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垂直氮化鎵器件，尤其是硅襯底上，因其低成本襯底而引起了人們對大功率應用的廣泛關注。但其性能仍低于氮化鎵襯底上的垂直氮化鎵器件。關鍵問題是在硅襯底上實現低位錯密度和連續厚氮化鎵層具有挑戰性。會上，北京大學馮玉霞博士結合具體的研究實踐，分享了Si襯底上GaN基外延材料生長及雜質缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據N位點的明確證據。

中科院半導體所張翔帶來了關于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質量氮化鋁薄膜外延層的報告，分享了該領域的研究動態以及研究成果。

視頻簡介：下一代半導體器件外延制備前期的襯底清理技術 In-situ Wafer Cleaning for Pre-Epitaxial Deposition for Next Generation Semiconductor DevicesIsmail I. KASHKOUSH美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術官 Ismail I. KASHKOUSHChief Technology Officer (CTO) of NAURA-Akrion, Inc., USA

北京大學劉放做了題為高質量h-BN薄層和針對III族氮化物外延的緩沖層應用的主題報告，分享了在Al2O3（0001）基底上MBE異位高溫退火合成結晶h-BN，晶體h-BN作為Ⅲ族氮化物外延柔性緩沖層的應用的研究成果。

鄭州大學教授劉玉懷做了題為氮化鋁/藍寶石模板上六方氮化硼薄膜的有機金屬氣相外延研究的報告，介紹了多層h-BN膜的表面和結晶度、微觀結構和鍵合結構。h-BN在AlN上的生長模型等研究內容。研究成功證明了通過脈沖模式MOVPE在AlN模板上直接生長單晶多層h-BN，在AlN表面上形成連續和聚結的多層h-BN，提出了初始帽形核的生長模型，然后在AlN上進行h-BN的二維橫向生長。

德國愛思強股份有限公司Vincent MERIC分享了化合物半導體外延量產解決方案，討論6英寸到8英寸的GaAs VCSEL激光器、GaN/InGaAs Mi