天眼查顯示，江蘇捷捷微電子股份有限公司“一種縱向變摻雜的IGBT結構及制備方法”專利公布，申請公布日為2024年11月15日，申請公布號為CN118969825A。

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種縱向變摻雜的IGBT結構及制備方法。它包括第一導電類型的半導體襯底。所述半導體襯底的正面有元胞區。其特點是，所述半導體襯底的背面與集電極結構間有過渡區。所述過渡區包括依次覆蓋在半導體襯底背面的電場緩變層和場截止層，所述集電極結構覆蓋在場截止層的背面。所述電場緩變層為第一導電類型的變摻雜層，所述場截止層為第一導電類型的重摻雜層。采用該IGBT結構可避免后續電場抬高導致的器件失效的情況。