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荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授Braham FERREIRA：寬禁帶功率半導(dǎo)體國際技術(shù)路線圖

荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授Braham FERREIRA：寬禁帶功率半導(dǎo)體國際技術(shù)路線圖

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臺灣科技大學(xué)Hung-Wei CHEN：照明光對人體晝夜節(jié)律影響之研究

臺灣科技大學(xué)Hung-Wei CHEN：照明光對人體晝夜節(jié)律影響之研究

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意大利ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO：工業(yè)4.0：對于電子工業(yè)和產(chǎn)品的大好時機

意大利ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO：工業(yè)4.0：對于電子工業(yè)和產(chǎn)品的大好時機

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英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇：硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機遇與挑戰(zhàn)

英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇：硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機遇與挑戰(zhàn)

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中國工程院院士陳良惠：固態(tài)照明的歷史使命與紫外LED的新機遇

中國工程院院士陳良惠：固態(tài)照明的歷史使命與紫外LED的新機遇

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德國愛思強股份有限公司Vincent MERIC：化合物半導(dǎo)體外延量產(chǎn)解決方案

德國愛思強股份有限公司Vincent MERIC：化合物半導(dǎo)體外延量產(chǎn)解決方案

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2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進展

2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進展

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長治市第三代半導(dǎo)體紫外LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃

長治市第三代半導(dǎo)體紫外LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃

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英國紐卡斯?fàn)柎髮W(xué)視覺神經(jīng)科學(xué)教授Anya HURLBERT：不同光譜對人類健康的影響

英國紐卡斯?fàn)柎髮W(xué)視覺神經(jīng)科學(xué)教授Anya HURLBERT：不同光譜對人類健康的影響

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【視頻報告】鄭州大學(xué)Mussaab I. NIASS：藍(lán)寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結(jié)構(gòu)的激光二極管中n-p電極對于p型電導(dǎo)率的影響

【視頻報告】鄭州大學(xué)Mussaab I. NIASS：藍(lán)寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結(jié)構(gòu)的激光二極管中n-p電極對于p型電導(dǎo)率的影響

