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南方科技大學(xué)深港微電
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南方科技大學(xué)深港微電
Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景Research of GaN-on-Si devices and the related systems于洪宇南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院院長(zhǎng)、教授YU HongyuDeanProfessor of School of Microelectronics at Southern University of Science and Technology
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guansheng2023-05-22 14:57
南京郵電大學(xué)博士劉建
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南京郵電大學(xué)博士劉建
氮化鎵功率器件耐壓理論與電場(chǎng)均勻化技術(shù)研究Research on the breakdown theory and electric field homogenization technology of GaN-based Power Devices劉建華南京郵電大學(xué)博士
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guansheng2023-05-22 14:56
星宇研究院功率器件工
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星宇研究院功率器件工
車(chē)載微芯片（MCU）應(yīng)用失效案例分析研究李玉清星宇研究院功率器件工程師LI YuqingXINGYU Co.,Ltd
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guansheng2023-05-22 14:41
甬江實(shí)驗(yàn)室研究員王文
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甬江實(shí)驗(yàn)室研究員王文
異質(zhì)集成氮化鎵功率模塊的量產(chǎn)制造工藝研究A Fabrication Process for Heterogeneous Integrated GaN Power Modules王文博甬江實(shí)驗(yàn)室研究員WANG WenboProfessor of Yongjiang Laboratory (Y-Lab)
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guansheng2023-05-22 14:29
中電科55所劉奧：SiC
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中電科55所劉奧：SiC
SiC MOSFET熱阻精確測(cè)量技術(shù)研究Research on the technique of accurately measuring thermal resistance of SiC MOSFET劉奧中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所LIU AONanjing Electronics Research Institute
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guansheng2023-05-22 13:56
武漢大學(xué)研究員張召富
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武漢大學(xué)研究員張召富
4H-SiC MOSFET中界面碳團(tuán)簇的形成和遷移率退化機(jī)理Interfacial Carbon Cluster Formation and Mobility Degradation in 4H-SiC MOSFETs張召富武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院研究員ZHANG ZhaofuProfessor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University
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guansheng2023-05-22 13:56
西安電子科技大學(xué)副教
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西安電子科技大學(xué)副教
SiC等離子體波脈沖功率器件與應(yīng)用研究Research on 4H-SiC Plasma Wave Pulsed Power Devices and its Applications孫樂(lè)嘉西安電子科技大學(xué)副教授SUN LejiaAssociate Professor of Xidian University
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guansheng2023-05-22 13:53
復(fù)旦大學(xué)副研究員雷光
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復(fù)旦大學(xué)副研究員雷光
比電阻3.3毫歐.平方厘米的1200伏14毫歐SiC MOSFET1200V 14mohm SiC MOSFET with Rsp,on of 3.3mohm.cm^2雷光寅復(fù)旦大學(xué)副研究員LEI GuangyinAssociate Professor of Fudan University
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guansheng2023-05-22 13:50
浙江大學(xué)特聘研究員任
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浙江大學(xué)特聘研究員任
1200V SiC MOSFET抗輻射可靠性研究Investigation of 1200V SiC MOSFET Radiation Ruggedness任娜浙江大學(xué)特聘研究員REN NaProfessor of Zhejiang University
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guansheng2023-05-22 13:48
云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)
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云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)
高品質(zhì)磷化銦襯底對(duì)激光器性能影響研究Effect of High Quality InP Substrate on Laser Performance惠峰云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)家、云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司總經(jīng)理HUI FengChief Scientist of Yunan Germanium Co.,ltd
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guansheng2023-05-22 11:45
中電科十三所基礎(chǔ)研究
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中電科十三所基礎(chǔ)研究
使用MOCVD生長(zhǎng)的QCL激光器Epitaxy of mid- infrared quantum cascade lasers fully by MOCVD房玉龍中電科十三所基礎(chǔ)研究部主任FANG YulongHebei Semiconductor Institute
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guansheng2023-05-22 10:25
中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所
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中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所
氮化鎵基激光器和超輻射管研究進(jìn)展Progress of GaN based laser diodes and superluminescene diodes劉建平中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所納米器件研究部研究員LIU JianpingProfessor of Nanodevice Research Department of Suzhou Institute of Nanotechnology and Nanobionics, Chinese Academy of Sciences
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guansheng2023-05-22 10:07
波蘭高壓物理研究所研
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波蘭高壓物理研究所研
基于藍(lán)光半導(dǎo)體激光器的新器件：SWOT分析New devices based on blue laser diodes: SWOT analysis.Mike LESZCZYNSKI波蘭高壓物理研究所研究員Mike LESZCZYNSKIProfessor of Institute of High Pressure Physics, Poland
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guansheng2023-05-22 09:56
思體爾軟件副總經(jīng)理付
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思體爾軟件副總經(jīng)理付
超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵及金剛石的晶體生長(zhǎng)模擬研究Modeling of ultrawide Bandgap Semiconductor crystal growth for Gallium oxide and Diamond付昊蘇州思體爾軟件科技有限公司副總經(jīng)理Henry FUVice General Manager of SuZhou STR Software Technology Co., Ltd.
