當前，寬禁帶半導體材料如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等在射頻器件領域的應用越來越廣泛，技術也在不斷提升，在高頻射頻應用，功率放大器和功率調節器等方面取得了重要進展。除了碳化硅和氮化鎵，新的寬禁帶材料也在不斷被開發，如氮化鋁鎵（AlGaN）、氮化鋁銦鎵（InAlGaN）等，以拓展射頻和功率應用的領域。

2023年7月26日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安開幕。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業網（www.ofran.cn）、第三代半導體產業主辦，西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟人才發展委員會、全國半導體應用產教融合（東莞）職業教育集團聯合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協辦。

開幕大會上，西安電子科技大學副校長、教授張進成做了題為“寬禁帶半導體射頻和功率器件技術新進展”的主題報告，報告認為，寬禁帶半導體電子器件是后摩爾時代的關鍵新領域新賽道，2030年前寬禁帶半導體技術仍加速演進階段。大功率射頻器件、高速高效功率器件是革命性的半導體技術，在寬禁帶半導體新賽道，射頻和功率半導體有追趕趕超的機遇。報告分析了當前GaN器件技術面臨的材料設計與缺陷抑制、高密度電子調控難、硅基GaN射頻損耗大、高性能增強型GaN器件等挑戰與技術路線發展方向，并分享了低缺陷GaN基電子材料生長方法、高性能GaN基HEMT射頻器件、高性能GaN基射頻二極管、高性能增強型GaN電力電子器件等重大突破。報告指出，寬禁帶半導體射頻與功率器件發展呈現出追求更高功率密度，更高頻率、更高效率，更大帶寬，更高電壓和功率優值，龍頭企業深度參與，更好的設備和材料創新驅動的趨勢。

嘉賓簡介

張進成，西安電子科技大學副校長、教授、寬禁帶半導體器件與集成電路國家工程研究中心副主任、寬帶半導體技術國家級重點實驗室副主任，曾擔任ICNS、DRIP、APWS等國際學術會議電子器件分會主席，微電子學院副院長，科學研究院院長。主要研究領域為寬禁帶與超寬禁帶半導體材料與器件，發表SCI論文300余篇，出版專著3部，授權發明專利80余項，成果6次被國際著名雜志Semiconductor Today專題報道。獲得國家技術發明二等獎2項（排名第一和第二），省部級科技一等獎4項以及國家教學成果一等獎1項。1998年起師從中國科學院院士郝躍教授，從事寬禁帶半導體電子材料與器件研究，是我國乃至國際上最早開展寬禁帶（第三代）半導體電子器件與材料研究的知名學者之一。

CASICON 系列活動簡介

 “先進半導體產業大會（CASICON）” 由【極智半導體產業網】主辦，每年在全國巡回舉辦的行業綜合活動。活動聚焦先進半導體產業發展熱點，聚合產業相關各方訴求，通過“主題會議+項目路演+展覽”的形式，促進參與各方交流合作，積極推動產業發展。CASICON 系列活動將以助力第三代半導體產業為己任，持續輸出高質量的活動內容，搭建更好的交流平臺，為產業發展貢獻應盡的力量。