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  • 【視頻報告 2018】株
    株洲中車時代電氣股份有限公司半導體事業(yè)部副總經(jīng)理研發(fā)中心主任戴小平介紹了《多電飛機平面封裝型碳化硅功率模塊》技術(shù)報告；
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  • 【視頻報告 2018】基
    深圳基本半導體有限公司副總經(jīng)理張振中介紹了《高性能 3D SiC JBS 二極管》主題報告；張振中對各種類型的碳化硅器件，包括高壓PiN二極管、高溫JBS二極管、SBD管、平面及溝槽型MOSFET、JFET、BJT、UV二極管、MESFET都有從版圖設計引入到量產(chǎn)工藝開發(fā)直到后期失效分析及良率提升等一系列的工藝技術(shù)IP和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗。
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    limit2021-04-29 12:26
  • 【視頻報告 2018】Vic
    美國電力副執(zhí)行主任兼首席技術(shù)官、美國北卡羅萊納州立大學教授Victor Veliadis帶來《10 kV 4H-SiC晶體管基面位錯和耐久性的影響》；
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  • 【視頻報告 2018】Mie
    瑞典皇家工學院工程科學院教授Mietek BAKOWSKI以瑞典視角分享了《WBG電力設備的現(xiàn)狀和采用前景》，報告中介紹了由瑞典創(chuàng)新局（Vinnova）和瑞典能源管理局以及碳化硅電力中心資助的選定工業(yè)和研究項目的概況和重點。示例展示了基于WBG的電力電子能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)在各種應用中的節(jié)能方面的革命性進展。簡要介紹了瑞典材料、技術(shù)和設備研發(fā)領域的相關項目。
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  • 【視頻報告 2018】Ado
    瑞典Ascatron AB 首席技術(shù)官Adolf SCHÖNER介紹了《10千伏高壓4H碳化硅PIN二極管的少子壽命調(diào)制》技術(shù)報告；
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  • 【視頻報告 2018】P.S
    高溫、高功率寬帶隙半導體要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶體生長過程。今天，SiC是通過氣相或液相法生長的，它包括下列過程：反應物的生成、反應物到生長表面的傳輸、生長表面的吸附、成核和最終晶體生長。GT Advanced Technologies首席技術(shù)官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅襯底技術(shù)的最新進展》技術(shù)報告，報告中介紹了不同的SiC晶體生長過程以及SiC技術(shù)的最新進展。
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  • 【視頻報告 2018】周
    美國倫斯勒理工學院的周達成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩(wěn)健性》；
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    limit2021-04-29 12:25
  • 【視頻報告 2018】香
    矩陣轉(zhuǎn)換器被認為是一種最優(yōu)異的交流-交流功率轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，因為其主要依賴于雙向開關而幾乎不需要其他被動組件。它不僅提升了能量轉(zhuǎn)換效率，而且可以突破傳統(tǒng)的通用逆變器所存在的開關切換速度，工作溫度以及電壓等級的限制。在此基礎下，新型碳化硅（SiC）組件以及先進功率器件封裝的應用將帶來新一代矩陣轉(zhuǎn)換器的重大發(fā)展與變革。香港應用科技研究院功率器件組總監(jiān)袁述分享了《新一代碳化硅矩陣變換器》主題報告，報告中回顧矩陣轉(zhuǎn)
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  • 【視頻報告 2018】中
    中電科電子裝備集團有限公司離子注入機技術(shù)總監(jiān)張叢分享了《國產(chǎn)離子注入機發(fā)展及應用》主題報告。
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  • 【視頻報告 2018】南
    【極智報告】南京大學陳琳：6英寸GaN襯底生長用HVPE反應腔的三維數(shù)值模擬
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    limit2021-04-29 12:23
  • 【視頻報告 2018】西
    西安電子科技大學趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴展技術(shù)的常關型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主題報告。他介紹說，在SiC襯底上實現(xiàn)了高性能的柵長為0.1um的常關型薄勢壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件，采用氟離子注入技術(shù)并結(jié)合氮化鈦源極擴展技術(shù)實現(xiàn)了高性能的常關型器件，其閾值電壓達到0.6V，飽和電流達到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨導達到412mS/mm，電流截止頻率達到61GHz，最大
