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荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授Braham FERREIRA：寬禁帶功率半導(dǎo)體國際技術(shù)路線圖

荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授Braham FERREIRA：寬禁帶功率半導(dǎo)體國際技術(shù)路線圖

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臺灣科技大學(xué)Hung-Wei CHEN：照明光對人體晝夜節(jié)律影響之研究

臺灣科技大學(xué)Hung-Wei CHEN：照明光對人體晝夜節(jié)律影響之研究

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意大利ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO：工業(yè)4.0：對于電子工業(yè)和產(chǎn)品的大好時機

意大利ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO：工業(yè)4.0：對于電子工業(yè)和產(chǎn)品的大好時機

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英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇：硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機遇與挑戰(zhàn)

英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇：硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機遇與挑戰(zhàn)

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中國工程院院士陳良惠：固態(tài)照明的歷史使命與紫外LED的新機遇

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德國愛思強股份有限公司Vincent MERIC：化合物半導(dǎo)體外延量產(chǎn)解決方案

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2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進展

2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進展

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長治市第三代半導(dǎo)體紫外LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃

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英國紐卡斯?fàn)柎髮W(xué)視覺神經(jīng)科學(xué)教授Anya HURLBERT：不同光譜對人類健康的影響

英國紐卡斯?fàn)柎髮W(xué)視覺神經(jīng)科學(xué)教授Anya HURLBERT：不同光譜對人類健康的影響

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【視頻報告】鄭州大學(xué)Mussaab I. NIASS：藍寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結(jié)構(gòu)的激光二極管中n-p電極對于p型電導(dǎo)率的影響

【視頻報告】鄭州大學(xué)Mussaab I. NIASS：藍寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結(jié)構(gòu)的激光二極管中n-p電極對于p型電導(dǎo)率的影響