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【視頻報告 2018】株洲中車戴小平：多電飛機平面封裝型碳化硅功率模塊
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【視頻報告 2018】株洲中車戴小平：多電飛機平面封裝型碳化硅功率模塊
株洲中車時代電氣股份有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部副總經(jīng)理研發(fā)中心主任戴小平介紹了《多電飛機平面封裝型碳化硅功率模塊》技術(shù)報告；
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limit2021-04-29 12:27
【視頻報告 2018】基本半導(dǎo)體張振中：高性能 3D SiC JBS 二極管
12530
【視頻報告 2018】基本半導(dǎo)體張振中：高性能 3D SiC JBS 二極管
深圳基本半導(dǎo)體有限公司副總經(jīng)理張振中介紹了《高性能 3D SiC JBS 二極管》主題報告；張振中對各種類型的碳化硅器件，包括高壓PiN二極管、高溫JBS二極管、SBD管、平面及溝槽型MOSFET、JFET、BJT、UV二極管、MESFET都有從版圖設(shè)計引入到量產(chǎn)工藝開發(fā)直到后期失效分析及良率提升等一系列的工藝技術(shù)IP和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗。
125300
limit2021-04-29 12:26
【視頻報告 2018】Victor Veliadis教授：10 kV 4H-SiC晶體管基面位錯和耐久性的影響
18540
【視頻報告 2018】Victor Veliadis教授：10 kV 4H-SiC晶體管基面位錯和耐久性的影響
美國電力副執(zhí)行主任兼首席技術(shù)官、美國北卡羅萊納州立大學(xué)教授Victor Veliadis帶來《10 kV 4H-SiC晶體管基面位錯和耐久性的影響》；
185400
limit2021-04-29 12:26
【視頻報告 2018】Mietek BAKOWSKI教授：WBG電力設(shè)備的現(xiàn)狀和采用前景
9880
【視頻報告 2018】Mietek BAKOWSKI教授：WBG電力設(shè)備的現(xiàn)狀和采用前景
瑞典皇家工學(xué)院工程科學(xué)院教授Mietek BAKOWSKI以瑞典視角分享了《WBG電力設(shè)備的現(xiàn)狀和采用前景》，報告中介紹了由瑞典創(chuàng)新局（Vinnova）和瑞典能源管理局以及碳化硅電力中心資助的選定工業(yè)和研究項目的概況和重點。示例展示了基于WBG的電力電子能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)在各種應(yīng)用中的節(jié)能方面的革命性進展。簡要介紹了瑞典材料、技術(shù)和設(shè)備研發(fā)領(lǐng)域的相關(guān)項目。
98800
limit2021-04-29 12:26
【視頻報告 2018】Adolf SCH?NER：10千伏高壓4H碳化硅PIN二極管的少子壽命調(diào)制
12470
【視頻報告 2018】Adolf SCH?NER：10千伏高壓4H碳化硅PIN二極管的少子壽命調(diào)制
瑞典Ascatron AB 首席技術(shù)官Adolf SCHÖNER介紹了《10千伏高壓4H碳化硅PIN二極管的少子壽命調(diào)制》技術(shù)報告；
124700
limit2021-04-29 12:26
【視頻報告 2018】P.S. RAGHAVAN教授：碳化硅襯底技術(shù)的最新進展
24640
【視頻報告 2018】P.S. RAGHAVAN教授：碳化硅襯底技術(shù)的最新進展
高溫、高功率寬帶隙半導(dǎo)體要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶體生長過程。今天，SiC是通過氣相或液相法生長的，它包括下列過程：反應(yīng)物的生成、反應(yīng)物到生長表面的傳輸、生長表面的吸附、成核和最終晶體生長。GT Advanced Technologies首席技術(shù)官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅襯底技術(shù)的最新進展》技術(shù)報告，報告中介紹了不同的SiC晶體生長過程以及SiC技術(shù)的最新進展。
246400
limit2021-04-29 12:25
【視頻報告 2018】周達(dá)成教授：碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩(wěn)健性
25700
【視頻報告 2018】周達(dá)成教授：碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩(wěn)健性
美國倫斯勒理工學(xué)院的周達(dá)成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩(wěn)健性》；
257000
limit2021-04-29 12:25
【視頻報告 2018】香港應(yīng)科院袁述：新一代碳化硅矩陣變換器
7860
【視頻報告 2018】香港應(yīng)科院袁述：新一代碳化硅矩陣變換器
