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荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授Braham FERREIRA：寬禁帶功率半導(dǎo)體國(guó)際技術(shù)路線圖

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臺(tái)灣科技大學(xué)Hung-Wei CHEN：照明光對(duì)人體晝夜節(jié)律影響之研究

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意大利ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO：工業(yè)4.0：對(duì)于電子工業(yè)和產(chǎn)品的大好時(shí)機(jī)

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英諾賽科科技有限公司董事長(zhǎng)駱薇薇：硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)

英諾賽科科技有限公司董事長(zhǎng)駱薇薇：硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)

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中國(guó)工程院院士陳良惠：固態(tài)照明的歷史使命與紫外LED的新機(jī)遇

中國(guó)工程院院士陳良惠：固態(tài)照明的歷史使命與紫外LED的新機(jī)遇

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德國(guó)愛思強(qiáng)股份有限公司Vincent MERIC：化合物半導(dǎo)體外延量產(chǎn)解決方案

德國(guó)愛思強(qiáng)股份有限公司Vincent MERIC：化合物半導(dǎo)體外延量產(chǎn)解決方案

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2024年度中國(guó)第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展

2024年度中國(guó)第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展

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長(zhǎng)治市第三代半導(dǎo)體紫外LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃

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英國(guó)紐卡斯?fàn)柎髮W(xué)視覺神經(jīng)科學(xué)教授Anya HURLBERT：不同光譜對(duì)人類健康的影響

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【視頻報(bào)告】鄭州大學(xué)Mussaab I. NIASS：藍(lán)寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結(jié)構(gòu)的激光二極管中n-p電極對(duì)于p型電導(dǎo)率的影響

【視頻報(bào)告】鄭州大學(xué)Mussaab I. NIASS：藍(lán)寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結(jié)構(gòu)的激光二極管中n-p電極對(duì)于p型電導(dǎo)率的影響

