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荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授Braham FERREIRA：寬禁帶功率半導(dǎo)體國際技術(shù)路線圖

荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授Braham FERREIRA：寬禁帶功率半導(dǎo)體國際技術(shù)路線圖

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臺灣科技大學(xué)Hung-Wei CHEN：照明光對人體晝夜節(jié)律影響之研究

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意大利ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO：工業(yè)4.0：對于電子工業(yè)和產(chǎn)品的大好時機(jī)

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英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇：硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)

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中國工程院院士陳良惠：固態(tài)照明的歷史使命與紫外LED的新機(jī)遇

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德國愛思強(qiáng)股份有限公司Vincent MERIC：化合物半導(dǎo)體外延量產(chǎn)解決方案

德國愛思強(qiáng)股份有限公司Vincent MERIC：化合物半導(dǎo)體外延量產(chǎn)解決方案

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2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展

2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展

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長治市第三代半導(dǎo)體紫外LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃

長治市第三代半導(dǎo)體紫外LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃

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英國紐卡斯?fàn)柎髮W(xué)視覺神經(jīng)科學(xué)教授Anya HURLBERT：不同光譜對人類健康的影響

英國紐卡斯?fàn)柎髮W(xué)視覺神經(jīng)科學(xué)教授Anya HURLBERT：不同光譜對人類健康的影響

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【視頻報(bào)告】鄭州大學(xué)Mussaab I. NIASS：藍(lán)寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結(jié)構(gòu)的激光二極管中n-p電極對于p型電導(dǎo)率的影響

【視頻報(bào)告】鄭州大學(xué)Mussaab I. NIASS：藍(lán)寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結(jié)構(gòu)的激光二極管中n-p電極對于p型電導(dǎo)率的影響

