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氧化鎵中缺陷擴展及模型Defect Expansion and Model in Gallium Oxide張赫之大連理工大學副教授ZHANG HezhiAssociate Professor, Dalian University of Technology

利用高Al組分-(AlGa)2O3緩沖層在藍寶石襯底上優化生長高質量-Ga2O3厚膜Growth of high quality - Ga2O3 thick film on sapphire by using high Al content - (AlGa)2O3 buffer layer張赫之大連理工大學副教授ZHANG HezhiAssociate professor of Dalian University of Technology

兩步法在藍寶石襯底上生長高質量-Ga2O3厚膜的研究張赫之，張嵩，董增印，張文輝，程麗媛，梁紅偉*大連理工大學中國電子科技集團公司第四十六研究所

SiC MOS器件氧化后退火新途徑低溫再氧化退火技術A new approach of post-oxidation annealing for SiC MOS devices -- the low-temperature re-oxidation annealing technology王德君大連理工大學教授Wang DejunProfessor of Dalian University of Technology

大連理工大學王德君教授在“SiC MOS界面陷阱的鈍化技術及電子性能”報告中介紹了缺陷到底是什么樣子，缺陷如何去鈍化以及進一步的研究工作進展。并把下一步的工作和進一步實用化的相關內容，包括產業方向上的發展做了詳細介紹。并介紹了核心的鈍化技術，比較獨特，這個鈍化它的研究都是建立在它的物理技術之上，所以這個測試比較強。