
劉召軍——南方科技大學(xué)研究員
b.激光顯示三基色材料與器件
畢 勇——中國(guó)科學(xué)院理化技術(shù)研究所研究員、激光應(yīng)用中心主任
趙德剛——中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員
c.鈣鈦礦、量子點(diǎn)及柔性照明與顯示等
召集人：
孫小衛(wèi)——南方科技大學(xué)電子與電氣工程系講席教授
廖良生——蘇州大學(xué)教授
徐 征——北京交通大學(xué)教授
段 煉——清華大學(xué)教授
鐘海政——北京理工大學(xué)教授
F8-固態(tài)紫外材料與器件
主題分論壇主席：
康俊勇——廈門大學(xué)教授
王軍喜——中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、中科院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心主任
a.固態(tài)紫外發(fā)光材料與器件
b.紫外探測(cè)材料與器件
召集人：
康俊勇——廈門大學(xué)教授
王軍喜——中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、中科院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心主任
黎大兵——中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所研究員
陸 海——南京大學(xué)教授
陳長(zhǎng)清——華中科技大學(xué)教授
郭浩中——臺(tái)灣交通大學(xué)特聘教授
李曉航——沙特國(guó)王科技大學(xué)副教授
許福軍——北京大學(xué)物理學(xué)院副教授
日程安排
注冊(cè)權(quán)益收費(fèi)表
備注：
＊中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。
＊學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。
＊會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。
＊IFWS相關(guān)會(huì)議包括：開幕大會(huì)，碳化硅襯底材料生長(zhǎng)與加工,碳化硅功率電子材料與器件,氮化物襯底材料生長(zhǎng)與外延技術(shù),氮化鎵功率電子材料與器件,固態(tài)紫外材料與器件,化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù),Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù),射頻電子材料與器件,超寬禁帶及其他新型半導(dǎo)體材料與器件，閉幕大會(huì)。
＊SSLCHINA相關(guān)會(huì)議包括：開幕大會(huì)，氮化物襯底材料生長(zhǎng)與外延技術(shù)，固態(tài)紫外材料與器件，LED芯片、封裝與光通信，Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù)，生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)，教育照明與健康光環(huán)境，光醫(yī)療應(yīng)用技術(shù)，化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù),閉幕大會(huì)。
*產(chǎn)業(yè)峰會(huì)包括：生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會(huì)、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、功率模塊與電源應(yīng)用峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)、UV LED創(chuàng)新應(yīng)用、Mini/Micro-LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會(huì)。
＊若由于某些原因，您繳費(fèi)后無(wú)法參會(huì)，可辦理退款事宜，組委會(huì)將扣除一定的退款手續(xù)費(fèi)。
＊自助餐包含：2023年2月8日午餐、2月9日午餐+晚餐。
論壇線上注冊(cè)平臺(tái)
IFWS&SSLCHINA 2022在線注冊(cè)通道
*備注：請(qǐng)微信掃碼查看并注冊(cè)，注冊(cè)成功后可在個(gè)人中心查看電子票信息、申請(qǐng)發(fā)票、為他人報(bào)名、分享海報(bào)等等。
*防疫提醒：目前全國(guó)各地防疫政策逐漸放寬，目前進(jìn)/出蘇州不再查驗(yàn)核酸、健康碼，組委會(huì)提醒參會(huì)代表臨行前能做好自我健康檢測(cè)，體溫等無(wú)異常者，佩戴好口罩即可現(xiàn)場(chǎng)參會(huì)。
即日起至2023年2月1日之前，完成注冊(cè)繳費(fèi)即可享受折扣票（詳見上圖），中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。
