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高透明度GaN基Micro-LED顯示器High Transparency GaN-based Micro-LED Display余俊馳南京大學電子科學與工程學院YU JunchiSchool of Electronic Science and Engineering, Nanjing University

InGaN基紅色發光二極管：從傳統LED到Micro-LEDInGaN-based red light-emitting diodes: from traditional to micro-LEDs莊喆南京大學蘇州校區集成電路學院助理教授ZHUANG ZheAssistant Professor for School of Integrated Circuits in Nanjing University Suzhou Campus

提高AlGaN基DUV-LED效率的薄p-GaN上的銀基鏤空反射電極Ag-based hollow reflective electrode on thin p-GaN layer for improving the light output efficiency of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes周玉剛南京大學電子科學與工程學院教授ZHOU YugangProfesor of School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University

氮化鎵光電子融合集成及應用Monolithic III-nitride multicomponent system and its applications嚴嘉彬南京郵電大學教授WANG Yongjin Professor of Nanjing University of Posts and Telecommunications

基于多邊形微腔的表面等離激元在LED中的發光增強效應Luminescence Enhancement Effect of Cavity Plasmonic based on Polygonal Microcavity in LED陳鵬南京大學教授CHEN PengProfessor of Nanjing University

第三代半導體紫外探測技術與產業化應用Wide Bandgap Semiconductor Ultraviolet Detection Technology and Industrial Application陸 海--南京大學教授，鎵敏光電董事長LU Hai--Professor of Nanjing University, President of GaNo Optoelectronics Inc.

南京大學電子科學與工程學院劉斌教授帶來了《氮化鎵微/納米LED與量子點混合結構的高品質白光器件》研究報告。報告中提出了一種新型微納米III族氮化物/II-VI族量子點混合結構LED。采用紫外軟納米壓印和光刻技術，制備出晶圓面積的有序III族氮化物納米孔和微米孔陣列，然后將II-VI族核/殼結構量子點填充至微/納米孔中，形成量子點與量子阱側壁緊密耦合結構。該結構利用量子阱與量子點偶極子間耦合增強物理效應，發光激子的復合壽命大

深紫外(DUV)和極深紫外(EUV)探測器在光刻、天文監測以及國防預警等諸多領域具有非常廣闊的應用前景。在適用于DUV和EUV探測的所有