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中科院微電子所副研究員侯峰澤：高可靠功率系統(tǒng)集成的發(fā)展和挑戰(zhàn)
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中科院微電子所副研究員侯峰澤：高可靠功率系統(tǒng)集成的發(fā)展和挑戰(zhàn)
高可靠功率系統(tǒng)集成的發(fā)展和挑戰(zhàn)Development and Challenge of High-Reliability Power System in Packaging侯峰澤中國(guó)科學(xué)院微電子研究所系統(tǒng)封裝與集成研發(fā)中心副研究員Fengze HOUAssociate Professor、 Packaging and Integration Research and Development Center, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences
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limit2022-05-01 20:22
佛智芯微電子副總經(jīng)理林挺宇：先進(jìn)封裝大板扇出研發(fā)及功率器件封裝應(yīng)用
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佛智芯微電子副總經(jīng)理林挺宇：先進(jìn)封裝大板扇出研發(fā)及功率器件封裝應(yīng)用
先進(jìn)封裝大板扇出研發(fā)及功率器件封裝應(yīng)用The Research on Panel Level Fan Out Package and its Application on Power Electronics林挺宇廣東佛智芯微電子技術(shù)研究有限公司副總經(jīng)理，廣東省半導(dǎo)體智能裝備與系統(tǒng)集成創(chuàng)新中心首席科學(xué)家Tingyu LINDeputy General Manager of Guangdong FZX Microelectronics Technology Co. Ltd, Principal Scientist of CNC Equipment Cooperative Innovation Institute
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limit2022-05-01 20:20
愛思強(qiáng)方子文：促進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵外延技術(shù)
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愛思強(qiáng)方子文：促進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵外延技術(shù)
促進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵外延技術(shù)The key epitaxial technology to promote the industrialization of wide bandgap semiconductors方子文德國(guó)愛思強(qiáng)股份有限公司中國(guó)區(qū)副總經(jīng)理FANG ZiwenDeputy General Manage，China AIXTRON SE
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limit2022-05-01 17:25
啟迪半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān)鈕應(yīng)喜：第三代半導(dǎo)體碳化硅器件產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)及發(fā)展進(jìn)展
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啟迪半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān)鈕應(yīng)喜：第三代半導(dǎo)體碳化硅器件產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)及發(fā)展進(jìn)展
第三代半導(dǎo)體碳化硅器件產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)及發(fā)展進(jìn)展The key technology and development progress of the Wide Band-gap semiconductor silicon carbide device industrialization鈕應(yīng)喜蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司研發(fā)總監(jiān)NIU YingxiRD Director of Wuhu Advanced Semiconductor Manufacturing Co.,ltd
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limit2022-05-01 17:19
西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院教授張藝蒙：SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究
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西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院教授張藝蒙：SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究
SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究Development trends and challenges of SiC Power MOSFET device 張藝蒙西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院教授Yimeng Zhang Professor of School of Microelectronics, Xidian University
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limit2022-05-01 17:18
北方華創(chuàng)王顯剛：化合物半導(dǎo)體工藝設(shè)備解決方案
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北方華創(chuàng)王顯剛：化合物半導(dǎo)體工藝設(shè)備解決方案
化合物半導(dǎo)體工藝設(shè)備解決方案 Equipment and Processes Solutions in Compound Semiconductor王顯剛北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司LED及化合物半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展部總經(jīng)理WANGXiangangGeneral Manager ofLED and Compound Semiconductor Developmentdepartment, Beijing NAURA Microelectronics Equipment Co.,ltd.
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limit2022-05-01 17:17
大連理工大學(xué)教授王德君：SiC MOS器件氧化后退火新途徑——低溫再氧化退火技術(shù)
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大連理工大學(xué)教授王德君：SiC MOS器件氧化后退火新途徑——低溫再氧化退火技術(shù)
SiC MOS器件氧化后退火新途徑低溫再氧化退火技術(shù)A new approach of post-oxidation annealing for SiC MOS devices -- the low-temperature re-oxidation annealing technology王德君大連理工大學(xué)教授Wang DejunProfessor of Dalian University of Technology
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limit2022-05-01 10:00
中電科四十八所半導(dǎo)體裝備研究部副主任鞏小亮：SiC功率器件制造工藝特點(diǎn)與核心裝備創(chuàng)新進(jìn)展
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中電科四十八所半導(dǎo)體裝備研究部副主任鞏小亮：SiC功率器件制造工藝特點(diǎn)與核心裝備創(chuàng)新進(jìn)展
SiC功率器件制造工藝特點(diǎn)與核心裝備創(chuàng)新進(jìn)展Manufacturing process characteristics and key equipment development of SiC power devices鞏小亮中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所半導(dǎo)體裝備研究部副主任GONGXiaoliang Deputy director of Semiconductor equipment research department, the 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation
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limit2022-05-01 09:57
美國(guó)俄亥俄州立大學(xué)教授Anant AGARWAL：碳化硅芯片會(huì)在 2025-2030 年被電動(dòng)汽車廣泛采用的可能性探討
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美國(guó)俄亥俄州立大學(xué)教授Anant AGARWAL：碳化硅芯片會(huì)在 2025-2030 年被電動(dòng)汽車廣泛采用的可能性探討
碳化硅芯片會(huì)在 2025-2030 年被電動(dòng)汽車廣泛采用的可能性探討The Question: Will SiC chips be widely adopted by Electric Vehicles in 2025-2030?Anant AGARWAL美國(guó)俄亥俄州立大學(xué)教授、IEEE會(huì)士Anant AGARWALProfessorofThe Ohio State University, IEEE Fellow
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limit2022-05-01 09:55
欣銳科技董事長(zhǎng)吳壬華：SiC器件在新能源汽車產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用
