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  • 【視頻報告 2018】周
    美國倫斯勒理工學院的周達成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩健性》;
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    limit2021-04-29 12:25
  • 【視頻報告 2018】蘇
    蘇州能訊高能半導體有限公司李元分享了《以系統方法實現氮化鎵射頻功率器件的高可靠性:我們的成就及新進展》主題報告。氮化鎵射頻功率器件因其優良的性能而在基礎工業領域(如5G通訊基站)具有廣泛的應用前景。基礎工業應用要求的超長連續工作壽命及可能的外部惡劣工作環境,對器件的可靠性提出了更高的要求。能訊高能半導體通過一個系統工程,從產品設計,工藝開發,器件生產,到最終篩選測試,每一個環節都按嚴格的程序進行,確
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    limit2021-04-29 12:21
  • 英諾賽科研發中心副總
    英諾賽科研發中心副總裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術:從器件、封裝、到系統》研究報告
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    limit2019-12-30 13:03
  • 日本德島大學教授敖金
    日本德島大學教授、西安電子科技大學特聘教授敖金平分享了《常關型AlGaN/GaN HFET功率器件的發展》技術報告。敖金平博士1989年畢
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    limit2019-12-29 13:00
  • Victor VELIADIS教授
    2018年10月23日下午,第十五屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA 2018)暨2018國際第三代半導體論壇(IFWS 2018)開幕大會在深圳會展中心隆重召開。大會以創芯聚智 共享生態為主題,吸引了來自海內外半導體照明,第三代半導體及相關領域的專家學者、企業領袖、行業機構領導以及相關政府官員的積極參與,共同論道產業發展。 本屆論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)、深圳市
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    limit2018-12-01 12:43
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