矩陣轉(zhuǎn)換器被認(rèn)為是一種最優(yōu)異的交流-交流功率轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，因為其主要依賴于雙向開關(guān)而幾乎不需要其他被動組件。它不僅提升了能量轉(zhuǎn)換效率，而且可以突破傳統(tǒng)的通用逆變器所存在的開關(guān)切換速度，工作溫度以及電壓等級的限制。在此基礎(chǔ)下，新型碳化硅（SiC）組件以及先進功率器件封裝的應(yīng)用將帶來新一代矩陣轉(zhuǎn)換器的重大發(fā)展與變革。香港應(yīng)用科技研究院功率器件組總監(jiān)袁述分享了《新一代碳化硅矩陣變換器》主題報告，報告中回顧矩陣轉(zhuǎn)
78600
limit2021-04-29 12:25
【視頻報告 2018】中電科電子裝備集團有限公司張叢：國產(chǎn)離子注入機發(fā)展及應(yīng)用
6790
【視頻報告 2018】中電科電子裝備集團有限公司張叢：國產(chǎn)離子注入機發(fā)展及應(yīng)用
中電科電子裝備集團有限公司離子注入機技術(shù)總監(jiān)張叢分享了《國產(chǎn)離子注入機發(fā)展及應(yīng)用》主題報告。
67900
limit2021-04-29 12:24
【視頻報告 2018】南京大學(xué)陳琳：6英寸GaN襯底生長用HVPE反應(yīng)腔的三維數(shù)值模擬
13570
【視頻報告 2018】南京大學(xué)陳琳：6英寸GaN襯底生長用HVPE反應(yīng)腔的三維數(shù)值模擬
【極智報告】南京大學(xué)陳琳：6英寸GaN襯底生長用HVPE反應(yīng)腔的三維數(shù)值模擬
135700
limit2021-04-29 12:23
【視頻報告 2018】西安電子科技大學(xué)趙子越博士：基于氮化鈦源極擴展技術(shù)的常關(guān)型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管
13190
【視頻報告 2018】西安電子科技大學(xué)趙子越博士：基于氮化鈦源極擴展技術(shù)的常關(guān)型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管
西安電子科技大學(xué)趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴展技術(shù)的常關(guān)型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主題報告。他介紹說，在SiC襯底上實現(xiàn)了高性能的柵長為0.1um的常關(guān)型薄勢壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件，采用氟離子注入技術(shù)并結(jié)合氮化鈦源極擴展技術(shù)實現(xiàn)了高性能的常關(guān)型器件，其閾值電壓達(dá)到0.6V，飽和電流達(dá)到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨導(dǎo)達(dá)到412mS/mm，電流截止頻率達(dá)到61GHz，最大
131900
limit2021-04-29 12:21
【視頻報告 2018】敖金平教授：用于微波無線電能傳輸?shù)牡壣漕l肖特基二極管
23130
【視頻報告 2018】敖金平教授：用于微波無線電能傳輸?shù)牡壣漕l肖特基二極管
日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平在《用于微波無線電能傳輸?shù)牡壣漕l肖特基二極管》報告中介紹到：無線電能傳輸技術(shù)是非常有前景的新技術(shù)，可以用在各種各樣的無線系統(tǒng)，比如無線充電、能量收割、無處不在的電源和建筑物內(nèi)的電源供應(yīng)等。在微波無線電能傳輸系統(tǒng)里，通常采用天線整流電路（rectenna）來完成RF到DC的能量轉(zhuǎn)換。天線整流電路廣泛地用到肖特基勢壘二極管（SBD）。但是，目前市場上很難找到能在天
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limit2021-04-29 12:21
【視頻報告 2018】蘇州能訊李元：以系統(tǒng)方法實現(xiàn)氮化鎵射頻功率器件的高可靠性
8650
【視頻報告 2018】蘇州能訊李元：以系統(tǒng)方法實現(xiàn)氮化鎵射頻功率器件的高可靠性
蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司李元分享了《以系統(tǒng)方法實現(xiàn)氮化鎵射頻功率器件的高可靠性：我們的成就及新進展》主題報告。氮化鎵射頻功率器件因其優(yōu)良的性能而在基礎(chǔ)工業(yè)領(lǐng)域（如5G通訊基站）具有廣泛的應(yīng)用前景。基礎(chǔ)工業(yè)應(yīng)用要求的超長連續(xù)工作壽命及可能的外部惡劣工作環(huán)境，對器件的可靠性提出了更高的要求。能訊高能半導(dǎo)體通過一個系統(tǒng)工程，從產(chǎn)品設(shè)計，工藝開發(fā)，器件生產(chǎn)，到最終篩選測試，每一個環(huán)節(jié)都按嚴(yán)格的程序進行，確
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limit2021-04-29 12:21
【視頻報告 2018】中科院半導(dǎo)體研究所張韻研究員：III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器
12680
【視頻報告 2018】中科院半導(dǎo)體研究所張韻研究員：III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器
