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  • 劉建勛：大尺寸硅基Ga
    《大尺寸硅基GaN射頻器件材料外延生長研究》作者：劉建勛，詹曉寧，孫秀建，黃應南，高宏偉，孫錢，楊輝單位：中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所，中國科學技術大學納米技術與納米仿生學院
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    limit2022-01-05 16:49
  • 梁鋒：GaN基大功率藍
    《GaN基大功率藍光激光器》作者：梁鋒，趙德剛單位：中國科學院半導體研究所
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    limit2022-01-05 16:06
  • 孫錢：硅襯底GaN基激
    《硅襯底GaN基激光器研究進展》作者：馮美鑫，劉建勛，孫錢，楊輝單位：中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
    38400
    limit2022-01-05 15:36
  • 龔政：氮化鎵基Micro-
    《氮化鎵基Micro-LED巨量轉移及紅光芯片進展》作者：龔政單位：廣東省科學院半導體研究所
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    limit2022-01-05 13:22
  • 黃思溢：基于水平常壓
    《基于水平常壓式MOCVD的低溫p-GaN生長與性能表征》作者：黃思溢，池田昌夫，張名龍，張峰，朱建軍，劉建平，楊輝單位：中國科學
    25500
    limit2022-01-05 11:27
  • 陳荔：基于高溫熱退火
    《基于高溫熱退火技術的半極性AlN外延薄膜缺陷演化研究》作者：陳荔，郭煒，林偉，陳航洋，康俊勇，葉繼春單位：中國科學院寧波
    21800
    limit2022-01-05 11:02
  • 許福軍：AlGaN基深紫
    《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者：許福軍，沈波，單位：北京大學物理學院
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    limit2022-01-05 09:53
  • 黎大兵：AlN基寬禁帶
    《AlN基寬禁帶半導體缺陷調控及p型摻雜研究》作者：黎大兵，孫曉娟，蔣科，賁建偉，張山麗，單位：中國科學院長春光機所、中國科學院大學材料科學與光電工程中心《AlN基寬禁帶半導體缺陷調控及p型摻雜研究》作者：黎大兵，孫曉娟，蔣科，賁建偉，張山麗，單位：中國科學院長春光機所、中國科學院大學材料科學與光電工程中心《AlN基寬禁帶半導體
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    limit2022-01-05 09:19
  • 【視頻報告 2018】明
    【極智報告】明朔光電副總經理江維：基于石墨烯智慧路燈的道路大數據生態構建與運營
    53400
    limit2021-04-29 12:32
  • 【視頻報告 2018】南
    南方科技大學副教授劉召軍在《多功能化氮化鎵基高分辨率Micro-LED顯示器》研究報告。
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    limit2021-04-29 12:28
  • 【視頻報告 2018】廈
    廈門大學電子科學系教授、福建省半導體照明工程技術研究中心副主任呂毅軍分享了《基于顯微高光譜成像技術的發光器件/陣列表面光熱特性分布測試》研究報告。他介紹說，顯微高光譜成像技術結合高光譜和顯微技術，獲得探測目標的二維幾何空間及一維光譜信息的數據立方。同時具有高空間分辨率和高光譜分辨率的優點。是進行微小發光器件/陣列表面光譜探測的理想工具。我們基于顯微高光譜開發了發光器件/陣列表面光熱二維分布測試技術。
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    limit2021-04-29 12:28
  • 【視頻報告 2018】復
    復旦大學副教授田朋飛分享了《智能GaN基micro-LED陣列》研究報告。GaN基micro-LED (霯ED)陣列可用于高亮度微顯示、高效率固態照明和高速可見光通信的高帶寬發光芯片。通過結合以上功能，可以實現用于大數據和物聯網的智能霯ED系統。至今為止，還未有將霯ED陣列用于高帶寬探測器(PD)的報道。
    91700
    limit2021-04-29 12:27
  • 【視頻報告 2018】基
    深圳基本半導體有限公司副總經理張振中介紹了《高性能 3D SiC JBS 二極管》主題報告；張振中對各種類型的碳化硅器件，包括高壓PiN二極管、高溫JBS二極管、SBD管、平面及溝槽型MOSFET、JFET、BJT、UV二極管、MESFET都有從版圖設計引入到量產工藝開發直到后期失效分析及良率提升等一系列的工藝技術IP和產業化經驗。
    125300
    limit2021-04-29 12:26
  • 【視頻報告 2018】Vic
    美國電力副執行主任兼首席技術官、美國北卡羅萊納州立大學教授Victor Veliadis帶來《10 kV 4H-SiC晶體管基面位錯和耐久性的影響》；
    185400
    limit2021-04-29 12:26
  • 【視頻報告 2018】西
    西安電子科技大學趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴展技術的常關型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主題報告。他介紹說，在SiC襯底上實現了高性能的柵長為0.1um的常關型薄勢壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件，采用氟離子注入技術并結合氮化鈦源極擴展技術實現了高性能的常關型器件，其閾值電壓達到0.6V，飽和電流達到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨導達到412mS/mm，電流截止頻率達到61GHz，最大
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    limit2021-04-29 12:21
  • 【視頻報告 2018】敖
    日本德島大學教授、西安電子科技大學特聘教授敖金平在《用于微波無線電能傳輸的氮化鎵射頻肖特基二極管》報告中介紹到：無線電能傳輸技術是非常有前景的新技術，可以用在各種各樣的無線系統，比如無線充電、能量收割、無處不在的電源和建筑物內的電源供應等。在微波無線電能傳輸系統里，通常采用天線整流電路（rectenna）來完成RF到DC的能量轉換。天線整流電路廣泛地用到肖特基勢壘二極管（SBD）。但是，目前市場上很難找到能在天
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    limit2021-04-29 12:21
  • 【視頻報告 2018】中
    中科院半導體研究所所長助理、研究員張韻分享了《III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器》報告，受限于鈮酸鋰聲速較低(3400-4000 m/s)，商用鈮酸鋰基聲表面波（SAW）濾波器工作頻率通常低于3 GHz，難以滿足通訊系統頻率不斷提升的需求，因此基于高聲速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高頻SAW濾波器成為研究熱點。分別在鈮酸鋰襯底和AlN/藍寶石襯底上制備出叉指寬度為2 靘的SAW濾波器，鈮酸鋰SAW濾波器的中心頻率為426.7 MHz，而AlN基SAW 濾
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    limit2021-04-29 12:20
  • 【視頻報告 2018】臺
    【極智報告】臺灣長庚大學邱顯欽教授：適用于第五代移動通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案
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    limit2021-04-29 12:20
  • 【視頻報告 2018】挪
    挪威科學技術大學教授、挪威科學技術院院士、挪威Crayonano AS創始人兼首席技術官Helge WEMAN帶來以石墨烯為基底和透明電極的AlG
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    limit2021-04-29 12:19
  • 【視頻報告 2018】西
    GaN基的LED在大功率照明方面的巨大潛力吸引了很多研究者的注意。西安交通大學田震寰博士帶來了激光打孔和雙襯底轉移技術制備金字
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    limit2021-04-29 12:18
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