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  • 中科院蘇州納米所助理
    功率HEMT的p-GaN柵極可靠性及其加固方法GaN Gate Reliability and Its Reinforcement Techniques in Power HEMTs鐘耀宗中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所助理研究員ZHONG YaozongAssistant Professor of Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences
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    guansheng2023-05-22 15:12
  • 浙江大學(xué)特聘研究員任
    1200V SiC MOSFET抗輻射可靠性研究Investigation of 1200V SiC MOSFET Radiation Ruggedness任娜浙江大學(xué)特聘研究員REN NaProfessor of Zhejiang University
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    guansheng2023-05-22 13:48
  • 意大利帕多瓦大學(xué)Enri
    用于高效能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用的GaN HEMT的深能級(jí)效應(yīng)和可靠性Deep level effects and reliability of GaN HEMTs for high efficiency energy conversion applicationsEnrico Zanoni意大利帕多瓦大學(xué)信息工程系教授Enrico ZanoniProfessor of Dipartimento di Ingegneria dellInformazioneUniversit di Padova
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    guansheng2023-05-19 08:57
  • 南京大學(xué)周峰： 從應(yīng)
    從應(yīng)用端看GaN功率電子器件面臨的關(guān)鍵可靠性難題及器件性能提升方案周峰，徐尉宗，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海*南京大學(xué)
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    guansheng2022-09-01 13:29
  • 西安電子科技大學(xué)微電
    SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究Development trends and challenges of SiC Power MOSFET device 張藝蒙西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院教授Yimeng Zhang Professor of School of Microelectronics, Xidian University
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    limit2022-05-01 17:18
  • 中科院生態(tài)環(huán)境研究中
    UV反應(yīng)器設(shè)計(jì)和運(yùn)行可靠性保障UV Reactor Design and Operation Reliability Guarantee李夢凱--中國科學(xué)院生態(tài)環(huán)境研究中心副研究員LI Mengkai--Associate Professor of Ecological Environment Research Center, CAS
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    limit2022-02-01 17:14
  • 陸海：面向復(fù)雜電氣應(yīng)
    《面向復(fù)雜電氣應(yīng)用環(huán)境的高可靠性GaN功率電子器件研究》作者：陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
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    limit2022-01-05 16:58
  • 【視頻報(bào)告 2018】周
    美國倫斯勒理工學(xué)院的周達(dá)成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩(wěn)健性》；
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    limit2021-04-29 12:25
  • 【視頻報(bào)告 2018】蘇
    蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司李元分享了《以系統(tǒng)方法實(shí)現(xiàn)氮化鎵射頻功率器件的高可靠性：我們的成就及新進(jìn)展》主題報(bào)告。氮化鎵射頻功率器件因其優(yōu)良的性能而在基礎(chǔ)工業(yè)領(lǐng)域（如5G通訊基站）具有廣泛的應(yīng)用前景?；A(chǔ)工業(yè)應(yīng)用要求的超長連續(xù)工作壽命及可能的外部惡劣工作環(huán)境，對器件的可靠性提出了更高的要求。能訊高能半導(dǎo)體通過一個(gè)系統(tǒng)工程，從產(chǎn)品設(shè)計(jì)，工藝開發(fā)，器件生產(chǎn)，到最終篩選測試，每一個(gè)環(huán)節(jié)都按嚴(yán)格的程序進(jìn)行，確
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    limit2021-04-29 12:21
  • 【視頻報(bào)告 2018】星
