近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業網（www.ofran.cn）、第三代半導體產業主辦，西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟人才發展委員會、全國半導體應用產教融合（東莞）職業教育集團聯合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協辦。
期間，“平行論壇1：功率半導體器件設計及集成應用”上，江蘇芯港半導體有限公司總經理程斌帶來“藍寶石基GaN材料及功率器件進展”的主題報告，
GaN基HEMTs因其在高壓、大功率、高溫等領域的應用前景而備受關注。由于GaN的寬禁帶和高擊穿場強，Gan基器件可以提供更快的開關速度、更低的損耗和更高的擊穿電壓。由于昂貴的氮化物單晶襯底，商用GaN基器件通常生長在藍寶石、SiC或Si襯底上。
芯港半導體專業從事藍寶石基氮化鎵功率器件的企業，掌握大尺寸高質量高耐壓的藍寶石基氮化鎵外延技術。報告中分享了藍寶石基GaN外延及芯片技術研究進展。其中，報告指出功率器件應用的藍寶石基氮化鎵外延技術，技術團隊通過理論計算并結合多年在藍寶石襯底上的生長經驗，研制出4/6 inch高質量藍寶石基GaN HEMT外延技術。6 inch 藍寶石基GaN 非接觸式HALL測試方塊電阻均值314，STD 為0.92% 。藍寶石基氮化鎵增強型器件關鍵技術，優異的材料質量結合終端的電場管理技術，氮化鎵增強型器件擊穿電壓達到2300V，柵漏間最高平均擊穿場強大于1.5MV/cm。
據介紹，芯港半導體是國內專業從事藍寶石基氮化鎵功率器件的企業，掌握大尺寸高質量高耐壓的藍寶石基氮化鎵外延技術。其開發的藍寶石基GaN外延材料，XRD 搖擺曲線（002）/（102）半高寬分別達到60 /120 arcsec；3um 緩沖層的外延材料ISO 擊穿電壓超過3000V，為1200V-1700V量級器件打下基礎。產品方面主要包含耗盡型器件和增強型器件兩大類，耗盡型器件采用耐高壓的介質柵，大幅降低柵界面態，實現良好的開關特性及可靠性；增強型器件采用PGaN帽層摻雜調控技術，柵擊穿電壓達到16V。公司所推出的650V增強型和耗盡型器件（導通電阻200mΩ，400 mΩ，800 mΩ，1600 mΩ）具有良好的動態導通電阻，并順利通過客戶各項驗證。
CASICON 系列活動簡介
“先進半導體產業大會（CASICON）” 由【極智半導體產業網】主辦，每年在全國巡回舉辦的行業綜合活動。活動聚焦先進半導體產業發展熱點，聚合產業相關各方訴求，通過“主題會議+項目路演+展覽”的形式，促進參與各方交流合作，積極推動產業發展。CASICON 系列活動將以助力第三代半導體產業為己任，聯合實力資源，持續輸出高質量的活動內容，搭建更好的交流平臺，為產業發展貢獻應盡的力量。
（備注：以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考！）
