半導體產業(yè)網獲悉：據“ 鎵仁半導體”公號消息，2024年10月，杭州鎵仁半導體有限公司在氧化鎵晶體的直拉法生長與電學性能調控方面實現技術突破，成功生長出2英寸N型氧化鎵單晶并制備出2英寸晶圓級N型(010)晶面氧化鎵單晶襯底。襯底平均電阻率＜30mΩ·cm，電阻率均勻性＜5%，標志著公司在超寬禁帶半導體材料領域邁出了堅實的一步。

2英寸N型氧化鎵單晶晶錠與晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底

鎵仁半導體一直致力于直拉法氧化鎵晶體生長技術的研發(fā)，于今年相繼完成2英寸UID和半絕緣直拉晶體的技術突破，并成功解決了（010）晶面襯底加工技術難題，成為國際上首個也是目前唯一的2英寸（010）晶面襯底產品供應商。（詳情可點擊新聞查閱）。在2英寸UID和半絕緣直拉法晶錠的中試階段，鎵仁半導體通過工藝革新，提高放肩和等徑生長的穩(wěn)定性，于近期實現一次成晶的技術，從而克服Sn摻高揮發(fā)的缺陷，成功制備出導電型氧化鎵單晶。

在氧化鎵單晶襯底的主流晶面中，（010）晶面因其卓越的物理特性和外延表現而備受青睞。（010）晶面熱導率最高，有利于提升功率器件性能；（010）晶面外延容許生長速率最快，符合產業(yè)化需求；且基于（010）晶面制備的器件性能相較于其它晶面更為優(yōu)異。但受限于襯底尺寸、性能及加工難度，無法在科研和產業(yè)中得到充分應用。

目前鎵仁半導體制備的導電型襯底，突破了（010）晶圓尺寸的桎梏，豐富了公司的襯底產品線，夯實了氧化鎵外延和器件的科研基礎，也滿足了氧化鎵產業(yè)發(fā)展的迫切需求。

杭州鎵仁半導體致力于解決國家重大需求，將持續(xù)深耕氧化鎵上游產業(yè)鏈的創(chuàng)新，為我國電力電子等產業(yè)的發(fā)展提供堅實的產品保障。公司此次技術突破，不僅推動了氧化鎵材料的商業(yè)化進程，也為全球半導體產業(yè)的發(fā)展貢獻了中國力量。

杭州鎵仁半導體有限公司成立于2022年9月，是一家專注于氧化鎵等寬禁帶半導體材料研發(fā)、生產和銷售的科技型企業(yè)。公司開創(chuàng)了氧化鎵單晶生長新技術，擁有國際、國內發(fā)明專利十余項，突破了美國、日本等西方國家在氧化鎵襯底材料上的壟斷和封鎖。鎵仁半導體立足于解決國家重大需求，將深耕于氧化鎵上游產業(yè)鏈的持續(xù)創(chuàng)新，努力為我國的電力電子等產業(yè)的發(fā)展提供產品保障。