國家知識產權局信息顯示，上海積塔半導體有限公司申請一項名為“碳化硅晶體管結構及其制備方法”的專利，公開號CN 119133236 A，申請日期為2024年8月。

專利摘要顯示，本申請提供一種碳化硅晶體管結構及其制備方法。所述方法包括：形成一碳化硅襯底，所述碳化硅襯底內形成有阱區，所述阱區內形成有第一摻雜區；于所述第一摻雜區中形成凹槽并執行離子注入形成延伸至所述阱區內的第二摻雜區；于所述碳化硅襯底頂面形成柵極結構以及完全包覆所述柵極結構的柵介質層；以及形成貫穿所述柵介質層并至少部分暴露所述第二摻雜區的接觸孔，并于所述接觸孔內形成與所述第二摻雜區相接觸的金屬硅化物層。本申請通過對形成于阱區內的第一摻雜區進行刻蝕形成凹槽，進而在凹槽處形成延伸至阱區內的第二摻雜區，可以降低第一摻雜區的區域壓降，從而達到有效降低器件VFSD的目的。