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Mini/Micro-LED微顯示技術分析與應用劉海坤博士TCL科技集團工業研究院

加拿大滑鐵盧大學William WONG教授分享了《通過薄膜晶體管和III-V光電器件的異質集成實現Micro-LED》研究報告。他介紹到，基于氮化鎵(GaN)基微光發射二極管(microleds)的新型顯示技術有望使下一代發射顯示器具有高亮度、低功耗和高分辨率，與現有的基于有機光發射二極管(OLEDs)的顯示技術相比。除了在OLED顯示器上的這些改進之外，Micro-LED與薄膜晶體管(TFT)設備的集成為高亮度和高分辨率柔性顯示器提供了新的途徑。

德國愛思強產品管理總監Jens VOIGT介紹了《用于RGB Micro-LED大批量制造的MOCVD解決方案》主題報告。他介紹說，愛思強的行星式反應器平臺是生產具有最高一致性、重復性和缺陷控制標準的化合物半導體器件的已建立的平臺，例如用VCSEL激光器證明的3D傳感器技術，這是當前高容量需求的關鍵驅動因素之一。同樣的要求組合也適用于Micro-LED技術：在低的缺陷水平下，結合外延層的高通量結構具有非常高的精度。行星式反應器平臺技術已經被

香港科技大學首席劉紀美教授在《Micro-LED顯示屏：單片方法的優點和問題》報告中指出，大面積的LED顯示器和普通照明應用中的成熟的LED技術很常見。近年來，LED在微顯示器上的應用越來越受到人們的關注。與其他現有的微顯示技術相比，led在效率、亮度、壽命、溫度穩定性和魯棒性等方面具有優勢。最重要的是在明亮的日光下的能見度。

南方科技大學副教授劉召軍在《多功能化氮化鎵基高分辨率Micro-LED顯示器》研究報告。

復旦大學副教授田朋飛分享了《智能GaN基micro-LED陣列》研究報告。GaN基micro-LED (霯ED)陣列可用于高亮度微顯示、高效率固態照明和高速可見光通信的高帶寬發光芯片。通過結合以上功能，可以實現用于大數據和物聯網的智能霯ED系統。至今為止，還未有將霯ED陣列用于高帶寬探測器(PD)的報道。

美國維易科精密儀器有限公司市場營銷總監Mark MCKEE分享了《Micro-LED顯示屏：關鍵制造挑戰和MOCVD技術》報告。他介紹到，微型LED顯示屏比其他顯示技術，如背光LED顯示屏、OLED顯示屏和等離子顯示屏，具有更高的亮度、更高的功率效率，而且更加堅固柔韌。然而，微型LED顯示屏的缺點之一是制作復雜，這導致了較高的顯示成本。在嚴格堅持目標成本的同時，微型LED顯示屏優秀性能和良率為其制造帶來了許多挑戰。報告中提出，從外延和LE