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【極智課堂】西安電子科技大學(xué)張金風(fēng)教授：金剛石超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件新進(jìn)展
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【極智課堂】西安電子科技大學(xué)張金風(fēng)教授：金剛石超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件新進(jìn)展
西安電子科技大學(xué)教授張金風(fēng)做了題為金剛石超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件新進(jìn)展的主題報(bào)告。她介紹說，金剛石屬于新興的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大，耐擊穿，載流子遷移率高，熱導(dǎo)率極高，抗輻照等優(yōu)點(diǎn)。在熱沉，大功率、高頻器件，光學(xué)窗口，量子信息等領(lǐng)域具有極大應(yīng)用潛力。報(bào)告中介紹了大尺寸金剛石單晶的制備方法最成功的是同質(zhì)外延的克隆拼接生長方法和在Ir襯底上異質(zhì)外延的生長方法。她表示，實(shí)現(xiàn)室溫下高電離率的體摻
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limit2020-02-01 16:23
日本國立佐賀大學(xué)電氣電子系教授郭其新：超寬禁帶氧化半導(dǎo)體的生長和特性
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日本國立佐賀大學(xué)電氣電子系教授郭其新：超寬禁帶氧化半導(dǎo)體的生長和特性
日本國立佐賀大學(xué)同步輻射光應(yīng)用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新帶來了題為超寬禁帶氧化半導(dǎo)體的生長和特性的主題報(bào)告。郭其新主要從事半導(dǎo)體材料制備與表征，同步輻射光應(yīng)用研究。報(bào)告中主要介紹了Ga2O3等寬禁帶氧化半導(dǎo)體薄膜的生長和特性。通過對于In和Al元素的調(diào)整我們可以調(diào)整Ga2O3或Ga2O3薄膜的能帶寬度。研究制備了Ga2O3:Er/Si LED，其驅(qū)動電壓稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同時，還研究了Eu摻雜的Ga2O3薄膜的
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limit2020-02-01 16:22
鍇威特總裁丁國華：自主創(chuàng)芯助力中國工業(yè)4.0
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鍇威特總裁丁國華：自主創(chuàng)芯助力中國工業(yè)4.0
蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司董事長丁國華分享：《自主創(chuàng)芯助力中國工業(yè)4.0》暨SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品發(fā)布！
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limit2020-02-01 16:22
鍇威特研發(fā)副總譚在超：SiC MOSFET的產(chǎn)品特征及在電力電子的應(yīng)用機(jī)遇
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鍇威特研發(fā)副總譚在超：SiC MOSFET的產(chǎn)品特征及在電力電子的應(yīng)用機(jī)遇
蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司研發(fā)副總譚在超《SiC MOSFET的產(chǎn)品特征及在電力電子的應(yīng)用機(jī)遇》
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limit2020-02-01 16:21
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)龍世兵：氧化鎵超寬禁帶半導(dǎo)體器件
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中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)龍世兵：氧化鎵超寬禁帶半導(dǎo)體器件
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limit2020-02-01 10:50
芯謀研究總監(jiān)李國強(qiáng)：功率半導(dǎo)體的市場分析
21350
芯謀研究總監(jiān)李國強(qiáng)：功率半導(dǎo)體的市場分析
芯謀研究總監(jiān)李國強(qiáng)：功率半導(dǎo)體的市場分析
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limit2020-02-01 10:39
西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院院長張玉明：SiC MOSFET高閾值的實(shí)現(xiàn)及給應(yīng)用帶來的優(yōu)勢
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西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院院長張玉明：SiC MOSFET高閾值的實(shí)現(xiàn)及給應(yīng)用帶來的優(yōu)勢
西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院院長張玉明：SiC MOSFET高閾值的實(shí)現(xiàn)及給應(yīng)用帶來的優(yōu)勢
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limit2020-02-01 10:36
加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東：用于增強(qiáng)型GaN功率晶體管的智能門極驅(qū)動芯片
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加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東：用于增強(qiáng)型GaN功率晶體管的智能門極驅(qū)動芯片
加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東分享了《用于增強(qiáng)型GaN功率晶體管的智能門極驅(qū)動芯片》研究報(bào)告。吳偉東，多倫多大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工
329000
limit2020-01-28 12:45
美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官Ismail I. KASHKOUSH：基于碳化硅器件制造的先進(jìn)化學(xué)濃度控制技術(shù)
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美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官Ismail I. KASHKOUSH：基于碳化硅器件制造的先進(jìn)化學(xué)濃度控制技術(shù)
美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官Ismail I. KASHKOUSH分享了基于碳化硅器件制造的先進(jìn)化學(xué)濃度控制技術(shù)的研究成果。在傳統(tǒng)的MEMS制備中，相對惰性化合物（比如Si3N4）通常用于刻蝕停止或者制備襯底中的掩膜。然而這種材料需要了解刻蝕對于襯底的選擇性。對于過去的20年，研究發(fā)現(xiàn)碳化硅（SiC）因?yàn)槠浠瘜W(xué)性質(zhì)比較惰性已經(jīng)可以作為傳統(tǒng)批量微加工刻蝕停止的替代物。包括燃料霧化器，壓力傳感器和微型模具等MEMS應(yīng)用中可以使用典型
