納微半導體的高功率旗艦——第四代GaNSafe產品家族，集成了控制、驅動、感測以及關鍵的保護功能，使其在高功率應用中具備了前所未有的可靠性和魯棒性。作為全球氮化鎵功率芯片的安全巔峰，GaNSafe具有短路保護（最大延遲350ns）、所有引腳均有2kV HBM ESD保護、消除負柵極驅動并具備可編程的斜率控制。所有這些功能都可通過芯片4個引腳實現，使得封裝可以像一個離散的氮化鎵FET一樣被處理，不需要額外的VCC引腳。

汽車電子委員會（AEC）制定的包括AEC-Q100和AEC-Q101在內的主流認證標準，分別針對汽車應用中使用的封裝芯片和分立器件，進行基于失效機制的應力測試。納微的GaNSafe™產品系列已通過這兩項標準的認證，以確保納微的分立功率氮化鎵晶體管和集成的功率控制保護電路解決方案都能滿足這些嚴格的規范要求。

為了支撐這一認證，納微半導體編制了一份全面的可靠性報告，該報告分析了超過7年的生產和實際應用數據。報告展示了公司的業績記錄，以及產品在魯棒性和可靠性方面的迭代和系列改進，確認了氮化鎵功率芯片具備極高的可靠性并且非常適用于汽車領域。這份可靠性報告可供符合資質的客戶查閱。

納微最新的氮化鎵（GaN）可靠性報告顯示，過去七年產量持續攀升，已累計出貨超過2.5億顆，同時將現場失效率降至極具競爭力的十億分之100（ppb)。

2025 年 3 月，納微還推出了全球首款量產的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片和與之配備的IsoFast驅動器，引發了電力電子領域的范式轉變，使得從兩級拓撲結構向單級拓撲結構的轉變成為可能，從而進一步提高AC-DC和AC-AC轉換的效率、功率密度和性能。這將使下一代單級車載充電器能夠以更高效、超緊湊的解決方案實現雙向充電，并省去體積龐大的電容器和輸入電感器。

一家領先的電動汽車及光伏微逆制造商已開始采用單級BDS變換器以提升其系統效率、縮小尺寸并降低成本。搭載GaNFast™的單級變換器可實現高達10%的降本、20%的節能以及50%的體積縮減。