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沈波：高質量 AlN 單
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沈波：高質量 AlN 單
《高質量 AlN 單晶襯底和外延薄膜的制備》沈波教授北京大學
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limit2022-01-11 17:23
張赫朋：室溫1.04 mA/
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張赫朋：室溫1.04 mA/
《室溫1.04 mA/cm2峰值電流密度AlN/GaN雙勢壘共振隧穿二極管》作者：張赫朋，薛軍帥，張進成，郝躍單位：西安電子科技大學微電子學院
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limit2022-01-07 13:34
金雷:PVT法AlN單晶生
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金雷:PVT法AlN單晶生
《PVT法AlN單晶生長機理研究》作者：金雷，武紅磊，程紅娟，覃佐燕單位：深圳大學，中國電子科技集團公司第四十六研究所
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limit2022-01-06 11:07
張紀才：半極性AlN材
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張紀才：半極性AlN材
《半極性AlN材料的HVPE生長研究》作者：張紀才，孫茂松，李旭，劉婷單位：北京化工大學數理學院，廣西大學物理科學與工程技術學院
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limit2022-01-06 11:04
吳亮：PVT法同質外延
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吳亮：PVT法同質外延
《PVT法同質外延生長高質量2英寸Al極性AlN單晶研究》作者：李哲，張剛，雷丹，黃嘉麗，付丹揚，王琦琨，吳亮單位：奧趨光電技術（杭州）有限公司
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limit2022-01-06 11:02
張峰：Atomic layer d
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張峰：Atomic layer d
Atomic layer deposition of AlN on 4H-SiCAuthor: Feng Zhang, Zhanwei Shen, Jun ChenInstitute: Xiamen University, Institut
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limit2022-01-05 11:17
劉志彬：濺射中痕量氧
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劉志彬：濺射中痕量氧
《濺射中痕量氧氣對高溫退火AlN模板的極性調節作用》作者：劉志彬，郭亞楠，閆建昌，曾一平，李晉閩，王軍喜單位：中國科學院半
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limit2022-01-05 11:07
陳荔：基于高溫熱退火
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陳荔：基于高溫熱退火
《基于高溫熱退火技術的半極性AlN外延薄膜缺陷演化研究》作者：陳荔，郭煒，林偉，陳航洋，康俊勇，葉繼春單位：中國科學院寧波
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limit2022-01-05 11:02
Ye Yuan: The prepara
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Ye Yuan: The prepara
The preparation of low-cost and 4 inch AlN template for high performance UVC-LEDAuthor: Ye Yuan, Shangfeng Liu, Lijie Hu
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limit2022-01-05 11:00
魏同波：石墨烯驅動的
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魏同波：石墨烯驅動的
《石墨烯驅動的應力工程實現用于深紫外LED的無應變AlN薄膜的高質量外延》作者：常洪亮，魏同波，王軍喜，李晉閩單位：中國科學院
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limit2022-01-05 10:53
黎大兵：AlN基寬禁帶
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黎大兵：AlN基寬禁帶
《AlN基寬禁帶半導體缺陷調控及p型摻雜研究》作者：黎大兵，孫曉娟，蔣科，賁建偉，張山麗，單位：中國科學院長春光機所、中國科學院大學材料科學與光電工程中心《AlN基寬禁帶半導體缺陷調控及p型摻雜研究》作者：黎大兵，孫曉娟，蔣科，賁建偉，張山麗，單位：中國科學院長春光機所、中國科學院大學材料科學與光電工程中心《AlN基寬禁帶半導體
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limit2022-01-05 09:19

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