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報告嘉賓：北京天科合達半導體股份有限公司副總經理兼技術總監劉春俊博士 報告主題：《大尺寸碳化硅單晶生長研究及產業進展》

報告簡介單晶4H型碳化硅臺階生長機理 The step growth mechanism for 4H-SiC with Improved Single Polytypes林偉廈門大學副教授 LINWeiAssociate Professor of Xiamen University

美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術官Ismail I. KASHKOUSH分享了基于碳化硅器件制造的先進化學濃度控制技術的研究成果。在傳統的MEMS制備中，相對惰性化合物（比如Si3N4）通常用于刻蝕停止或者制備襯底中的掩膜。然而這種材料需要了解刻蝕對于襯底的選擇性。對于過去的20年，研究發現碳化硅（SiC）因為其化學性質比較惰性已經可以作為傳統批量微加工刻蝕停止的替代物。包括燃料霧化器，壓力傳感器和微型模具等MEMS應用中可以使用典型

2018年10月23日下午，第十五屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導體論壇（IFWS 2018）開幕大會在深圳會展中心隆重召開。大會以創芯聚智 共享生態為主題，吸引了來自海內外半導體照明，第三代半導體及相關領域的專家學者、企業領袖、行業機構領導以及相關政府官員的積極參與，共同論道產業發展。 本屆論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、深圳市