中科院半導(dǎo)體研究所所長助理、研究員張韻分享了《III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器》報告，受限于鈮酸鋰聲速較低(3400-4000 m/s)，商用鈮酸鋰基聲表面波（SAW）濾波器工作頻率通常低于3 GHz，難以滿足通訊系統(tǒng)頻率不斷提升的需求，因此基于高聲速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高頻SAW濾波器成為研究熱點。分別在鈮酸鋰襯底和AlN/藍(lán)寶石襯底上制備出叉指寬度為2 靘的SAW濾波器，鈮酸鋰SAW濾波器的中心頻率為426.7 MHz，而AlN基SAW 濾
126800
limit2021-04-29 12:20
【視頻報告 2018】河北半導(dǎo)體研究所李靜強高工:GaN 內(nèi)匹配封裝器件仿真技術(shù)研究
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【視頻報告 2018】河北半導(dǎo)體研究所李靜強高工:GaN 內(nèi)匹配封裝器件仿真技術(shù)研究
河北半導(dǎo)體研究所高級工程師的李靜強分享了《GaN 內(nèi)匹配封裝器件仿真技術(shù)研究》主題報告。
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limit2021-04-29 12:20
【視頻報告 2018】臺灣長庚大學(xué)邱顯欽教授：適用于第五代移動通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案
9650
【視頻報告 2018】臺灣長庚大學(xué)邱顯欽教授：適用于第五代移動通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案
【極智報告】臺灣長庚大學(xué)邱顯欽教授：適用于第五代移動通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案
96500
limit2021-04-29 12:20
【視頻報告 2018】四川益豐王祁鈺：100nm 和60 nm Si 上GaN MMIC工藝和產(chǎn)品
6780
【視頻報告 2018】四川益豐王祁鈺：100nm 和60 nm Si 上GaN MMIC工藝和產(chǎn)品
OMMIC公司董事長、巴黎高等電子研究所終身教授Marc Christian ROCCHI（四川益豐基礎(chǔ)研發(fā)部部長王祁鈺代講）介紹了《100nm and 60 nm Si 上GaN MMIC工藝和產(chǎn)品》主題報告，報告中將首先從射頻性能和可靠性的角度來綜述GaN on Si工藝。檢查各種10W功率放大器在30GHz和39GHz的性能，PAE高達(dá)35%，增益23 dB。從20到34 GHz有20dB增益和1.5 dB NF的寬帶LNAs。用30GHz 5W和2.7dB NF T/R芯片以及600mW 90GHz功率放大器來演示這些工藝的性能
67800
limit2021-04-29 12:20
【視頻報告 2018】日本名城大學(xué)副教授Motoaki IWAYA ：基于AlGaN 激光的發(fā)展現(xiàn)狀
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【視頻報告 2018】日本名城大學(xué)副教授Motoaki IWAYA ：基于AlGaN 激光的發(fā)展現(xiàn)狀
日本名城大學(xué)副教授Motoaki IWAYA 帶來了關(guān)于基于AlGaN 激光的發(fā)展現(xiàn)狀的報告。
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limit2021-04-29 12:06
【視頻報告 2018】港科技大學(xué)陳敬教授：全GaN功率集成技術(shù)研究進展
9010
【視頻報告 2018】港科技大學(xué)陳敬教授：全GaN功率集成技術(shù)研究進展
集成功率器件與智能控制單元、基于片上系統(tǒng)解決方案的智能功率芯片技術(shù)成為未來功率系統(tǒng)的最佳選擇。然而，傳統(tǒng)的硅功率器件的效率、開關(guān)速度以及最高工作溫度已逼近其極限，使得寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵成為應(yīng)用于功率管理的理想替代材料。香港科技大學(xué)教授陳敬做了全GaN功率集成技術(shù)的報告，該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)智能功率集成所需的功率模塊和各種控制單元模塊。
90100
limit2021-04-29 12:06
【視頻報告 2018】AIXTRON SE 全球副總裁Michael HEUKEN：寬禁帶器件在汽車應(yīng)用中的加速采用
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【視頻報告 2018】AIXTRON SE 全球副總裁Michael HEUKEN：寬禁帶器件在汽車應(yīng)用中的加速采用
一直以來，高功率密度電動汽車電力驅(qū)動系統(tǒng)是新一代大功率電動汽車發(fā)展的主要挑戰(zhàn)，寬禁帶功率器件的應(yīng)用，將對新一代電動汽車的發(fā)展產(chǎn)生重要影響。德國亞琛工業(yè)大學(xué)教授，AIXTRON SE 全球副總裁Michael HEUKEN帶來了寬禁帶器件在汽車應(yīng)用中的加速采用的報告，分享了目前的發(fā)展現(xiàn)狀及AIXTRON的策略。
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limit2021-04-29 12:05

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