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西安電子科技大學(xué)副校長、教授張進成:高功率寬禁帶半導(dǎo)體射頻器件研究進展
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西安電子科技大學(xué)副校長、教授張進成:高功率寬禁帶半導(dǎo)體射頻器件研究進展
高功率寬禁帶半導(dǎo)體射頻器件研究進展Research Progress of High Power Wide Band-gap Semiconductor RF Devices張進成西安電子科技大學(xué)副校長、教授ZHANG JinchengVice PresidentProfessor of Xidian University
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IFWS2025-01-09 15:50
華潤微電子有限公司總裁李虹: 融通半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)建應(yīng)用創(chuàng)新生態(tài)圈
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華潤微電子有限公司總裁李虹: 融通半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)建應(yīng)用創(chuàng)新生態(tài)圈
融通半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)建應(yīng)用創(chuàng)新生態(tài)圈Integrate Semiconductor Industry Chain to Build Application Innovation Ecosystem李虹華潤微電子有限公司總裁LI HongPresident of China Resources Microelectronics Limited
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IFWS2025-01-09 15:44
濱田公守:最新高性能SiC MOSFET技術(shù)助力未來SiC市場的發(fā)展趨勢
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濱田公守:最新高性能SiC MOSFET技術(shù)助力未來SiC市場的發(fā)展趨勢
最新高性能SiC MOSFET技術(shù)助力未來SiC市場的發(fā)展趨勢The Latest High Performance SiC MOSFET Technology Trend for Future SiC Market Development濱田公守日本華為股份有限公司高級首席專家Kimimori HAMADASenior Chief Expert Huawei Technologies Japan
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IFWS2025-01-09 15:43
北京大學(xué)理學(xué)部副主任、特聘教授沈波: 基于大失配外延的氮化物第三代半導(dǎo)體材料與器件
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北京大學(xué)理學(xué)部副主任、特聘教授沈波: 基于大失配外延的氮化物第三代半導(dǎo)體材料與器件
基于大失配外延的氮化物第三代半導(dǎo)體材料與器件Nitride Semiconductor Materials and Devices Based on Large Mismatch Epitaxy沈波北京大學(xué)理學(xué)部副主任、特聘教授SHEN Bo Deputy Deanand Distinguished Professorof Facultyof Science, Peking University
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IFWS2025-01-09 15:42
美國 PowerAmerica 執(zhí)行董事兼CTO Victor VELIADIS:加快碳化硅芯片和電力電子器件的商業(yè)化發(fā)展
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美國 PowerAmerica 執(zhí)行董事兼CTO Victor VELIADIS:加快碳化硅芯片和電力電子器件的商業(yè)化發(fā)展
加快碳化硅芯片和電力電子器件的商業(yè)化發(fā)展Accelerating Commercialization of SiC Chips and Power ElectronicsVictor VELIADIS美國PowerAmerica執(zhí)行董事兼CTO、ICSCRM 2024 大會主席、北卡羅萊納州立大學(xué)教授、IEEE寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)路線圖委員會(ITRW)主席Victor VELIADISExecutiveDirector and CTO of PowerAmerica, Chair of ICSCRM 2024, Professor of North Carolina State Universityand Chair of ITRW ( IEEE Wide Ban
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IFWS2025-01-09 15:39
2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進展
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2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進展
2024中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進展/ 2024 China's Top 10 Advances in Wide Band-gap Semiconductor Technology
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IFWS2025-01-09 15:38
中國科學(xué)院院士楊德仁：半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀和挑戰(zhàn)
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中國科學(xué)院院士楊德仁：半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀和挑戰(zhàn)
半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀和挑戰(zhàn)Status and Challenge of Semiconductor Material Industry楊德仁中國科學(xué)院院士、浙大寧波理工學(xué)院校長、浙江大學(xué)硅及先進半導(dǎo)體材料全國重點實驗室主任、教授YANG DerenAcademician of Chinese Academy of Sciences,President of NingboTech University, Professor and Director of State Key Laboratory of Silicon and Advanced Semiconductor Materials, Zhejiang University
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IFWS2025-01-09 15:31
北方華創(chuàng)張軼銘：面向SiC功率器件的裝備與工藝解決方案
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北方華創(chuàng)張軼銘：面向SiC功率器件的裝備與工藝解決方案
面向SiC功率器件的裝備與工藝解決方案NAURA Solutions for SiC Power Devices張軼銘北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司Zhang YimingBeijing NAURA Microelectronics Equipment Co.,Ltd
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IFWS2025-01-09 15:05
普興電子市場總監(jiān)張國良：大直徑碳化硅外延市場發(fā)展與挑戰(zhàn)
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普興電子市場總監(jiān)張國良：大直徑碳化硅外延市場發(fā)展與挑戰(zhàn)
大直徑碳化硅外延市場發(fā)展與挑戰(zhàn)Development and Challenges of Large Diameter Silicon Carbide Epitaxial張國良河北普興電子科技股份有限公司市場總監(jiān)ZHANG GuoliangMarketing Director of Hebei Pushing Electronic Technology Co., LTD
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IFWS2025-01-09 15:04
山東大學(xué)教授、南砂晶圓董事陳秀芳：碳化硅單晶缺陷研究及產(chǎn)業(yè)化進展
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山東大學(xué)教授、南砂晶圓董事陳秀芳：碳化硅單晶缺陷研究及產(chǎn)業(yè)化進展
