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所有的技術都有一個發展過程，尤其對于電網來說，它要求的高電壓大電流，它的可靠性要求三十年甚至四十年。國家電網全球能源互聯網研究院功率半導體研究所副總工程師楊霏介紹了碳化硅材料和電力器件在電網當中的應用。其中對電網整體對材料的要求，材料部分的需求和裝備的國內國際進展進行了細致介紹。他表示，預期到2025年左右，十千伏十安的全控型的模塊應當是可以達到應用水平，這樣的話就是直流輸電的話，靈活直流輸電可能要突破五百千伏到八百千伏的水平，到2050年碳化硅三十千伏五千的應該可以達到應用水平，這樣來說對電網的預期是整

德國愛思強股份有限公司電力電子器件副總裁Frank WISCHMEYER先生分享了，就高生產率的碳化硅同質外延的程序在大容量生產反應器當中的表現主題報告。他表示，用于高產量生產的高增長率SiC同質外延工藝生長的大容量生產反應器，它是在于每小時二十五微米，更好地，更快速地長外延材料，那么也是在生產領域對于生產廠家來說是一個好事，那么同時它這個結果在之間出的效果，尤其是在一千二百伏元器件體現出來。預計2018年這種全面的自動化技術的使用，會使得我們整個產業會有大量的一個客戶量的增長。

南京電子器件研究所黃潤華博士分享了1.2kV 4H-SiC DMOSFET的設計與制造關鍵點。他表示，未來的工作主要還是針對一千兩百伏到一千七百伏的企業，要實現一個產品化，目前提供可生產性基本滿足產品要求，未來就是為了降低電阻，提升我們的可靠性，還要進行下一步的研究。再下一步要開發三千三百伏到一萬伏，爭取到五千伏的時候推出一些產品。

泰科天潤半導體科技（北京）有限公司（以下簡稱“泰科天潤”）是中國碳化硅（SiC）功率器件產業化的倡導者之一，致力于中國半導體功率器件制造產業的發展，并向全球功率器件消費者提供優質的半導體功率器件產品和專業服務。 作為國內唯一一家碳化硅研發生產和平臺服務型公司，泰科天潤目前在北京已建成國內第一條完整的4～6寸碳化硅器件量產線，可在SiC外延上實現半導體功率器件的制造工藝。 泰科天潤的產品線涉及基礎核心技術產品、碳化硅成型產品以及多套行業解決方案。公司基礎核心產品以碳化硅肖特基二極管為代表，其中6

伍爾特電子及其美國子公司伍爾特電子明康有限公司 (Wurth Electronics Midcom) 參加穆尼黑上海電子展。伍爾特電子作為電子和機電元件的制造商將展示其豐富的傳統產品，以及一些新發布的產品。這其中包括新穎的 SMD 磁珠和兩款創新型插塞式連接器。展覽項目的另一個焦點是日趨豐富的鋁電解電容產品組合。此外，伍爾特電子明康有限公司將提供其定制電感元件系列的相關信息，并且提供德州儀器 SN6501 和 SN6505B 的參考設計。作為展示的亮點，虛擬現實演示將為工程師們展現如何通過使用 IC Re

韓國嶺南大學教授Ja-soon JANG 介紹了GaN基發光二極管器件可靠性特性分析方法技術報告。他表示，發光二極管（LED）技術已經迅速發展以滿足LED應用領域的各種需求，如汽車照明，手術照明和IT可控智能照明。 隨著LED的重要性越來越大，可靠性問題越來越重要。 他分享了最近的可靠性問題，并考慮到可以解決可靠性問題的可行方法。為此，我們從遺傳個體和外部誘導的退化因素、復雜因素和觸發因子等方面進行研究，新提出了影響LED可靠性行為的邊界條件（芯片和封裝之間）以及影響因素，以確保LED的哪些部分易受

美國Wolfspeed 電力設備研究科學家Jon ZHANG教授帶來“碳化硅功率器件的現狀與展望”主題報告。Jon ZHANG教授表示，功率半導體器件是電力電子系統的重要組成部分，其決定了能量調節系統的效率、尺寸和成本。功率器件的進步革新了電力電子系統。針對不同的應用，如今的商業市場提供了廣泛的電子器件。在所有類型的電力器件中，IGBTs和FRDs是目前是分立器件和功率模塊中最常用的組件。盡管有這些優勢，Si 功率器件正在接近他們的性能極限。

加拿大多倫多大學教授Wai Tung NG則帶來了“GaN功率晶體管的柵極驅動器集成電路”研究報告氮化鎵是一種寬能隙材料，它能夠提供與碳化硅（SiC）相似的性能優勢，但降低成本的可能性卻更大。氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通...