國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司申請一項(xiàng)名為“功率器件”的專利，公開號CN 118919575 A，申請日期為2024年9月。

專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種功率器件，例如包括：半導(dǎo)體基底，具有有源區(qū)和位于有源區(qū)外側(cè)的外圍區(qū)域；場氧層，設(shè)置在半導(dǎo)體基底上并暴露出有源區(qū)；電極層，設(shè)置在有源區(qū)并與半導(dǎo)體基底形成電接觸、且從有源區(qū)朝向外圍區(qū)域延伸至場氧層的背離半導(dǎo)體基底的一側(cè)以與場氧層部分重疊；以及鈍化層，設(shè)置在場氧層上、并從外圍區(qū)域朝向有源區(qū)延伸至覆蓋電極層且暴露出至少部分電極層的背離半導(dǎo)體基底的頂表面。場氧層上設(shè)置有未貫穿場氧層的凹槽，鈍化層填充入凹槽內(nèi)。通過在場氧層上設(shè)置未貫穿的凹槽、并使鈍化層填充入凹槽內(nèi)，其可以提高鈍化層在外圍區(qū)域的附著力，減少器件鈍化層分層的風(fēng)險；再者，由于凹槽處保留了一部分場氧，這樣也保留對基底表面的保護(hù)作用。