貝塔相氧化鎵（β-Ga₂O₃）作為超寬帶隙半導體在高壓功率器件、日盲和輻射探測等方面具有重要的應用前景。對于高壓功率器件和粒子輻射探測器常常需要生長10μm以上的大厚膜外延層。在大厚度外延時需要保持一定的生長速度以提高生長效率。 

2025年2月26-28日，”2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”將在重慶山城國際會議中心舉辦。本次論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）與三安光電股份有限公司共同主辦，極智半導體產業網（www.ofran.cn）、第三代半導體產業、重慶三安半導體有限責任公司、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦，重慶郵電大學、重慶大學、湖南三安半導體有限責任公司等單位協辦。     

大連理工大學副教授張赫之受邀將出席論壇，并帶來《氧化鎵外延生長中擴展缺陷形成機制及其對功率器件影響》的主題報告，分享相關研究成果與進展，涉及β-Ga₂O₃厚膜外延中缺陷擴展的研究等內容，報告詳情，敬請關注！ 

嘉賓簡介

張赫之

大連理工大學副教授

張赫之，于法國巴黎十一大學獲得博士學位，師從Maria Tchernycheva研究員。2016年8月，加入瑞士聯邦理工大學(EPFL)，在寬禁帶半導體領域研究專家Nicolas Grandjean教授研究組從事博士后研究員。現任大連理工大學集成電路學院副教授，主要事第三代寬禁帶半導體器件的研究。工作成果多次發表在ACS applied material andinterface, Applied physics letter, Nanotechnology等高水平期刊上。 

“先進半導體產業大會（CASICON）”

“先進半導體產業大會（CASICON）”是由極智半導體產業網主辦，每年在全國巡回舉辦的行業綜合活動。CASICON 系列活動以助力第三代半導體產業為己任，聚焦先進半導體產業發展熱點，聚合產業相關各方訴求，持續輸出高質量的活動內容。自活動啟動以來，足跡已走過南京、長沙、西安、深圳、成都、濟南、上海等城市，圍繞產業鏈不同環節熱點，通過“主題會議+推薦展示”的形式，搭建了良好的交流平臺，促進了參與各方交流合作，捕捉合作新機遇，發揮了重要的橋梁與聚合價值。

目前論壇組織正有序進行中，論壇誠邀全產業鏈相關專家學者、企業、從業人士蒞臨現場交流研討、參觀&合作。日程安排及專家、報告人詳見下圖!