功率半導體器件廣泛應用于我國電力裝備、航空航天等戰略性科技領域，成為關系國家安全、國計民生與產業命脈的關鍵基礎支撐。過去幾十年里，半導體技術快速發展，芯片特性顯著提升。大功率半導體器件是由多顆半導體裸芯片通過封裝集成而形成，面臨著封裝特性提升較慢，無法匹配芯片特性等挑戰。
近日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于廈門召開。期間，“碳化功率器件及其封裝技術”分會上，西安交通大學紹興市通越寬禁帶半導體研究院院長、教授王來利做了“碳化硅功率半導體多芯片封裝技術”的主題報告，分享了最新研究進展。
研究提出了磁耦合精確調控多芯片并聯電熱均衡方法，提出了控制磁場耦合度的多芯片電熱應力調控方法，解決了多芯片不均衡性電熱應力調控難題，為提高寬禁帶器件容量與可靠性建立了基礎。首次獲得了碳化硅半導體在550℃高溫的動靜態特性，掌握了碳化硅極寬溫度范圍內關鍵特征參數變化規律，并基于高溫器件實現了環境溫度265℃的高溫變換器。
嘉賓簡介
王來利，教授、博導，西安交通大學工業自動化系黨支部書記、主任，西安交通大學紹興市通越寬禁帶半導體研究院院長，國家杰出青年科學基金獲得者，入選國家高層次人才引進計劃青年項目，陜西省高層次人才引進計劃創新人才長期項目，陜西科技創新團隊（帶頭人），小米青年學者，主要研究寬禁帶半導體芯片、封裝集成與電力電子變換器，承擔國家級項目8項，其中重點項目3項，在重要期刊與國際會議上發表論文240余篇，獲得本領域權威期刊與重要國際會議最佳/優秀論文獎10項，獲得中國電工技術學會技術發明一等獎（第1完成人）、中國電源學會科技進步一等獎（第1完成人）、日內瓦國際發明金獎（第1完成人）、 陜西自然科學二等獎（第1完成人）、陜西省高等學校科學技術一等獎（第1完成人）、中國電源學會杰出青年獎、中國電工技術學會青年科技獎、中國電力優秀青年科技人才獎、陜西省青年科技獎、陜西省三秦青年科技創新之星等獎項，成果入選了2022年中國科協“科創中國”先導技術榜-電子信息領域。在8個國際國內學術組織分支機構擔任主席（主任）、副主席（副主任）職務，在3個電力電子領域權威期刊擔任副主編；組織國際國內重要會議10次，受邀在會議中做報告18次。
