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高可靠功率系統集成的發展和挑戰Development and Challenge of High-Reliability Power System in Packaging侯峰澤中國科學院微電子研究所系統封裝與集成研發中心副研究員Fengze HOUAssociate Professor、 Packaging and Integration Research and Development Center, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences

先進封裝大板扇出研發及功率器件封裝應用The Research on Panel Level Fan Out Package and its Application on Power Electronics林挺宇廣東佛智芯微電子技術研究有限公司副總經理，廣東省半導體智能裝備與系統集成創新中心首席科學家Tingyu LINDeputy General Manager of Guangdong FZX Microelectronics Technology Co. Ltd, Principal Scientist of CNC Equipment Cooperative Innovation Institute

促進寬禁帶半導體產業化的關鍵外延技術The key epitaxial technology to promote the industrialization of wide bandgap semiconductors方子文德國愛思強股份有限公司中國區副總經理FANG ZiwenDeputy General Manage，China AIXTRON SE

第三代半導體碳化硅器件產業化關鍵技術及發展進展The key technology and development progress of the Wide Band-gap semiconductor silicon carbide device industrialization鈕應喜蕪湖啟迪半導體有限公司研發總監NIU YingxiRD Director of Wuhu Advanced Semiconductor Manufacturing Co.,ltd

SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究Development trends and challenges of SiC Power MOSFET device 張藝蒙西安電子科技大學微電子學院教授Yimeng Zhang Professor of School of Microelectronics, Xidian University

化合物半導體工藝設備解決方案 Equipment and Processes Solutions in Compound Semiconductor王顯剛北京北方華創微電子裝備有限公司LED及化合物半導體行業發展部總經理WANGXiangangGeneral Manager ofLED and Compound Semiconductor Developmentdepartment, Beijing NAURA Microelectronics Equipment Co.,ltd.

SiC MOS器件氧化后退火新途徑低溫再氧化退火技術A new approach of post-oxidation annealing for SiC MOS devices -- the low-temperature re-oxidation annealing technology王德君大連理工大學教授Wang DejunProfessor of Dalian University of Technology

SiC功率器件制造工藝特點與核心裝備創新進展Manufacturing process characteristics and key equipment development of SiC power devices鞏小亮中國電子科技集團公司第四十八研究所 半導體裝備研究部副主任GONGXiaoliang Deputy director of Semiconductor equipment research department, the 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation

碳化硅芯片會在 2025-2030 年被電動汽車廣泛采用的可能性探討The Question: Will SiC chips be widely adopted by Electric Vehicles in 2025-2030?Anant AGARWAL美國俄亥俄州立大學教授、IEEE會士Anant AGARWALProfessorofThe Ohio State University, IEEE Fellow

SiC器件在新能源汽車產業中的應用Application of SiC devices in the new energy automobile industry吳壬華深圳欣銳科技股份有限公司董事長WURenhuaChairofthe Board, SHINRY

SiC器件和模塊的最新進展RecentAdvancesofSiCPowerDevices張清純復旦大學特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技術研究中心主任Jon Zhang--Distinguished Professor of Fudan University

碳化硅大規模商業化：現狀與障礙SiC Mass Commercialization: Present Status and BarriersVictor VELIADISChief Officer and CTO ofPower America, Professor of North Carolina State UniversityVictor VELIADIS美國電力首席執行官兼首席技術官、北卡羅萊納州立大學教授

用于極端環境電子產品的 SiC 集成電路SiC Integrated Circuit for Extreme Environment ElectronicsCarl-Mikael Zetterling--瑞典皇家理工學院教授Carl-Mikael Zetterling--Professor of Royal Institute of Technology (KTH), Sweden

Ⅲ族氮化物半導體光電子器件的幾個科學問題張榮--廈門大學校長、教授

新型電力系統與國家雙碳戰略New Power System and NationalDual-Carbon Strategy湯廣福--中國工程院院士、全球能源互聯網研究院院長TANG Guangfu--Academician of Chinese Academy of Engineering, President of Global Energy Interconnection Research Institute

寬禁帶半導體，助力推動綠色出行和碳中和WBG, Way to Boost Green Mobility and Carbon NeutralityGeorges Andary--博世蘇州汽車部件總經理，博世汽車電子中國區總裁Georges Andary--GM of Bosch Automotive Products (Suzhou) Co., Ltd., Regional President of Bosch Automotive Electronics China

極智報告|西安特銳德智能充電科技有限公司總工程師王利強 ：電動汽車充電技術發展及SiC應用。更多專業學術報告，請點擊頁面頂端下載極智頭條APP，海量報告，免費看！

美國國家工程院院士、美國加利福尼亞大學杰出教授、Transphorm 的聯合創始人Umesh K. MISHRA的高足吳毅鋒博士，分享了功率器件之爭：寬禁帶vs硅的發展動態。 吳毅鋒表示寬禁帶技術對于電力、能源節約具有非常重要的意義。我們需要繼續發展功率元件，該領域的市場潛力非常大，對于功率器件而言，可靠性至關重要。結合目前的發展情況，對于硅、碳化硅和硅基氮化鎵來說，硅基氮化鎵能力性可能更強。硅是目前功率元件中最成功的，已經

英國IQE plc.集團副總裁兼電力事業部門負責Wayne JOHNSON 帶來了先進技術的分享，作為半導體晶圓產品和經營服務供應商，IQE的光電產品主要包括VCSEL、邊射型激光器、發光二極管(LED)、超高亮度發光二極管 (UHB LED)等，今年更是因為蘋果VCSEL激光器

2018年10月23日下午，第十五屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導體論壇（IFWS 2018）開幕大會在深圳會展中心隆重召開。大會以創芯聚智 共享生態為主題，吸引了來自海內外半導體照明，第三代半導體及相關領域的專家學者、企業領袖、行業機構領導以及相關政府官員的積極參與，共同論道產業發展。本屆論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、深圳市龍