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limit2019-12-31 13:02
德國愛思強(qiáng)股份有限公司Vincent MERIC：化合物半導(dǎo)體外延量產(chǎn)解決方案
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德國愛思強(qiáng)股份有限公司Vincent MERIC：化合物半導(dǎo)體外延量產(chǎn)解決方案
德國愛思強(qiáng)股份有限公司Vincent MERIC分享了化合物半導(dǎo)體外延量產(chǎn)解決方案，討論6英寸到8英寸的GaAs VCSEL激光器、GaN/InGaAs Mi
482200
limit2019-12-31 12:42
荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授Braham FERREIRA：寬禁帶功率半導(dǎo)體國際技術(shù)路線圖
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荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授Braham FERREIRA：寬禁帶功率半導(dǎo)體國際技術(shù)路線圖
荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授Braham FERREIRA帶來了題為寬禁帶功率半導(dǎo)體國際技術(shù)路線圖的精彩報(bào)告，介紹了寬禁帶功率半導(dǎo)體國際技
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limit2019-12-31 12:41
瑞典隆德大學(xué)教授Lars SAMUELSON：針對MicroLED和自形成光子結(jié)構(gòu)的納米線應(yīng)用
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瑞典隆德大學(xué)教授Lars SAMUELSON：針對MicroLED和自形成光子結(jié)構(gòu)的納米線應(yīng)用
瑞典隆德大學(xué)教授、瑞典皇家科學(xué)院院士、Glo AB創(chuàng)始人Lars SAMUELSON帶來了題為針對MicroLED和自形成光子結(jié)構(gòu)的納米線應(yīng)用的精彩
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limit2019-12-31 12:40
英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇：硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)
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英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇：硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)
英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇分享了硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。駱薇薇在美國宇航局（NASA）工作了15年，并創(chuàng)辦了兩
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limit2019-12-31 12:38
加拿大CROSSLIGHT半導(dǎo)體軟件公司創(chuàng)立人兼總裁李湛明：寬禁帶器件的設(shè)計(jì)和TCAD模擬
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加拿大CROSSLIGHT半導(dǎo)體軟件公司創(chuàng)立人兼總裁李湛明：寬禁帶器件的設(shè)計(jì)和TCAD模擬
加拿大CROSSLIGHT半導(dǎo)體軟件公司創(chuàng)立人兼總裁李湛明分享了《寬禁帶器件的設(shè)計(jì)和TCAD模擬》研究報(bào)告。早年經(jīng)華人諾獎得主李政道博
324500
limit2019-12-30 13:04
英諾賽科研發(fā)中心副總裁David C. ZHOU：200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術(shù)：從器件、封裝、到系統(tǒng)
22280
英諾賽科研發(fā)中心副總裁David C. ZHOU：200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術(shù)：從器件、封裝、到系統(tǒng)
英諾賽科研發(fā)中心副總裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術(shù)：從器件、封裝、到系統(tǒng)》研究報(bào)告
222800
limit2019-12-30 13:03
日本德島大學(xué)教授敖金平：常關(guān)型AlGaN/GaN HFET功率器件的發(fā)展
32340
日本德島大學(xué)教授敖金平：常關(guān)型AlGaN/GaN HFET功率器件的發(fā)展
日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平分享了《常關(guān)型AlGaN/GaN HFET功率器件的發(fā)展》技術(shù)報(bào)告。敖金平博士1989年畢
323400
limit2019-12-29 13:00
美的集團(tuán)林世紅：紫外LED在白色家電領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)展及面臨問題
32801
美的集團(tuán)林世紅：紫外LED在白色家電領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)展及面臨問題
美的集團(tuán)林世紅：紫外LED在白色家電領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)展及面臨問題
328011
limit2019-05-31 17:39
杭州慧億科技孟楠：UVC LED殺菌模組的優(yōu)化設(shè)計(jì)與驗(yàn)證
32500
杭州慧億科技孟楠：UVC LED殺菌模組的優(yōu)化設(shè)計(jì)與驗(yàn)證
杭州慧億科技孟楠：UVC LED殺菌模組的優(yōu)化設(shè)計(jì)與驗(yàn)證
325000
limit2019-05-31 17:34
湖北深紫科技陳景文：深紫外UVC-LED殺菌方案深度設(shè)計(jì)
24090
湖北深紫科技陳景文：深紫外UVC-LED殺菌方案深度設(shè)計(jì)
湖北深紫科技陳景文：深紫外UVC-LED殺菌方案深度設(shè)計(jì)
240900
limit2019-05-31 17:26
長治市第三代半導(dǎo)體紫外LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃
44530
長治市第三代半導(dǎo)體紫外LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃
《長治市第三代半導(dǎo)體紫外LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃（2019-2023）》（下稱規(guī)劃）正式發(fā)布。《規(guī)劃》結(jié)合當(dāng)前節(jié)能環(huán)保紫外LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
445300
limit2019-05-31 17:24

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