近日，由南京市人民政府、中國電子科技集團有限公司指導、國家第三代半導體技術創新中心主辦的第三代半導體產業創新發展大會在江寧開發區舉行。

 

會上，多個超百億元產業項目簽約，國家第三代半導體技術創新中心（南京）集中發布重大科技攻關成果，同時宣布一期項目竣工投產。

 

此次集中簽約的項目，形成了從裝備到材料、芯片、模組、封裝檢測及下游應用的產業鏈布局，包括三晶第三代半導體精密裝備及材料產業化項目等。

 

會上，國家第三代半導體技術創新中心（南京）平臺成果發布，涉及SiC MOSFET、功率模塊等關鍵技術。據悉，該中心將攻堅“新能源汽車用高電流密度高可靠碳化硅MOSFET產品”和“面向智能電網和高鐵應用的高壓大功率碳化硅電力電子器件”兩大產品方向，從碳化硅電力電子的基礎理論、材料生長、器件制備、系統應用等四個方面，聯合生態伙伴共同攻關。

 

當前，國家第三代半導體技術創新中心（南京）一期項目已經竣工投產，隨著一期項目投運，二期項目的建設也排上日程，媒體報道二期項目將于2024年開建，規劃年產20萬片8英寸圓片。