碳化硅單晶缺陷研究及產(chǎn)業(yè)化進展Research and Industrialization Progress of SiC Single Crystal Defects陳秀芳山東大學(xué)教授、南砂晶圓董事CHEN XiufangProfessor of Shandong University, Board Director of Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd
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IFWS2025-01-09 15:03
浙江大學(xué)教授皮孝東：提拉式物理氣相傳輸法制備碳化硅單晶
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浙江大學(xué)教授皮孝東：提拉式物理氣相傳輸法制備碳化硅單晶
提拉式物理氣相傳輸法制備碳化硅單晶Single-crystal 4H Silicon Carbide Grown with the Method of Pulling Physical Vapor Transport皮孝東浙江大學(xué)教授PI XiaodongProfessor of Zhejiang University
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IFWS2025-01-09 15:00
AIXTRON中國總經(jīng)理方子文：化合物半導(dǎo)體外延大規(guī)模量產(chǎn)解決方案
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AIXTRON中國總經(jīng)理方子文：化合物半導(dǎo)體外延大規(guī)模量產(chǎn)解決方案
化合物半導(dǎo)體外延大規(guī)模量產(chǎn)解決方案High Volume Manufacturing of Compound Semiconductors Epitaxy方子文AIXTRON中國總經(jīng)理FANG ZiwenGM of AIXTRON China
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IFWS2025-01-09 14:59
韓國東義大學(xué)教授Won-Jae LEE：SiC單晶的坩堝結(jié)構(gòu)及PVT生長工藝條件的改進
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韓國東義大學(xué)教授Won-Jae LEE：SiC單晶的坩堝結(jié)構(gòu)及PVT生長工藝條件的改進
SiC單晶的坩堝結(jié)構(gòu)及PVT生長工藝條件的改進SiC Single Crystals with Modification of Crucible Structure and Process Condition for PVT GrowthWon-Jae LEE韓國東義大學(xué)教授、釜山電力半導(dǎo)體研究所所長Won-JaeLEEProfessor of Dong-Eui University,Director of Busan Power Semiconductor Lab.
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IFWS2025-01-09 14:55
Victor VELIADIS教授：硅晶圓廠中的SiC制造
5550
Victor VELIADIS教授：硅晶圓廠中的SiC制造
硅晶圓廠中的SiC制造SiC Fabrication in a Silicon FabVictor VELIADIS美國電力執(zhí)行董事 CTO、ICSCRM2024大會主席、北卡羅來納州立大學(xué)教授、IEEE寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)路線圖委員會(ITRW)主席Victor VELIADISExecutive Director and CTO of PowerAmerica, Chair of ICSCRM 2024, Professor of North Carolina State University and Chair of ITRW
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IFWS2025-01-09 14:52
西安電子科技大學(xué)教授周弘：AlN基高壓高頻功率器件研究進展及挑戰(zhàn)
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西安電子科技大學(xué)教授周弘：AlN基高壓高頻功率器件研究進展及挑戰(zhàn)
AlN基高壓高頻功率器件研究進展及挑戰(zhàn)Research Progress and Application Prospect ofAlNSingle Crystal Materials周弘西安電子科技大學(xué)教授ZHOUHongProfessor at Xidian University
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IFWS2025-01-09 14:43
中科重儀半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)始人姚威振：GaN基光電材料外延與MOCVD反應(yīng)腔結(jié)構(gòu)關(guān)聯(lián)性研究
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中科重儀半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)始人姚威振：GaN基光電材料外延與MOCVD反應(yīng)腔結(jié)構(gòu)關(guān)聯(lián)性研究
GaN基光電材料外延與MOCVD反應(yīng)腔結(jié)構(gòu)關(guān)聯(lián)性研究Research on the Correlation Between GaN-based Optoelectronic Material Epitaxy and MOCVD Reactor Chamber Structure姚威振中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員、中科重儀半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)始人YAO WeizhenAssociate Professor of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Co-founder of CASInstruments Semiconductor Co., Ltd.
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IFWS2025-01-09 14:42
中科院蘇州納米所研究員孫錢：襯底GaN基光電材料外延生長
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中科院蘇州納米所研究員孫錢：襯底GaN基光電材料外延生長
硅襯底GaN基光電材料外延生長Epitaxial Growth of GaN Based Photoelectric Materials on Silicon Substrate孫錢中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員SUN QianProfessorof Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences
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IFWS2025-01-09 14:41
南京大學(xué)劉歡：等離子體輔助分子束外延生長AlN薄膜
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南京大學(xué)劉歡：等離子體輔助分子束外延生長AlN薄膜
等離子體輔助分子束外延生長AlN薄膜AlN epilayers grown by plasma assisted molecular beam epitaxy劉歡南京大學(xué)LIU HuanNanjing University
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IFWS2025-01-09 14:40
辰華半導(dǎo)體郭炳磊：用于氮化鎵異質(zhì)外延的高溫PVD氮化鋁緩沖層技術(shù)
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辰華半導(dǎo)體郭炳磊：用于氮化鎵異質(zhì)外延的高溫PVD氮化鋁緩沖層技術(shù)
用于氮化鎵異質(zhì)外延的高溫PVD氮化鋁緩沖層技術(shù)High Temperature PVD AlN e Buffer Layer Technology for GaN Heteroepitaxy
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IFWS2025-01-09 14:28
中電科第十三所高級工程師韓穎：6英寸復(fù)合襯底上厚GaN外延生長研究
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中電科第十三所高級工程師韓穎：6英寸復(fù)合襯底上厚GaN外延生長研究
6英寸復(fù)合襯底上厚GaN外延生長研究Growth of Thick GaN Epilayers on 150mm Engineered Substrate韓穎中國電子科技集團第十三所高級工程師HAN YingSenior Engineer of Hebei Semiconductor Research Institute
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IFWS2025-01-09 14:27

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