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中科院蘇州納米所研究
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中科院蘇州納米所研究
硅襯底GaN基光電材料外延生長Epitaxial Growth of GaN Based Photoelectric Materials on Silicon Substrate孫錢中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員SUN QianProfessorof Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences
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IFWS2025-01-09 14:41
南京大學(xué)劉歡：等離子
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南京大學(xué)劉歡：等離子
等離子體輔助分子束外延生長AlN薄膜AlN epilayers grown by plasma assisted molecular beam epitaxy劉歡南京大學(xué)LIU HuanNanjing University
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IFWS2025-01-09 14:40
中電科第十三所高級(jí)工
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中電科第十三所高級(jí)工
6英寸復(fù)合襯底上厚GaN外延生長研究Growth of Thick GaN Epilayers on 150mm Engineered Substrate韓穎中國電子科技集團(tuán)第十三所高級(jí)工程師HAN YingSenior Engineer of Hebei Semiconductor Research Institute
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IFWS2025-01-09 14:27
鎵和半導(dǎo)體李山:氧化
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鎵和半導(dǎo)體李山:氧化
氧化鎵PECVD外延生長及光電信息感知器件研究Research on PECVD Epitaxial Growth of Gallium Oxide and the Photoelectric Information Sensing Devices李山南京郵電大學(xué)副教授、蘇州鎵和半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān)LI ShanAssociate Professor, Nanjing University of Posts and Telecommunications, RD director of Suzhou GAO Semiconductor Co. Ltd.
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IFWS2025-01-09 13:53
西安電子科技大學(xué)張金
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西安電子科技大學(xué)張金
MPCVD法金剛石同質(zhì)外延生長及MOS器件技術(shù)Homogeneous epitaxial diamond growth by MPCVD and its MOS device technology張金風(fēng)西安電子科技大學(xué)教授ZHANG JinfengProfessor of Xidian University
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guansheng2023-05-19 14:40
江蘇第三代半導(dǎo)體研究
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江蘇第三代半導(dǎo)體研究
高性能GaN-on-GaN材料與器件的外延生長High output power and bandwidth of c-plane GaN-on-GaN micro-LED for high-speed visible light communication王國斌江蘇第三代半導(dǎo)體研究院研發(fā)部負(fù)責(zé)人WANG GuobinSenior Project ManagerHead of RD Dept of Jiangsu Institute of Advanced Semiconductors
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guansheng2023-05-19 08:56
桑立雯：利用AlN傳導(dǎo)
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桑立雯：利用AlN傳導(dǎo)
利用AlN傳導(dǎo)層在GaN襯底上外延生長金剛石薄膜及其熱傳輸特性Thermal dissipation from GaN to diamond with AlN conduction layer桑立雯日本國立物質(zhì)材料研究所獨(dú)立研究員SANG LiwenIndependent Scientist of National Institute for Materials Science (NIMS), Japan
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guansheng2023-05-19 08:42
中國科學(xué)院半導(dǎo)體所研
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中國科學(xué)院半導(dǎo)體所研
平片藍(lán)寶石襯底上高質(zhì)量AlN材料MOCVD外延生長High quality AlN growth on flat sapphire at relative low temperature by MOCVD趙德剛中國科學(xué)院半導(dǎo)體所研究員ZHAO DegangProfesor of Institute of Semiconductors, CAS
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guansheng2023-05-18 16:19
陳凱：基于MPCVD法異
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陳凱：基于MPCVD法異
《基于MPCVD法異質(zhì)外延生長金剛石膜的研究》作者：陳凱，胡文曉，葉煜聰，劉斌，陶濤，張榮單位：江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院，廈門大學(xué)
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limit2022-01-07 14:59
何云斌：ZnO多元合金
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何云斌：ZnO多元合金
《ZnO多元合金薄膜外延生長、帶隙調(diào)控及其紫外光電探測器研究》作者：何云斌，黎明鍇，盧寅梅，張騰，陳劍，劉洋，郭紫曼，汪洋單位：湖北大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-07 10:19
吳亮：PVT法同質(zhì)外延
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吳亮：PVT法同質(zhì)外延
《PVT法同質(zhì)外延生長高質(zhì)量2英寸Al極性AlN單晶研究》作者：李哲，張剛，雷丹，黃嘉麗，付丹揚(yáng)，王琦琨，吳亮單位：奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司
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limit2022-01-06 11:02
余燁：面向長波長LED
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余燁：面向長波長LED
《面向長波長LED應(yīng)用的石墨烯/SiC襯底上應(yīng)變弛豫GaN薄膜的外延生長研究》作者：余燁，于佳琪，鄧高強(qiáng)，張寶林，張?jiān)礉龁挝唬杭执髮W(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-06 10:56
張文瑞：介穩(wěn)態(tài)氧化鎵
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張文瑞：介穩(wěn)態(tài)氧化鎵
《介穩(wěn)態(tài)氧化鎵薄膜的外延生長與異質(zhì)集成》作者：張文瑞單位：中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所
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limit2022-01-06 10:26
劉建勛：大尺寸硅基Ga
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劉建勛：大尺寸硅基Ga
《大尺寸硅基GaN射頻器件材料外延生長研究》作者：劉建勛，詹曉寧，孫秀建，黃應(yīng)南，高宏偉，孫錢，楊輝單位：中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)納米技術(shù)與納米仿生學(xué)院
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limit2022-01-05 16:49
【視頻報(bào)告 2018】中
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【視頻報(bào)告 2018】中
中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司副總裁MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理郭世平帶來了《氮化物深紫外LED生產(chǎn)型MOCVD機(jī)臺(tái)設(shè)計(jì)及外延生長的挑
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limit2021-04-29 12:23
【視頻報(bào)告】鄭州大學(xué)
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【視頻報(bào)告】鄭州大學(xué)
鄭州大學(xué)教授劉玉懷做了題為氮化鋁/藍(lán)寶石模板上六方氮化硼薄膜的有機(jī)金屬氣相外延研究的報(bào)告，介紹了多層h-BN膜的表面和結(jié)晶度、微觀結(jié)構(gòu)和鍵合結(jié)構(gòu)。h-BN在AlN上的生長模型等研究內(nèi)容。研究成功證明了通過脈沖模式MOVPE在AlN模板上直接生長單晶多層h-BN，在AlN表面上形成連續(xù)和聚結(jié)的多層h-BN，提出了初始帽形核的生長模型，然后在AlN上進(jìn)行h-BN的二維橫向生長。
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limit2020-02-01 16:24
極智報(bào)告|日本Novel C
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極智報(bào)告|日本Novel C
日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA做了用于功率器件的β-Ga2O3晶體塊體和外延生長的報(bào)告，分享了其最新研究成果。
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limit2025-05-01 20:18