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德國愛思強股份有限公司Vincent MERIC：化合物半導體外延量產解決方案

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2024年度中國第三代半導體技術十大進展

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長治市第三代半導體紫外LED產業發展規劃

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英國紐卡斯爾大學視覺神經科學教授Anya HURLBERT：不同光譜對人類健康的影響

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【視頻報告】鄭州大學Mussaab I. NIASS：藍寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結構的激光二極管中n-p電極對于p型電導率的影響

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周玉剛：基于Ag、Mg金屬的GaN低吸收歐姆接觸研究與光電器件應用
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《基于Ag、Mg金屬的GaN低吸收歐姆接觸研究與光電器件應用》作者：周玉剛，潘賽，郭焱，金楠，許朝軍，張榮，鄭有炓單位：南京大學電子科學與工程學院
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limit2022-01-06 11:46
蔡端俊：氫元素對深紫外材料和器件的害處
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《氫元素對深紫外材料和器件的害處》作者：蔡端俊，盧詩強，鐘志白，郭斌，陳小紅，黃生榮，李書平，June Key Lee，康俊勇單位：廈門大學物理科學與技術學院
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limit2022-01-06 11:45
閆建昌：AlGaN基紫外LED材料和量子結構設計研究進展
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《AlGaN基紫外LED材料和量子結構設計研究進展》作者：閆建昌，郭亞楠，劉志彬，王軍喜，李晉閩單位：中國科學院半導體研究所，中國科學院大學
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limit2022-01-06 11:41
張濤：MOCVD異質外延Ga2O3薄膜及其相變的研究
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《MOCVD異質外延Ga2O3薄膜及其相變的研究》作者：張濤，胡志國，程倩，馮倩，張雅超，張進成單位：西安電子科技大學微電子學院
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limit2022-01-06 11:39
李悅文：亞穩相正交結構κ-Ga2O3薄膜的異質外延研究
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《亞穩相正交結構-Ga2O3薄膜的異質外延研究》作者：李悅文，修向前，許萬里，施佳城，朱宇霞，張榮，鄭有炓單位：南京大學電子科學與工程學院
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limit2022-01-06 11:09
金雷:PVT法AlN單晶生長機理研究
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金雷:PVT法AlN單晶生長機理研究
《PVT法AlN單晶生長機理研究》作者：金雷，武紅磊，程紅娟，覃佐燕單位：深圳大學，中國電子科技集團公司第四十六研究所
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limit2022-01-06 11:07
劉強：Carbon doping with CH4 in HVPE
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劉強：Carbon doping with CH4 in HVPE
Carbon doping with CH4 in HVPEAuthor: Qiang Liu, Shuai Wang, Run Chen, Junjie Ren, Luo Li, Meimei Liu, Hongchun Ma, Genquan LvInstitute: Sino-Nitride Semiconductor Co. Ltd, Peking University
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limit2022-01-06 11:05
張紀才：半極性AlN材料的HVPE生長研究
2040
張紀才：半極性AlN材料的HVPE生長研究
《半極性AlN材料的HVPE生長研究》作者：張紀才，孫茂松，李旭，劉婷單位：北京化工大學數理學院，廣西大學物理科學與工程技術學院
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limit2022-01-06 11:04
吳亮：PVT法同質外延生長高質量2英寸Al極性AlN單晶研究
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《PVT法同質外延生長高質量2英寸Al極性AlN單晶研究》作者：李哲，張剛，雷丹，黃嘉麗，付丹揚，王琦琨，吳亮單位：奧趨光電技術（杭州）有限公司
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limit2022-01-06 11:02
楊敏：低硅三甲基鋁產品的開發
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《低硅三甲基鋁產品的開發》作者：邢懷勇，朱熠，吉敏坤，楊敏單位：江蘇南大光電材料股份有限公司
