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德國ALLOS Semiconductors GmbH市場總監Alexander LOESING帶來“無碳摻雜GaN-on-Si大外延片實現低漏電流”報告。 “我們已經在（111）硅襯底上通過MOVPE生長了150mm的硅襯底GaN外延片；并且已經通過增加GaN厚度到7 ?m能夠顯示有效的隔離。同時，已經可以展示進一步提高晶體質量提高隔離效果；在XRD下的FWHM為 330arcsec（002）和420arcsec（102）。最后我們證明了通過優化GaN和Si襯底之間核/緩沖層以及GaN層的插入層的

中國科學院微電子研究所研究員黃森分享“基于超薄壁壘AlGaN / GaN 異質結構的常關型GaN MIS-HEMTs制造”報告。 中國科學院微電子研究所研究員黃森表示，超薄勢壘（UTB）AlGaN / GaN異質結用于制造常關斷型GaN基MIS-HEMT。通過低壓化學氣相沉積（LPCVD）生長的SiNx鈍化膜，有效地減少了超薄勢壘（UTB） Al0.22Ga0.78N（5nm）/ GaN異質結構中2維電子氣體（2DEG）的薄層電阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表現出

中國科學院半導體研究所固態照明研發中心張連分享“選擇區域生長AlGaN/GaN異質結雙極晶體管的n-AlGaN發射器”研究報告。 張連表示，GaN基異質結雙極晶體管（HBT）具有本征優點，例如更高線性度，常關工作模式和更高的電流密度。然而，其發展進度緩慢。一個主要問題是由低自由空穴濃度引起的基極層的低導電性，以及外部基極區域的等離子體干蝕刻損傷。雖然一些研究人員使用選擇性區域再生來減輕基層的損害，但工作后沒有顯著的進步。最常見的因素之一是難以獲得高質量的選擇性區域再生長基底層和發射極層。通過使用選擇

北京大學東莞光電研究院生物光環境研究中心副教授王永志分享了模擬自然光在農業生產中的應用主題報告。

中國農業大學童勤分享了通過綠光LED調節雞蛋孵化研究報告。

北京農業智能裝備技術研究中心陳曉麗分享了“LED紅藍交替光對生菜生長及品質的影響”研究報告。

河北半導體研究所專用集成電路國家級重點實驗室高級工程師王晶晶金剛石場效應晶體管的射頻功率性能評價的報告，結合相關的試驗數據，王晶晶介紹了P型摻雜、晶體管測試、以及利用MPCVD設備來進行金剛石薄膜的沉積，利用輕等離子體處理的方法實現它的P型構造，基于金剛石等材料來制作金剛石射頻器件等研究成果。

鄭州大學物理工程學院院長、教授單崇新介紹了高質量金剛石的CVD生長。金剛石是自然界產生的最堅硬的一種材料，因為它極高的硬度，一直被當做是打磨的工具，切割的工具等，在不同的方面都有應用，日常生活以及工業生產中都能用到金剛石。除了高硬度以外，金剛石還有很多其他獨特的特點，很適合當做半導體材料，比如非常高的帶隙、電壓、非常高的熱傳導性等，這些特點使得金剛石一直被認為是重要的，也是非常有潛力的下一代半導體器件的原料。把金剛石材料轉變成金剛石器件還有很長的路要走，也需要很多高品質的材料，這是非常基本的一步。

廣西大學杰出教授、臺灣大學榮退教授馮哲川分享了關于Ga2O3薄膜的光學和結構特性的研究成果。馮哲川從事于第三代半導體研發已二三十年, 至今編輯出版了半導體及顯微結構，多孔硅，碳化硅，III族氮化物(3本)，氧化鋅，固態照明及LED 領域的11-本英文專著，

西安電子科技大學副教授鄭雪峰介紹了新型AlGaN/GaN HEMT Fin結構的研究報告。

英國布里斯托大學教授Martin KUBALL做了關于極限GaN射頻FETs - GaN-on-Diamond技術的報告，具體介紹了該技術的研究背景，并結合相關數據，介紹了該技術的研究成果，及未來的一些應用領域。 其中，Martin KUBALL表示氮化鎵的發展勢頭很強勁，當前，通訊、雷達等應用依舊是建立在碳化硅襯底氮化鎵基礎上的，隨著數據化的發展，需要的能量越來越多，而碳化硅上的氮化鎵也會有局限，開發金剛石襯底是一個不錯的嘗試。Martin KUBALL詳細分享了當前開發GaN-on-Diamon

