與功率MOS場效應晶體管相比，驅動氮化鎵功率晶體管存在諸多困難，這些困難包括閾值電壓低、最大柵極電壓和額定柵極電壓之間的公差狹小、高轉換速率帶來的電流變化率和電壓變化率問題。現有的氮化鎵驅動集成電路需要外部電阻器設定上拉速度和下拉速度，這將導致印刷電路板空間和額外寄生效應的增加?，F有的氮化鎵驅動集成電路的其他缺陷諸如固定的輸出電壓、無精確定時控制能力等也限制了其應用。加拿大多倫多大學教授吳偉東分享了