    常州星宇車燈股份有限公司工程師李茹分享了熱界面材料的特性及其對LED車燈散熱和可靠性影響的研究成果，結(jié)合具體的研究實(shí)踐，她
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    limit2021-04-29 12:11
  • 【視頻報(bào)告 2018】香
    封裝可靠性的評(píng)估是非常重要的環(huán)節(jié)，會(huì)上香港科技大學(xué)陶勉做了題為用于封裝可靠性評(píng)估的熱機(jī)測試芯片的設(shè)計(jì)與制備的報(bào)告。
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    limit2021-04-29 12:11
  • 【視頻報(bào)告 2019】鴻
    廣州市鴻利秉一光電科技有限公司總經(jīng)理吳乾分享《LED紫外固化光源及模組可靠性研究》
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    limit2021-04-29 11:04
  • 【視頻報(bào)告】馬紅波教
    西南交通大學(xué)副教授馬紅波分享《高效率、高可靠性多溝道HB-LED驅(qū)動(dòng)電源關(guān)鍵技術(shù)》報(bào)告
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    limit2021-04-26 15:02
  • 【視頻報(bào)告】中國科學(xué)
    隨著固體照明技術(shù)的發(fā)展，可見光通信（VLC）近年來受到了廣泛的關(guān)注。中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所馬占紅做了題為適用于可見光通信高帶寬微發(fā)光二極管的可靠性分析的報(bào)告，分享了制備帶寬高達(dá)1GHz的氮化鎵基微LED的研究，并研究了其在15kA/cm2 1kHz交流電應(yīng)力下的可靠性。與傳統(tǒng)的射頻無線通信相比，VLC具有保密性高，無電磁干擾和無頻譜限制等優(yōu)點(diǎn)。它也被認(rèn)為是未來無線通信的潛在接入選擇。近年來，微發(fā)光二極管（Micro-LED）已經(jīng)可
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    limit2020-02-03 15:41
  • 【視頻報(bào)告】北京工業(yè)
    北京工業(yè)大學(xué)教授郭偉玲帶來了高壓LED及其可靠性研究的報(bào)告，介紹了當(dāng)前高壓LED及其可靠性的最新研究成果。
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    limit2020-02-03 15:41
  • 極智報(bào)告|日本大阪大
    極智報(bào)告|日本大阪大學(xué)高悅：銅顆粒燒結(jié)貼片連接SiC-MOSFET的長期可靠性研究進(jìn)展 更多精彩報(bào)告，敬請點(diǎn)擊頁面頂端下載極智頭條APP。
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    limit2025-05-02 18:26
  • 極智報(bào)告|華中科技大
    極智報(bào)告|華中科技大學(xué)張偉：一種新的AlGaN基深紫外LED光提取效率和可靠性的新方法
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    limit2025-05-02 18:26
  • 極智報(bào)告|中國電子科
    中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所研究員馮志紅介紹了關(guān)于解決InAlN/GaN異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管（HFETs）應(yīng)用的漏電大和可靠性差的瓶頸問題方法的研究成果。馮志紅研究員現(xiàn)任中國電子科技集團(tuán)公司首席專家，國際電工技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)專家，研究方向?yàn)樘掌澒虘B(tài)電子器件、先進(jìn)半導(dǎo)體材料與器件。 其中，馮志紅表示，氮化鎵與氮化鋁是非常好的搭配，會(huì)帶來比較高的功率，相比其他一些結(jié)構(gòu)更加優(yōu)化，也有很多應(yīng)用。人們希望可以將氮化鎵應(yīng)用到5G等領(lǐng)域，希望增加輸出功率。結(jié)合具體的建模分析，馮志紅表示，降低延遲，為了獲得信號(hào)而降低
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    limit2025-05-02 18:26
  • 極智報(bào)告|中國科學(xué)院
    該視頻為：中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、中國科學(xué)院大學(xué)崗位教授趙麗霞，主講的《Reliability and Failure Analysis for GaN-based LEDs》學(xué)術(shù)報(bào)告。
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    limit2025-05-02 18:26
  • 極智報(bào)告|美國倫斯勒
    周達(dá)成授表示，在過去十年中，基于兩個(gè)寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體（GaN和SiC）的功率開關(guān)器件正在影響功率電子系統(tǒng)，這是由于其良好的工業(yè)效用和改善的性能，且比傳統(tǒng)的硅基器件的功率損耗低和能量效率高。他表示，通過模擬和實(shí)驗(yàn)應(yīng)力（如電流崩塌和高溫反偏），評(píng)估了現(xiàn)有......請?jiān)赪IFI條件下反復(fù)觀看！
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    limit2025-05-02 18:26
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