5月18日，上海新微半導體有限公司（簡稱“新微半導體”或“公司”）宣布，基于硅基氮化鎵（GaN-on-Si）6吋/150mm晶圓的40V增強型（p-GaN）功率器件工藝平臺開發完成，正式發布量產。該工藝平臺采用業界領先的無金工藝和集成電路互聯，支持Through-GaN-Via(TGV)和Circuit-Under-Pad(CUP)，相比傳統的硅基功率芯片，具有更低的導通電阻、更快的開關速度和更小的尺寸。

基于該工藝平臺生產的功率器件憑借低導通電阻和高可靠性等眾多優勢，為低壓功率轉換場景提供更小物理尺寸、更輕重量和更節能的解決方案。憑借這些優秀的特征，該工藝平臺可為終端應用市場提供具有卓越品質、更小面積和更低成本的功率產品，可廣泛用于手機、平板電腦和筆記本電腦等終端領域。

40 V氮化鎵功率器件截面示意圖

新微半導體40V氮化鎵功率器件工藝平臺擁有較大的工藝窗口，并具有良好的一致性和穩定性的工藝保障。其采用的無金工藝，RC<0.4 Ω·mm；柵極采用自對準工藝，使得柵極形貌良好，且最小線寬低至0.5?m。同時還采用了（接觸孔鎢）鎢栓、晶圓表面全局平坦化（CMP）等集成電路互聯工藝，并支持Circuit-Under-Pad。其優良性能獲得客戶的高度認可，已成功導入多家客戶設計。

基于該工藝制備的器件典型參數

基于該工藝制備的器件局部圖

新微半導體還擁有自己的功率外延技術。該技術采用了業界廣泛應用的硅基氮化鎵異質外延以降低成本。由于氮化鎵和硅具有較大的晶格失配以及熱膨脹系數的差異，因此高品質的6吋硅基氮化鎵外延極具挑戰。新微半導體外延技術團隊通過應力調控、有源層設計等技術，針對多種不同應用場景開發出高質量6吋硅基氮化鎵外延工藝，實現了低缺陷密度的硅基氮化鎵外延，可滿足高、低壓多種功率器件應用。

6吋硅基氮化鎵功率外延結構示意圖及外延層厚度map圖

開局即沖刺，新微半導體氮化鎵功率器件工藝平臺跑出加速度。新微半導體將陸續推出100V、150V和650V等中、高壓功率器件量產工藝，憑借高效、高頻和高可靠性等卓越特征，助力廣大客戶在消費類、工業、通信等多個應用領域中大放異彩。敬請期待。

上海新微半導體有限公司（簡稱“新微半導體”）成立于2020年初，位于上海市臨港新片區，一期建筑面積60,000平方米，專注于射頻、光電和功率三大化合物半導體的晶圓代工服務，產品廣泛應用于通訊、新能源、消費電子、汽車、工業和生物醫療等眾多終端應用領域。同時，還為客戶提供設計支持與晶圓/芯片測試等增值服務，縮短客戶產品進入市場的時間，為客戶創造更多商業價值。