中國電子科技集團公司第十三研究所研究員馮志紅介紹了關于解決InAlN/GaN異質結場效應晶體管（HFETs）應用的漏電大和可靠性差的瓶頸問題方法的研究成果。馮志紅研究員現任中國電子科技集團公司首席專家，國際電工技術標準委員會專家，研究方向為太赫茲固態電子器件、先進半導體材料與器件。 其中，馮志紅表示，氮化鎵與氮化鋁是非常好的搭配，會帶來比較高的功率，相比其他一些結構更加優化，也有很多應用。人們希望可以將氮化鎵應用到5G等領域，希望增加輸出功率。結合具體的建模分析，馮志紅表示，降低延遲，為了獲得信號而降低

南京電子器件研究所高級工程師吳少兵做了W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器的報告。圍繞高輸出功率的W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器，吳少兵詳細介紹了器件技術與制造工藝 、MMIC設計、MMIC的表征等內容，介紹了一種采用Lange橋耦合及微帶匹配的平衡式4級功率放大器。器件采用電子束直寫工藝在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延結構上制備了柵長100nm的“T”型柵結構以及最新成果。 吳少兵一直從事固態微波毫米波器件的研發工作。作為項目負責人，主持開發了基于0.1um G

中國農業大學水利與土木工程學院教授賀冬仙做了關于光強和LED光譜對水培菠菜生長及品質影響的報告。賀冬仙近10年來，以第一作者/通訊作者發表SCI/EI論文15篇，主持50萬元以上的國家/省部級科研課題9項。取得授權發明專利7項、實用新型6項和軟件著作權9項。她的創新性成果及其學術價值包括：（1）圍繞珍稀瀕危藥用鐵皮石斛開展了10多年以上光合生理研究，從氣體交換、電子傳遞、氣孔運動方面確立了CAM植物的環境生理研究方法，可擴展到石斛屬、蘭科植物和其他藥用植物研究。（2）攻克了高光效人工光源、嵌入式組態化環境

瑞典查爾姆斯理工大學副教授Jie SUN帶來了關于GaN光電器件CVD石墨烯透明電極研究進展，讓與會代表拍手稱贊！ 石墨烯傳統上是通過石墨機械剝落制備的，且大面積單層石墨烯的制備很有挑戰性。為此，化學氣相沉積（CVD）在過渡金屬上石墨烯最近被發展。自2009年以來，在Chalmers我們已經在金屬箔（Cu，Pt，Ta等）上生長了單層石墨烯，在硅襯底上蒸鍍了金屬薄膜.9-9 CH4或C2H2作為反應物，石墨烯通過商業直冷式Aixtron系統生長。通過濕化學法蝕刻銅或更環保的電化學氣泡分層，石墨烯可以轉移到

中國科學院半導體研究所梁萌分享了“二位緩沖層氮化物異質外延”研究報告；他介紹說，石墨烯緩沖層氮化物異質外延，初步實現了石墨烯界面氮化物成核，石墨烯邊界與Bridge site，將優先成核位置。我們在石墨烯上來進行一個類似納米柱上的生長，做了一些研究，通過調整晶核生長得到納米柱的結構，在圖形化的襯底上也長出來一些趨向比較一致的石墨烯的納米柱，但是這根趨向一致性主要是硅的襯底，因為石墨烯是單純的材料，石墨烯生長會受到襯底的影響，所以硅是單層多層，單層的話趨向是非常一致的，層數變多會有一定的紊亂，加氮受到襯底的

耶魯大學研究科學家宋杰分享了“納米孔GaN作為高反射和熔覆層的III族氮化物激光器”報告。他表示，我們制備了由納米孔狀的GaN和無孔GaN薄膜的周期結構組成的布拉格反射層，通過4～5對的DBR層就獲得了高達99.9%的放射率，并且顯著地提高了激光二極管結構中的光學限制因子，使得閾值材料gain降低至400cm-1，比之前報道的低了二倍，表明我們可以顯著地降低激光器的開啟閾值電流以及提高光電轉化效率。同時，我們也采用納米孔狀的GaN和無孔GaN組成的布拉格反射層引用到VCSEL結構中，實現了光激射的VCSE

中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員劉建平在做“鎵氮基藍光與綠光激光二極管的發展”報告時表示，對GaN基藍色和綠色的激光二極管（LD）的研究已經引起人們的廣泛關注，在過去的幾年里，為了滿足激光顯示應用的需求。我們提高了發光均勻性和減少基藍光LD結構面自支撐GaN襯底上生長GaN的內部損失。同質外延GaN層的形貌是由邊角料取向和GaN襯底角度很大的影響。并且通過工程InGaN/GaN量子阱的界面，我們已經實現了綠色激光器結構1.85 kA cm-2低閾值電流密度。在室溫連續波作用下，綠光LD的輸出功率為

迪思科看好LED前景，未來將繼續深耕中國市場

蘇州大學功能納米與軟物質研究院教授馮敏強在“高效白光OLED材料及器件工程”。主要介紹什么做白光OLED及應用，并從材料、合成器件的研究，把OLED的效率提高。