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西安電子科技大學(xué)副校
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西安電子科技大學(xué)副校
高功率寬禁帶半導(dǎo)體射頻器件研究進(jìn)展Research Progress of High Power Wide Band-gap Semiconductor RF Devices張進(jìn)成西安電子科技大學(xué)副校長、教授ZHANG JinchengVice PresidentProfessor of Xidian University
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IFWS2025-01-09 15:50
山東大學(xué)教授、南砂晶
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山東大學(xué)教授、南砂晶
碳化硅單晶缺陷研究及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展Research and Industrialization Progress of SiC Single Crystal Defects陳秀芳山東大學(xué)教授、南砂晶圓董事CHEN XiufangProfessor of Shandong University, Board Director of Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd
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IFWS2025-01-09 15:03
西安電子科技大學(xué)教授
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西安電子科技大學(xué)教授
AlN基高壓高頻功率器件研究進(jìn)展及挑戰(zhàn)Research Progress and Application Prospect ofAlNSingle Crystal Materials周弘西安電子科技大學(xué)教授ZHOUHongProfessor at Xidian University
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IFWS2025-01-09 14:43
中科重儀半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)
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中科重儀半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)
GaN基光電材料外延與MOCVD反應(yīng)腔結(jié)構(gòu)關(guān)聯(lián)性研究Research on the Correlation Between GaN-based Optoelectronic Material Epitaxy and MOCVD Reactor Chamber Structure姚威振中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員、中科重儀半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)始人YAO WeizhenAssociate Professor of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Co-founder of CASInstruments Semiconductor Co., Ltd.
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IFWS2025-01-09 14:42
中科院蘇州納米所研究
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中科院蘇州納米所研究
硅襯底GaN基光電材料外延生長Epitaxial Growth of GaN Based Photoelectric Materials on Silicon Substrate孫錢中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員SUN QianProfessorof Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences
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IFWS2025-01-09 14:41
中電科第十三所高級(jí)工
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中電科第十三所高級(jí)工
6英寸復(fù)合襯底上厚GaN外延生長研究Growth of Thick GaN Epilayers on 150mm Engineered Substrate韓穎中國電子科技集團(tuán)第十三所高級(jí)工程師HAN YingSenior Engineer of Hebei Semiconductor Research Institute
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IFWS2025-01-09 14:27
日本NTT基礎(chǔ)研究實(shí)驗(yàn)
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日本NTT基礎(chǔ)研究實(shí)驗(yàn)
氮化鋁基半導(dǎo)體材料及器件的最新進(jìn)展Recent Progress on AlN-based Semiconductor Materials and Devices谷保芳孝日本NTT基礎(chǔ)研究實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人、資深杰出研究員Taniyasu YOSHITAKAGroup leader and Senior Distinguished Researcher of NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation
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IFWS2025-01-09 14:25
中國科學(xué)院蘇州納米所
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中國科學(xué)院蘇州納米所
氨熱法氮化鎵單晶生長研究進(jìn)展及面臨的挑戰(zhàn)Progress and Challenges in Bulk GaN Crystal Growth by Ammonothermal Method任國強(qiáng)中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、研究員REN GuoqiangProfessorof Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences
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IFWS2025-01-09 14:24
中電科四十六所新材料
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中電科四十六所新材料
氮化鋁單晶材料研究進(jìn)展與應(yīng)用展望Research Progress and Application Prospect of AlN Single Crystal Materials程紅娟中國電子科技集團(tuán)第四十六所新材料研發(fā)中心副主任CHENG HongjuanDeputy Director of New Materials Research and Development Center of CETC 46THInstitute
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IFWS2025-01-09 14:21
中車科學(xué)家劉國友：軌
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中車科學(xué)家劉國友：軌
軌道交通SiC功率器件研究與應(yīng)用進(jìn)展劉國友株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司中車科學(xué)家、功率半導(dǎo)體與集成技術(shù)全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任
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IFWS2025-01-09 14:12
艾姆希半導(dǎo)體銷售總監(jiān)
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艾姆希半導(dǎo)體銷售總監(jiān)
第四代半導(dǎo)體材料平坦化研究進(jìn)展Research Progress on Planarization of Fourth Generation Semiconductor Materials趙志強(qiáng)北京艾姆希半導(dǎo)體科技有限公司銷售總監(jiān)ZHAO ZhiqiangSales Director of MCF Technologies Ltd.