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guansheng2023-05-19 14:47
鄭州大學(xué)副教授楊珣：
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鄭州大學(xué)副教授楊珣：
金剛石深紫外光電探測(cè)器研究Deep ultraviolet photodetectors based on diamond楊珣鄭州大學(xué)副教授YANG XunProfessor of Zhengzhou University
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guansheng2023-05-19 14:42
湖北大學(xué)何云斌教授：
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湖北大學(xué)何云斌教授：
MgO（100）上生長(zhǎng)柱狀納米晶b-Ga2O3外延薄膜及其高靈敏度日盲探測(cè)器研究Columnar-nanodomained epitaxial b-Ga2O3 thin films on MgO(100) for solar-blind photodetectors with exceedingly high sensitivity何云斌湖北大學(xué)教授HE YunbinProfessor of Hubei University
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guansheng2023-05-19 14:23
中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所研
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中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所研
超寬禁帶六方氮化硼二維原子晶體及其光電器件Growth of ultra-wide band-gap two-dimensional hexagonal boron nitride for optoelectronic devices張興旺中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所研究員ZHANG XingwangProfessor of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences
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guansheng2023-05-19 14:21
北京大學(xué)工學(xué)院特聘研
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北京大學(xué)工學(xué)院特聘研
超高熱導(dǎo)率立方砷化硼和氮化硼晶體Cubic boron arsenide and boron nitride crystals with ultrahigh thermal conductivity 宋柏北京大學(xué)工學(xué)院特聘研究員SONG BaiProfessor of Peking University
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guansheng2023-05-19 14:21
國(guó)家納米科學(xué)中心研究
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國(guó)家納米科學(xué)中心研究
利用泵浦-探測(cè)瞬態(tài)反射顯微技術(shù)測(cè)定立方砷化硼的高雙極性遷移率High Ambipolar Mobility in Cubic Boron Arsenide（BAs）Revealed by Transient Reflectivity Microscopy劉新風(fēng)國(guó)家納米科學(xué)中心研究員,中科院納米標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任LIU XinfengProfessor of National Nanoscience Center, Deputy director of the Key Laboratory of Standardizaiton and Characteriaziton of the Chinese Academy of Sciences
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guansheng2023-05-19 14:20
中山大學(xué)佛山研究院院
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中山大學(xué)佛山研究院院
新型寬禁帶壓電半導(dǎo)體材料-Ga2O3及其在射頻諧振器中的應(yīng)用-Ga2O3: an Emerging Wide Bandgap Piezoelectric Semiconductor for Application in Radio Frequency Resonators王鋼中山大學(xué)佛山研究院院長(zhǎng)，中山大學(xué)半導(dǎo)體照明材料及器件國(guó)家地方聯(lián)合工程實(shí)驗(yàn)室主任、教授WANG GangProfessor and Dean of Foshan Institute of Sun Yat-Sen University; Director of the National-Local Joint Engineering Laboratory of Semiconductor
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guansheng2023-05-19 14:17