從蘭州大學獲悉，該校物理科學與技術學院聯合中國科學技術大學組成的研究團隊，在寬禁帶半導體光電探測領域取得重要進展，成功開發(fā)出一種同時具備超快、高靈敏響應的氧化鎵日盲光電探測器，有效破解了長期困擾該領域的響應度和速度兩難的困境（RS困境）。相關研究成果發(fā)表在國際學術期刊《先進材料》上。

日盲光電探測器在火焰預警、安全通信、快速目標成像和環(huán)境監(jiān)測等領域發(fā)揮著重要作用。氧化鎵作為一種超寬禁帶材料，因其優(yōu)異的耐高溫、抗輻照特性，被視為下一代高性能日盲光電探測器的理想候選材料。

然而，氧化鎵光電探測器普遍面臨RS困境。針對這一難題，研究團隊創(chuàng)新性地提出一種熱脈沖技術，通過精準、快速調控氧化鎵薄膜中的溫度分布，形成垂直分層的晶體結構和氧空位分布，有效優(yōu)化了載流子的生成與傳輸路徑——表面富氧空位層提升載流子生成，底層致密區(qū)加速傳輸。

基于該技術制備而成的高性能氧化鎵日盲光電探測器芯片，在日盲成像、光軌跡跟蹤和日盲功率計等應用中表現出色。

 （來源：科技日報）