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IFWS2025-01-09 14:07
深圳平湖實(shí)驗(yàn)室第四代
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深圳平湖實(shí)驗(yàn)室第四代
超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵和氮化鋁特性研究Research on the Characteristics of Ultra-wide Bandgap Semiconductor GaO and AlN張道華深圳平湖實(shí)驗(yàn)室第四代半導(dǎo)體首席科學(xué)家、新加坡工程院院士ZHANG DaohuaChief Scientist of Fourth-generation Semiconductors of Shenzhen Pinghu Laboratory, Academician the Academy of Engineering, Singapore
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IFWS2025-01-09 14:02
皇家墨爾本大學(xué)微納研
4440
皇家墨爾本大學(xué)微納研
基于液態(tài)金屬打印和飛秒激光照射的高性能原子薄Ga2O3氣體傳感器High-Performance atomically thin Ga2O3Gas Sensors via Liquid Metal Printing and Femtosecond Laser Irradiation徐承龍皇家墨爾本大學(xué)微納研究院研究員XU ChenglongProfessor of Micro Nano Research Facility, STEM College, RMIT University
44400
IFWS2025-01-09 13:57
鎵和半導(dǎo)體李山:氧化
5580
鎵和半導(dǎo)體李山:氧化
氧化鎵PECVD外延生長及光電信息感知器件研究Research on PECVD Epitaxial Growth of Gallium Oxide and the Photoelectric Information Sensing Devices李山南京郵電大學(xué)副教授、蘇州鎵和半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān)LI ShanAssociate Professor, Nanjing University of Posts and Telecommunications, RD director of Suzhou GAO Semiconductor Co. Ltd.
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IFWS2025-01-09 13:53
西安電子科技大學(xué)王鵬
9610
西安電子科技大學(xué)王鵬
雙閾值耦合AlGaN/GaN HEMT中用于優(yōu)化Ka波段高電場(chǎng)線性度的多指漏極板研究Investigation of multi-fingers drain field plate in dual-threshold coupling AlGaN/GaN HEMTs for optimizing linearity at high electrical field in Ka-bands王鵬飛西安電子科技大學(xué)Wang PengfeiXidian University
96100
guansheng2023-05-22 15:22
山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體
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山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體
電流/功率截止頻率為135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTsHigh-Performance InAlN/GaN HEMTs on Silicon Substrate with fT/fmax of 135/310 GHz 崔鵬山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院研究員CUIPengResearch Fellow of the Institute of Novel Semiconductor of Shandong University
111200
guansheng2023-05-22 15:20
復(fù)旦大學(xué)教授黃偉：寬
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復(fù)旦大學(xué)教授黃偉：寬
寬帶GaN毫米波新器件研究Research on Broadband GaN Millimeter Wave Devices黃偉復(fù)旦大學(xué)教授HUANG WeiProfessor of Fudan University
93800
guansheng2023-05-22 15:16
國博電子副總經(jīng)理錢峰
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國博電子副總經(jīng)理錢峰
5G移動(dòng)通信用化合物器件研究Research on Compound Semiconductor Devices for 5G Mobile Communication錢峰南京國博電子股份有限公司副總經(jīng)理QIAN FengDeputy General Manager of Nanjing Guobo Electronics Co., Ltd
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guansheng2023-05-22 15:15
中科院蘇州納米所助理
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中科院蘇州納米所助理
功率HEMT的p-GaN柵極可靠性及其加固方法GaN Gate Reliability and Its Reinforcement Techniques in Power HEMTs鐘耀宗中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所助理研究員ZHONG YaozongAssistant Professor of Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences
77100
guansheng2023-05-22 15:12
中國科學(xué)院北京納米能
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中國科學(xué)院北京納米能
AlGaN/GaN HEMT能帶工程和界面調(diào)制AlGaN/GaN HEMT energy band engineering and interface modulation胡衛(wèi)國中國科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所研究員HU WeiguoProfessor of Beijing Institute of Nanoenergy and Systems, Chinese Academy of Sciences
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guansheng2023-05-22 15:02