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  • 【視頻報告 2018】敖
    日本德島大學教授、西安電子科技大學特聘教授敖金平在《用于微波無線電能傳輸?shù)牡壣漕l肖特基二極管》報告中介紹到：無線電能傳輸技術(shù)是非常有前景的新技術(shù)，可以用在各種各樣的無線系統(tǒng)，比如無線充電、能量收割、無處不在的電源和建筑物內(nèi)的電源供應等。在微波無線電能傳輸系統(tǒng)里，通常采用天線整流電路（rectenna）來完成RF到DC的能量轉(zhuǎn)換。天線整流電路廣泛地用到肖特基勢壘二極管（SBD）。但是，目前市場上很難找到能在天
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  • 【視頻報告 2018】蘇
    蘇州能訊高能半導體有限公司李元分享了《以系統(tǒng)方法實現(xiàn)氮化鎵射頻功率器件的高可靠性：我們的成就及新進展》主題報告。氮化鎵射頻功率器件因其優(yōu)良的性能而在基礎工業(yè)領域（如5G通訊基站）具有廣泛的應用前景。基礎工業(yè)應用要求的超長連續(xù)工作壽命及可能的外部惡劣工作環(huán)境，對器件的可靠性提出了更高的要求。能訊高能半導體通過一個系統(tǒng)工程，從產(chǎn)品設計，工藝開發(fā)，器件生產(chǎn)，到最終篩選測試，每一個環(huán)節(jié)都按嚴格的程序進行，確
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  • 【視頻報告 2018】中
    中科院半導體研究所所長助理、研究員張韻分享了《III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器》報告，受限于鈮酸鋰聲速較低(3400-4000 m/s)，商用鈮酸鋰基聲表面波（SAW）濾波器工作頻率通常低于3 GHz，難以滿足通訊系統(tǒng)頻率不斷提升的需求，因此基于高聲速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高頻SAW濾波器成為研究熱點。分別在鈮酸鋰襯底和AlN/藍寶石襯底上制備出叉指寬度為2 靘的SAW濾波器，鈮酸鋰SAW濾波器的中心頻率為426.7 MHz，而AlN基SAW 濾
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  • 【視頻報告 2018】河
    河北半導體研究所高級工程師的李靜強分享了《GaN 內(nèi)匹配封裝器件仿真技術(shù)研究》主題報告。
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  • 【視頻報告 2018】臺
    【極智報告】臺灣長庚大學邱顯欽教授：適用于第五代移動通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案
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  • 【視頻報告 2018】四
    OMMIC公司董事長、巴黎高等電子研究所終身教授Marc Christian ROCCHI（四川益豐基礎研發(fā)部部長王祁鈺代講）介紹了《100nm and 60 nm Si 上GaN MMIC工藝和產(chǎn)品》主題報告，報告中將首先從射頻性能和可靠性的角度來綜述GaN on Si工藝。檢查各種10W功率放大器在30GHz和39GHz的性能，PAE高達35%，增益23 dB。從20到34 GHz有20dB增益和1.5 dB NF的寬帶LNAs。用30GHz 5W和2.7dB NF T/R芯片以及600mW 90GHz功率放大器來演示這些工藝的性能
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  • 【視頻報告 2018】日
    日本名城大學副教授Motoaki IWAYA 帶來了關于基于AlGaN 激光的發(fā)展現(xiàn)狀的報告。
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    limit2021-04-29 12:06
  • 【視頻報告 2018】港
    集成功率器件與智能控制單元、基于片上系統(tǒng)解決方案的智能功率芯片技術(shù)成為未來功率系統(tǒng)的最佳選擇。然而，傳統(tǒng)的硅功率器件的效率、開關速度以及最高工作溫度已逼近其極限，使得寬禁帶半導體氮化鎵成為應用于功率管理的理想替代材料。香港科技大學教授陳敬做了全GaN功率集成技術(shù)的報告，該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)智能功率集成所需的功率模塊和各種控制單元模塊。
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    limit2021-04-29 12:06
  • 【視頻報告 2018】AIX
    一直以來，高功率密度電動汽車電力驅(qū)動系統(tǒng)是新一代大功率電動汽車發(fā)展的主要挑戰(zhàn)，寬禁帶功率器件的應用，將對新一代電動汽車的發(fā)展產(chǎn)生重要影響。德國亞琛工業(yè)大學教授，AIXTRON SE 全球副總裁Michael HEUKEN帶來了寬禁帶器件在汽車應用中的加速采用的報告，分享了目前的發(fā)展現(xiàn)狀及AIXTRON的策略。
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    limit2021-04-29 12:05
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