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欣銳科技董事長(zhǎng)吳壬華：SiC器件在新能源汽車產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用
SiC器件在新能源汽車產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用Application of SiC devices in the new energy automobile industry吳壬華深圳欣銳科技股份有限公司董事長(zhǎng)WURenhuaChairofthe Board, SHINRY
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limit2022-05-01 09:54
復(fù)旦大學(xué)特聘教授張清純：SiC器件和模塊的最新進(jìn)展
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復(fù)旦大學(xué)特聘教授張清純：SiC器件和模塊的最新進(jìn)展
SiC器件和模塊的最新進(jìn)展RecentAdvancesofSiCPowerDevices張清純復(fù)旦大學(xué)特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任Jon Zhang--Distinguished Professor of Fudan University
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limit2022-05-01 09:48
Victor VELIADIS：碳化硅大規(guī)模商業(yè)化：現(xiàn)狀與障礙
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Victor VELIADIS：碳化硅大規(guī)模商業(yè)化：現(xiàn)狀與障礙
碳化硅大規(guī)模商業(yè)化：現(xiàn)狀與障礙SiC Mass Commercialization: Present Status and BarriersVictor VELIADISChief Officer and CTO ofPower America, Professor of North Carolina State UniversityVictor VELIADIS美國(guó)電力首席執(zhí)行官兼首席技術(shù)官、北卡羅萊納州立大學(xué)教授
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limit2022-05-01 09:46
瑞典皇家理工學(xué)院教授Carl-Mikael Zetterling：用于極端環(huán)境電子產(chǎn)品的 SiC 集成電路
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瑞典皇家理工學(xué)院教授Carl-Mikael Zetterling：用于極端環(huán)境電子產(chǎn)品的 SiC 集成電路
用于極端環(huán)境電子產(chǎn)品的 SiC 集成電路SiC Integrated Circuit for Extreme Environment ElectronicsCarl-Mikael Zetterling--瑞典皇家理工學(xué)院教授Carl-Mikael Zetterling--Professor of Royal Institute of Technology (KTH), Sweden
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limit2022-01-31 13:50
廈門大學(xué)張榮教授：Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體光電子器件的幾個(gè)科學(xué)問題
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廈門大學(xué)張榮教授：Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體光電子器件的幾個(gè)科學(xué)問題
Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體光電子器件的幾個(gè)科學(xué)問題張榮--廈門大學(xué)校長(zhǎng)、教授
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limit2022-01-31 13:44
中國(guó)工程院院士湯廣福：新型電力系統(tǒng)與國(guó)家雙碳戰(zhàn)略
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中國(guó)工程院院士湯廣福：新型電力系統(tǒng)與國(guó)家雙碳戰(zhàn)略
新型電力系統(tǒng)與國(guó)家雙碳戰(zhàn)略New Power System and NationalDual-Carbon Strategy湯廣福--中國(guó)工程院院士、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院院長(zhǎng)TANG Guangfu--Academician of Chinese Academy of Engineering, President of Global Energy Interconnection Research Institute
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limit2022-01-31 13:41
博世汽車電子中國(guó)區(qū)總裁Georges Andary：寬禁帶半導(dǎo)體，助力推動(dòng)綠色出行和碳中和
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博世汽車電子中國(guó)區(qū)總裁Georges Andary：寬禁帶半導(dǎo)體，助力推動(dòng)綠色出行和碳中和
寬禁帶半導(dǎo)體，助力推動(dòng)綠色出行和碳中和WBG, Way to Boost Green Mobility and Carbon NeutralityGeorges Andary--博世蘇州汽車部件總經(jīng)理，博世汽車電子中國(guó)區(qū)總裁Georges Andary--GM of Bosch Automotive Products (Suzhou) Co., Ltd., Regional President of Bosch Automotive Electronics China
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limit2022-01-31 13:37
視頻報(bào)告 2017 |西安特銳德總工程師王利強(qiáng) ：電動(dòng)汽車充電技術(shù)發(fā)展及SiC應(yīng)用
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視頻報(bào)告 2017 |西安特銳德總工程師王利強(qiáng) ：電動(dòng)汽車充電技術(shù)發(fā)展及SiC應(yīng)用
極智報(bào)告|西安特銳德智能充電科技有限公司總工程師王利強(qiáng) ：電動(dòng)汽車充電技術(shù)發(fā)展及SiC應(yīng)用。更多專業(yè)學(xué)術(shù)報(bào)告，請(qǐng)點(diǎn)擊頁(yè)面頂端下載極智頭條APP，海量報(bào)告，免費(fèi)看！
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limit2021-04-29 12:39
視頻報(bào)告 2017---功率器件之爭(zhēng)：寬禁帶vs硅
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視頻報(bào)告 2017---功率器件之爭(zhēng)：寬禁帶vs硅
美國(guó)國(guó)家工程院院士、美國(guó)加利福尼亞大學(xué)杰出教授、Transphorm 的聯(lián)合創(chuàng)始人Umesh K. MISHRA的高足吳毅鋒博士，分享了功率器件之爭(zhēng)：寬禁帶vs硅的發(fā)展動(dòng)態(tài)。吳毅鋒表示寬禁帶技術(shù)對(duì)于電力、能源節(jié)約具有非常重要的意義。我們需要繼續(xù)發(fā)展功率元件，該領(lǐng)域的市場(chǎng)潛力非常大，對(duì)于功率器件而言，可靠性至關(guān)重要。結(jié)合目前的發(fā)展情況，對(duì)于硅、碳化硅和硅基氮化鎵來說，硅基氮化鎵能力性可能更強(qiáng)。硅是目前功率元件中最成功的，已經(jīng)
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limit2021-04-29 12:39
視頻報(bào)告 2017-- 英國(guó)IQE集團(tuán)副總裁Wayne JOHNSON ：?jiǎn)⒂孟冗M(jìn)技術(shù)
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視頻報(bào)告 2017-- 英國(guó)IQE集團(tuán)副總裁Wayne JOHNSON ：?jiǎn)⒂孟冗M(jìn)技術(shù)
英國(guó)IQE plc.集團(tuán)副總裁兼電力事業(yè)部門負(fù)責(zé)Wayne JOHNSON 帶來了先進(jìn)技術(shù)的分享，作為半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)品和經(jīng)營(yíng)服務(wù)供應(yīng)商，IQE的光電產(chǎn)品主要包括VCSEL、邊射型激光器、發(fā)光二極管(LED)、超高亮度發(fā)光二極管 (UHB LED)等，今年更是因?yàn)樘O果VCSEL激光器
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limit2021-04-29 12:38
視頻報(bào)告 2018--美國(guó)國(guó)家工程院院士Umesh K. MISHRA教授：GaN技術(shù)帶來突破性能量轉(zhuǎn)化效率及射頻應(yīng)用新格局
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視頻報(bào)告 2018--美國(guó)國(guó)家工程院院士Umesh K. MISHRA教授：GaN技術(shù)帶來突破性能量轉(zhuǎn)化效率及射頻應(yīng)用新格局
2018年10月23日下午，第十五屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）開幕大會(huì)在深圳會(huì)展中心隆重召開。大會(huì)以創(chuàng)芯聚智共享生態(tài)為主題，吸引了來自海內(nèi)外半導(dǎo)體照明，第三代半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖、行業(yè)機(jī)構(gòu)領(lǐng)導(dǎo)以及相關(guān)政府官員的積極參與，共同論道產(chǎn)業(yè)發(fā)展。本屆論壇由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市龍
216400
limit2021-04-29 12:37

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