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limit2022-01-06 10:59
屈媛：半導體核殼納米線中光學聲子的截面形狀調制
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《半導體核殼納米線中光學聲子的截面形狀調制》作者：薛忠賢，屈媛，班士良單位：內蒙古大學物理科學與技術學院
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limit2022-01-06 10:57
余燁：面向長波長LED應用的石墨烯/SiC襯底上應變弛豫GaN薄膜的外延生長研究
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余燁：面向長波長LED應用的石墨烯/SiC襯底上應變弛豫GaN薄膜的外延生長研究
《面向長波長LED應用的石墨烯/SiC襯底上應變弛豫GaN薄膜的外延生長研究》作者：余燁，于佳琪，鄧高強，張寶林，張源濤單位：吉林大學電子科學與工程學院
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limit2022-01-06 10:56
黃華洋：C-Related Deep Donor in P-Type GaN
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C-Related Deep Donor in P-Type GaNAuthor: Huayang Huang, Xuelin Yang,Zeming Qi, Shan Wu, Zhaohua Shen, Danshuo Liu,Fujun Xu, Ning Tang, Xinqiang Wang, Weikun Ge and Bo ShenInstitute: Peking University, University of Science and Technology of China, Collaborative Innovation Center of Quantum Matter
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limit2022-01-06 10:54
張皇澍：A quantitative analysis of stress-dislocation evolution and application in GaN-on-Si
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張皇澍：A quantitative analysis of stress-dislocation evolution and application in GaN-on-Si
A quantitative analysis of stress-dislocation evolution and application in GaN-on-Si作者：李孟達，張皇澍，楊志堅，吳潔君，于彤軍單位：北京大學物理學院寬禁帶半導體研究中心
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limit2022-01-06 10:53
王宏躍：Investigation of Defect Characteristics in GaN Layers With Different Carbon Doping Concentration
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王宏躍：Investigation of Defect Characteristics in GaN Layers With Different Carbon Doping Concentration
Investigation of Defect Characteristics in GaN Layers With Different Carbon Doping Concentration作者：王宏躍，許實清，周斌，施宜軍，付志偉，陳思，路國光，黃云，王金延單位：工業和信息化部電子第五研究所，北京大學
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limit2022-01-06 10:51
劉志強：氮化物“異構外延”
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《氮化物異構外延》作者：劉志強，高鵬，伊曉燕，閆建昌，魏同波，王軍喜，劉忠范，李晉閩單位：中科院半導體所，北京大學，北京石墨烯研究院
19800
limit2022-01-06 10:50
王新強：二維材料上氮化物半導體準范德華外延界面調控研究
2730
王新強：二維材料上氮化物半導體準范德華外延界面調控研究
《二維材料上氮化物半導體準范德華外延界面調控研究》作者：劉放，王濤，張智宏，申彤，楊懷遠，盛博文，榮新，陳兆營，劉開輝，李新征，沈波，王新強單位：北京大學
27300
limit2022-01-06 10:48
胡安琪：高靈敏石墨烯氮化鎵探測器
700
胡安琪：高靈敏石墨烯氮化鎵探測器
《高靈敏石墨烯氮化鎵探測器》作者：胡安琪, 郭霞單位：北京郵電大學
7000
limit2022-01-06 10:46
蔣科：寬禁帶氮化物半導體紫外探測器研究
580
蔣科：寬禁帶氮化物半導體紫外探測器研究
《寬禁帶氮化物半導體紫外探測器研究》作者：蔣科，孫曉娟，郭龍，張山麗，陳雨軒，黎大兵單位：中國科學院長春光學精密機械與物理研究所，中國科學院大學材料科學與光電工程中心
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limit2022-01-06 10:45
梅洋：GaN基VCSEL技術進展
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梅洋：GaN基VCSEL技術進展
《GaN基VCSEL技術進展》作者：梅洋，鄭重明，許榮彬，應磊瑩，龍浩，鄭志威，張保平單位：廈門大學微電子與集成電路系微納光電子研究室
17800
limit2022-01-06 10:43

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