3月8日，據日媒報道，大阪大學、豐田合成和松下控股公司松下高清三方合作的GaN襯底開發項目取得了新進展，已成功制備高質量6英寸GaN襯底。

據介紹，豐田合成借助了大阪大學新開發的技術成功制備缺陷密度為104/ cm2的6英寸GaN襯底，該技術結合了Na助焊劑法和多點晶種法，兼具高質量及易擴徑的優點。此外，以該技術為基礎，他們已開發了兼容8英寸或更大尺寸的晶體生長設備，用于未來進一步開發大尺寸襯底。

但是，在使用該技術制備GaN襯底時，一個晶體生長大約需要一個月的時間，并不適用于大規模生產。因此豐田合成等正在建立一種高產的大規模生產技術，將結合其他晶體生長技術提升生產力。